Применяется в части, не противоречащей Приказу ГТК РФ от 30.09.2002 № 1042.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТАМОЖЕННЫЙ КОМИТЕТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПРИКАЗ
от 24 декабря 2001 г. № 1226
О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ
НОРМАТИВНЫЕ И ИНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ГТК РОССИИ
(в ред. Приказов ГТК РФ от 14.02.2002 № 149,
от 20.01.2003 № 37, от 16.01.2004 № 27, от 19.03.2004 № 344,
Приказов ФТС РФ от 08.09.2004 № 34, от 28.01.2005 № 62,
от 25.09.2009 № 1763,
с изм., внесенными Приказом ГТК РФ от 30.09.2002 № 1042)
В целях реализации Постановления Правительства Российской Федерации от 30 ноября 2001 г. № 830 "О Таможенном тарифе Российской Федерации и товарной номенклатуре, применяемой при осуществлении внешнеэкономической деятельности" ("Российская газета" от 01.12.2001 № 236/1), а также в соответствии с Указами Президента Российской Федерации от 14.02.1996 № 202 (Собрание законодательства Российской Федерации, 1996, № 8, ст. 742; 1997, № 4, ст. 523; № 20, ст. 2234; 2000, № 19, ст. 2062, № 26, ст. 2749), от 21.02.1996 № 228 (Собрание законодательства Российской Федерации, 1996, № 9, ст. 802; 1997, № 4, ст. 523; 2000, № 19, ст. 2062), от 26.08.1996 № 1268 (Собрание законодательства Российской Федерации, 1996, № 36, ст. 4197; 1999, № 2, ст. 265; 2000, № 10, ст. 1115; № 33, ст. 3354; 2001, № 16, ст. 1566), от 02.09.1997 № 972 (Собрание законодательства Российской Федерации, 1997, № 36, ст. 4128; 2001, № 37, ст. 3669), от 08.08.2001 № 1004 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2001, № 33 (часть II), ст. 3440), от 08.08.2001 № 1005 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2001, № 33 (часть II), ст. 3441), от 28.08.2001 № 1082 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2001, № 36, ст. 3542), приказываю:
--> примечание.
Таможенный тариф РФ, утвержденный Постановлением Правительства РФ от 30.11.2001 № 830, утратил силу с 1 января 2007 года в связи с изданием Постановления Правительства РФ от 27.11.2006 № 718, утвердившего новый Таможенный тариф РФ.
1. При осуществлении таможенного оформления товаров и транспортных средств, перемещаемых через таможенную границу Российской Федерации, применять Товарную номенклатуру внешнеэкономической деятельности Российской Федерации в соответствии с Постановлением Правительства Российской Федерации от 30 ноября 2001 г. № 830 "О Таможенном тарифе Российской Федерации и товарной номенклатуре, применяемой при осуществлении внешнеэкономической деятельности".
2. Внести в нормативные и иные правовые акты ГТК России следующие изменения:
I. В приказы ГТК России:
1) внести в Приказ ГТК России от 01.04.94 № 122 "О порядке ввоза в Российскую Федерацию и вывоза из Российской Федерации товаров с содержанием драгоценных металлов, драгоценных камней, янтаря и изделий из него" следующие изменения:
а) в пункте 4 Приказа код "7402" заменить кодом "7402 00 000 0";
б) в Перечне товаров с содержанием драгоценных металлов, драгоценных камней, янтаря и изделий из него, ввоз и вывоз которых осуществляются по лицензиям (приложение 2 к Приказу):
код "2530 90 950 0" заменить кодом "2530 90 980 0";
код "9021 29 100 0" заменить кодом "9021 29 000 0";
2) внести в приложение 8 к Положению о порядке применения Конвенции МДП, 1975 г., утвержденному Приказом ГТК России от 18.05.94 № 206 "Об утверждении Положения о порядке применения Конвенции МДП, 1975 г." следующие изменения:
в пункте 1 код "2207 10 000" заменить кодом "2207 10 000 0";
в пункте 3 код "2402 10 000" заменить кодом "2402 10 000 0";
в пункте 4 код "2402 20 000" заменить кодом "2402 20";
в пункте 5 код "2403 10 000" заменить кодом "2403 10";
3) в примере 5 пункта 2.7.2 в приложении 3 к Правилам проведения таможенного контроля за начислением и уплатой таможенных платежей при производстве таможенного оформления товаров, утвержденным Приказом ГТК России от 04.01.95 № 2 "О контроле за начислением и взысканием таможенных платежей", код "8528 12 220 0" заменить кодом "8528 12 200 0";
4) утратил силу. - Приказ ГТК РФ от 19.03.2004 № 344;
5) внести в приложение к Приказу ГТК России от 19.03.96 № 150 "О лицензировании импорта отдельных видов товаров" следующие изменения:
код "8543 89 900 0" заменить кодом "8543 89 950 0";
код "8543 90 900 0" заменить кодом "8543 90 800 0";
код "2530 90 950 0" заменить кодом "2530 90 980 0";
код "9021 29 100 0" заменить кодом "9021 29 000 0 (только из драгоценных металлов)";
6) изложить приложение 1 к Приказу ГТК России от 23.05.96 № 315 "О контроле за экспортом товаров, которые могут быть применены для создания оружия массового уничтожения и ракетных средств его доставки" согласно приложению 2 к настоящему Приказу;
7) изложить приложение 3 к Приказу ГТК России от 23.05.96 № 315 "О контроле за экспортом товаров, которые могут быть применены для создания оружия массового уничтожения и ракетных средств его доставки" согласно приложению 3 к настоящему Приказу;
8) изложить приложение 5 к Приказу ГТК России от 23.05.96 № 315 "О контроле за экспортом товаров, которые могут быть применены для создания оружия массового уничтожения и ракетных средств его доставки" согласно приложению 4 к настоящему Приказу;
9) изложить приложение 7 к Приказу ГТК России от 23.05.96 № 315 "О контроле за экспортом товаров, которые могут быть применены для создания оружия массового уничтожения и ракетных средств его доставки" согласно приложению 5 к настоящему Приказу;
10) изложить приложение 9 к Приказу ГТК России от 23.05.96 № 315 "О контроле за экспортом товаров, которые могут быть применены для создания оружия массового уничтожения и ракетных средств его доставки" согласно приложению 6 к настоящему Приказу;
11) внести в Приказ ГТК России от 31.05.96 № 336 "О порядке ввоза в Российскую Федерацию и вывоза из Российской Федерации озоноразрушающих веществ и содержащей их продукции" следующие изменения:
а) в приложении 1 в пунктах 41 - 74 Списка С код "из 2903 49 900 0" заменить кодом "из 2903 49 300 0";
б) в приложении 2:
код "из 8479 89 950 0" заменить кодом "из 8479 89 980 0";
код "из 2710 00" заменить кодом "из 2710";
код "из 3909 50 000 0" заменить кодом "из 3909 50";
12) изложить приложение 2 к Приказу ГТК России от 27.06.96 № 402 "О порядке экспорта и импорта ядерных материалов, оборудования, специальных неядерных материалов и соответствующих технологий" согласно приложению 7 к настоящему Приказу;
13) изложить приложение 1 к Приказу ГТК России от 01.12.97 № 710 "О контроле за вывозом в Ирак товаров и технологий двойного назначения" согласно приложению 8 к настоящему Приказу;
14) внести в Инструкцию по таможенному оформлению и таможенному контролю делящихся и радиоактивных материалов, утвержденную Приказом ГТК России от 13.03.98 № 144 "Об утверждении Инструкции по таможенному оформлению и таможенному контролю делящихся и радиоактивных материалов", следующие изменения:
слова "ТН ВЭД СНГ" по тексту заменить словами "ТН ВЭД";
код "8401 30 000" заменить кодом "8401 30 000 0";
код "7806 00 100" заменить кодом "7806 00 100 0";
код "8609 00 100" заменить кодом "8609 00 100 0";
15) исключен. - Приказ ФТС РФ от 28.01.2005 № 62;
16) внести в приложение к Приказу ГТК России от 09.02.99 № 84 "О лицензировании экспорта лесоматериалов из Российской Федерации" следующие изменения:
код "4403 10 900 1" заменить кодом "4403 10 000 1";
код "4403 10 900 2" заменить кодом "4403 10 000 2";
код "4403 10 900 3" заменить кодом "4403 10 000 3";
код "4403 91 000 0" заменить кодом "4403 91";
код "4403 92 000 0" заменить кодом "4403 92";
код "4403 99 990 1" заменить кодом "4403 99 950 1";
код "4407 92" заменить кодом "4407 92 000 0";
17) исключен. - Приказ ГТК РФ от 16.01.2004 № 27;
18) утратил силу. - Приказ ФТС РФ от 25.09.2009 № 1763;
19) утратил силу. - Приказ ГТК РФ от 20.01.2003 № 37;
20) внести в приложение к Приказу ГТК России от 30.01.2001 № 103 "О ввозе в Российскую Федерацию и вывозе из Российской Федерации специальных технических средств, предназначенных для негласного получения информации" следующие изменения:
код "8525 10 900 9" заменить кодом "8525 10 800 9";
код "8525 10 900 9" заменить кодом "8525 10 800 9";
код "8525 10 900 9" заменить кодом "8525 10 800 9";
код "8524 40 100 0" заменить кодом "8524 40 000 0";
код "8524 91 100 0" заменить кодом "8524 91 000 1";
код "8524 40 100 0" заменить кодом "8524 40 000 0";
код "8524 91 100 0" заменить кодом "8524 91 000 1";
21) в пункте 1 Приказа ГТК России от 28.08.2001 № 861 "Об отмене лицензирования импорта сахара белого в Российскую Федерацию" код "1701 99 100 0" заменить кодом "1701 99 100";
22) исключен. - Приказ ФТС РФ от 28.01.2005 № 62;
23) исключить подпункты 11, 17, 18, 19, 20, 29 из пункта 2 Приказа ГТК России от 10.03.2000 № 176 "О ТН ВЭД России и о внесении изменений и дополнений в отдельные нормативные акты ГТК России";
II. В распоряжения ГТК России:
24) изложить приложение 2 к распоряжению ГТК России от 16.06.99 № 01-14/703 "О таможенном оформлении скоропортящейся продукции" согласно приложению 9 к настоящему Приказу;
25) исключен. - Приказ ФТС РФ от 08.09.2004 № 34;
26) - 27) исключены. - Приказ ФТС РФ от 28.01.2005 № 62;
28) внести в распоряжение ГТК России от 04.09.2001 № 879-р "О перечне организаций, которым предоставлено право упрощенной процедуры контроля таможенной стоимости транспортных средств" следующие изменения:
а) в пункте 1 код "8706" заменить кодом "8706 00" (2 раза);
б) в названии приложения код "8706" заменить кодом "8706 00";
29) исключен. - Приказ ФТС РФ от 28.01.2005 № 62;
III. В письма ГТК России:
30) в примере 40 пункта 6.3 Методических рекомендаций по взиманию таможенных платежей в отношении товаров и транспортных средств, перемещаемых физическими лицами через таможенную границу Российской Федерации, приведенных в приложении к письму ГТК России от 13.02.98 № 01-15/3032 "О направлении Методических рекомендаций по взиманию таможенных платежей", код "2206 00 100" заменить кодом "2206 00 100 0";
31) изложить приложение к письму ГТК России от 04.08.98 № 01-15/16260 "О переработке делящихся и радиоактивных материалов" согласно приложению 10 к настоящему Приказу;
--> примечание.
Подпункт 32 пункта III данного документа фактически утратил силу в связи с изданием письма ФТС РФ от 10.02.2005 № 01-06/3731, отменившего письмо ГТК РФ от 13.06.2000 № 01-06/15880.
32) внести в приложения к письму ГТК России от 13.06.2000 № 01-06/15880 следующие изменения:
а) приложение 1 изложить согласно приложению 11 к настоящему Приказу;
б) в приложении 2 код "4421 90 990 0" заменить кодом "4421 90 980 0";
33) исключен. - Приказ ФТС РФ от 28.01.2005 № 62;
34) в приложении 1 к Методическим указаниям о порядке применения таможенных пошлин в отношении товаров, перемещаемых через таможенную границу Российской Федерации, приведенным в приложении к письму ГТК России от 27.12.2000 № 01-06/38024 "О направлении Методических указаний", коды "из 4907 00 910 0; из 4907 00 990 0" заменить кодом "из 4907 00 900 0".
3. Признать утратившим силу Приказ ГТК России от 29.05.2000 № 436 "О внесении изменений в Приказы ГТК России от 23.05.96 № 315 и от 27.06.96 № 402" с 01.01.2002.
4. Управлению спецтехники и автоматизации таможенных технологий (Л.М. Ухлинов), ГНИВЦ ГТК России (С.Л. Гусев) до 01.01.2002 обеспечить:
- внесение изменений и дополнений в НСИ и программные средства, эксплуатируемые в ГНИВЦ ГТК России и таможенных органах;
- возможность сопоставимости вновь введенных и измененных кодов товарной номенклатуры с кодами ТН ВЭД России, действовавшими до 01.01.2002.
5. Пресс-службе (И.И. Скибинская) обеспечить освещение настоящего Приказа в средствах массовой информации.
6. Начальникам таможенных управлений, начальникам таможен обеспечить доведение положений настоящего Приказа до всех заинтересованных лиц.
7. Контроль за исполнением настоящего Приказа осуществлять заместителю председателя ГТК России А.А. Каульбарсу.
Действие настоящего Приказа распространяется на правоотношения, возникшие с 1 января 2002 года.
Председатель Комитета
генерал-полковник
таможенной службы
М.В.ВАНИН
Приложение 1
к Приказу ГТК России
от 24.12.2001 № 1226
Приложение 1
к Приказу ГТК России
от 19.03.1996 № 149
ПЕРЕЧЕНЬ
ТОВАРОВ, ЭКСПОРТ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ
ПО ЛИЦЕНЗИЯМ МВЭС РОССИИ
Утратил силу. - Приказ ГТК РФ от 19.03.2004 № 344.
Приложение 2
к Приказу ГТК России
от 24.12.2001 № 1226
Утвержден
Указом Президента
Российской Федерации
от 26 августа 1996 г. № 1268
(в ред. Указов Президента
Российской Федерации
от 4 января 1999 г. № 6,
от 29 февраля 2000 г. № 447,
от 9 августа 2000 г. № 1477,
от 11 апреля 2001 г. № 412)
СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ,
ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ
Раздел 1
--------------T---------------------------------------T--------------¬
¦ № ¦ Наименование ¦Код товарной ¦
¦ позиции ¦ ¦номенклатуры ¦
¦ ¦ ¦внешнеэконо- ¦
¦ ¦ ¦мической ¦
¦ ¦ ¦деятельности ¦
+-------------+---------------------------------------+--------------+
¦ ¦ Категория 1. Перспективные материалы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.1. ¦Компоненты, изготовленные из¦ ¦
¦ ¦фторированных соединений, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.1.1. ¦Уплотнения, прокладки, уплотнительные¦3919 90 900 0 ¦
¦ ¦материалы или трубчатые уплотнения,¦ ¦
¦ ¦предназначенные для применения в¦ ¦
¦ ¦авиационной или аэрокосмической технике¦ ¦
¦ ¦и изготовленные из материалов,¦ ¦
¦ ¦содержащих более 50% (по весу) любого¦ ¦
¦ ¦материала, контролируемого по¦ ¦
¦ ¦подпунктам "б" и "в" пункта 1.3.9; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.1.2. ¦Пьезоэлектрические полимеры и¦3921 90 900 0 ¦
¦ ¦сополимеры, изготовленные из фтористых¦ ¦
¦ ¦винилиденовых материалов,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по подпункту "а" пункта¦ ¦
¦ ¦1.3.9: ¦ ¦
¦ ¦а) в виде пленки или листа; и ¦ ¦
¦ ¦б) толщиной более 200 мкм; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.1.3. ¦Уплотнения, прокладки, седла клапанов,¦3919 90 900 0 ¦
¦ ¦трубчатые уплотнения или диафрагмы,¦ ¦
¦ ¦изготовленные из фторэластомеров,¦ ¦
¦ ¦содержащих по крайней мере одну группу¦ ¦
¦ ¦винилового эфира как структурную¦ ¦
¦ ¦единицу, специально предназначенные для¦ ¦
¦ ¦авиационной, аэрокосмической или¦ ¦
¦ ¦ракетной техники ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.2. ¦Композиционные конструкции или слоистые¦ ¦
¦ ¦структуры (ламинаты), имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.2.1. ¦Органическую матрицу и выполненные из¦3926 90 100 0;¦
¦ ¦материалов, контролируемых по пунктам¦3926 90 910 0;¦
¦ ¦1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5 ¦3926 90 990 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.1.2.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются завершенные или¦ ¦
¦ ¦полузавершенные предметы, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенные для следующего только¦ ¦
¦ ¦гражданского использования: ¦ ¦
¦ ¦а) в спортивных целях; ¦ ¦
¦ ¦б) в автомобильной промышленности; ¦ ¦
¦ ¦в) в станкостроительной промышленности;¦ ¦
¦ ¦г) в медицинских целях; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.2.2. ¦Металлическую или углеродную матрицу и¦ ¦
¦ ¦выполненные из: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.2.2.1. ¦Углеродных волокнистых или нитевидных¦3801; ¦
¦ ¦материалов: ¦3926 90 100 0;¦
¦ ¦а) с удельным модулем упругости свыше¦3926 90 910 0;¦
¦ ¦10,15 x 1E6 м; и ¦3926 90 990; ¦
¦ ¦б) с удельной прочностью на растяжение¦6903 10 000 0 ¦
¦ ¦свыше 17,7 x 1E4 м; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.2.2.2. ¦Материалов, контролируемых по пункту¦ ¦
¦ ¦1.3.10.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.1.2.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются завершенные или¦ ¦
¦ ¦полузавершенные предметы, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенные для следующего только¦ ¦
¦ ¦гражданского использования: ¦ ¦
¦ ¦а) в спортивных целях; ¦ ¦
¦ ¦б) в автомобильной промышленности; ¦ ¦
¦ ¦в) в станкостроительной промышленности;¦ ¦
¦ ¦г) в медицинских целях ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1. Удельный¦ ¦
¦ ¦модуль упругости - модуль Юнга,¦ ¦
¦ ¦выраженный в паскалях или в Н/кв. м,¦ ¦
¦ ¦деленный на удельный вес в Н/куб. м,¦ ¦
¦ ¦измеренные при температуре (296 +/- 2)¦ ¦
¦ ¦К [(23 +/- 2) град. C] и относительной¦ ¦
¦ ¦влажности (50 +/- 5)% ¦ ¦
¦ ¦2. Удельная прочность на растяжение -¦ ¦
¦ ¦критическая прочность на разрыв,¦ ¦
¦ ¦выраженная в паскалях или в Н/кв. м,¦ ¦
¦ ¦деленная на удельный вес в Н/куб. м,¦ ¦
¦ ¦измеренные при температуре (296 +/- 2)¦ ¦
¦ ¦K [(23 +/- 2) град. C] и относительной¦ ¦
¦ ¦влажности (50 +/- 5)% ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.1.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются композиционные структуры¦ ¦
¦ ¦или ламинаты, изготовленные из¦ ¦
¦ ¦эпоксидной смолы, импрегнированной¦ ¦
¦ ¦углеродом, волокнистые или нитевидные¦ ¦
¦ ¦материалы для ремонта структур¦ ¦
¦ ¦летательных аппаратов или ламинаты,¦ ¦
¦ ¦имеющие размеры, не превышающие 1 кв. м¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.3. ¦Изделия из нефторидных полимерных¦3919 90 900 0;¦
¦ ¦веществ, контролируемых по пункту¦3920 99 900 0 ¦
¦ ¦1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты¦ ¦
¦ ¦или полосы: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.3.1. ¦При толщине свыше 0,254 мм; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.3.2. ¦Покрытые углеродом, графитом, металлами¦ ¦
¦ ¦или магнитными веществами ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.1.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются изделия, покрытые или¦ ¦
¦ ¦ламинированные медью и предназначенные¦ ¦
¦ ¦для производства электронных печатных¦ ¦
¦ ¦плат ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.4. ¦Оборудование для защиты и обнаружения и¦ ¦
¦ ¦его части, не предназначенные¦ ¦
¦ ¦специально для военного применения,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.4.1. ¦Газовые маски, коробки противогазов с¦9020 00 900 0 ¦
¦ ¦фильтрами и оборудование для¦ ¦
¦ ¦обеззараживания, предназначенные или¦ ¦
¦ ¦модифицированные для защиты от¦ ¦
¦ ¦биологических факторов или¦ ¦
¦ ¦радиоактивных материалов,¦ ¦
¦ ¦приспособленных для применения в¦ ¦
¦ ¦военных целях, или боевых химических¦ ¦
¦ ¦агентов, и специально предназначенные¦ ¦
¦ ¦для этого компоненты; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.4.2. ¦Защитные костюмы, перчатки и ботинки,¦6204 29 900 0;¦
¦ ¦предназначенные или модифицированные¦6216 00 000 0;¦
¦ ¦для защиты от биологических факторов¦6405 90 ¦
¦ ¦или радиоактивных материалов,¦ ¦
¦ ¦приспособленных для применения в¦ ¦
¦ ¦военных целях, или боевых химических¦ ¦
¦ ¦агентов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.4.3. ¦Ядерные, биологические и химические¦9027 10 100 0;¦
¦ ¦системы обнаружения, специально¦9027 10 900 0;¦
¦ ¦предназначенные или модифицированные¦9027 90 800 0;¦
¦ ¦для обнаружения или распознавания¦9030 10 900 0;¦
¦ ¦биологических факторов или¦9030 89 920 0;¦
¦ ¦радиоактивных материалов,¦9030 89 990 0 ¦
¦ ¦приспособленных для применения в¦ ¦
¦ ¦военных целях, или боевых химических¦ ¦
¦ ¦агентов, и специально предназначенные¦ ¦
¦ ¦для этого компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.1.4 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) персональные радиационные¦ ¦
¦ ¦мониторинговые дозиметры; ¦ ¦
¦ ¦б) оборудование, ограниченное¦ ¦
¦ ¦конструктивным или функциональным¦ ¦
¦ ¦назначением для защиты от токсичных¦ ¦
¦ ¦веществ, специфичных для гражданской¦ ¦
¦ ¦промышленности: горного дела, работ в¦ ¦
¦ ¦карьерах, сельского хозяйства,¦ ¦
¦ ¦фармацевтики, медицинского,¦ ¦
¦ ¦ветеринарного использования, утилизации¦ ¦
¦ ¦отходов или для пищевой промышленности ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.1.5. ¦Бронежилеты и специально¦6204 29 900 0 ¦
¦ ¦предназначенные компоненты,¦ ¦
¦ ¦изготовленные не по военным стандартам¦ ¦
¦ ¦или спецификациям и не равноценные им в¦ ¦
¦ ¦исполнении ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. По пункту 1.1.5 не¦ ¦
¦ ¦контролируются индивидуальные¦ ¦
¦ ¦бронежилеты и принадлежности к ним,¦ ¦
¦ ¦которые вывозятся пользователями для¦ ¦
¦ ¦собственной индивидуальной защиты ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 1.1.5 не контролируются¦ ¦
¦ ¦бронежилеты, предназначенные только для¦ ¦
¦ ¦обеспечения фронтальной защиты как от¦ ¦
¦ ¦осколков, так и от взрыва невоенных¦ ¦
¦ ¦взрывчатых устройств ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2. ¦Испытательное, контрольное и¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1. ¦Оборудование для производства волокон,¦ ¦
¦ ¦препрегов, преформ или композиционных¦ ¦
¦ ¦материалов либо изделий, контролируемых¦ ¦
¦ ¦по пунктам 1.1.2 или 1.3.10, а также¦ ¦
¦ ¦специально предназначенные компоненты и¦ ¦
¦ ¦вспомогательные устройства: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.1. ¦Машины для намотки волокон, у которых¦8446 30 000 0 ¦
¦ ¦перемещения, связанные с¦ ¦
¦ ¦позиционированием, обволакиванием и¦ ¦
¦ ¦намоткой волокон, координируются и¦ ¦
¦ ¦программируются по трем или более осям¦ ¦
¦ ¦и которые специально предназначены для¦ ¦
¦ ¦производства композиционных конструкций¦ ¦
¦ ¦или ламинатов из волокнистых или¦ ¦
¦ ¦нитевидных материалов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.2. ¦Машины для намотки ленты или троса, у¦8446 30 000 0 ¦
¦ ¦которых перемещения, связанные с¦ ¦
¦ ¦позиционированием и намоткой ленты,¦ ¦
¦ ¦троса или рулона, координируются и¦ ¦
¦ ¦программируются по двум или более осям¦ ¦
¦ ¦и которые специально предназначены для¦ ¦
¦ ¦производства элементов корпусов боевых¦ ¦
¦ ¦ракет или летательных аппаратов из¦ ¦
¦ ¦композиционных материалов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.3. ¦Ткацкие машины или машины для плетения,¦8446 21 000 0;¦
¦ ¦действующие в разных измерениях и¦8447 90 000 ¦
¦ ¦направлениях, включая адаптеры и¦ ¦
¦ ¦устройства для изменения функций машин,¦ ¦
¦ ¦которые предназначены для ткачества,¦ ¦
¦ ¦перемеживания или переплетения волокон¦ ¦
¦ ¦с целью изготовления композиционных¦ ¦
¦ ¦материалов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.2.1.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются текстильные машины, не¦ ¦
¦ ¦модифицированные для вышеуказанного¦ ¦
¦ ¦конечного использования; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.4. ¦Оборудование, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенное или приспособленное для¦ ¦
¦ ¦производства усиленных волокон, такое,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.4.1. ¦Оборудование для преобразования¦8456 10; ¦
¦ ¦полимерных волокон, таких, как¦8456 99 800 0;¦
¦ ¦полиакрилонитрил, вискоза, пек или¦8515 80 990 0 ¦
¦ ¦поликарбосилан, в углеродные или¦ ¦
¦ ¦карбид-кремниевые волокна, включая¦ ¦
¦ ¦специальное оборудование для усиления¦ ¦
¦ ¦волокон в процессе нагревания; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.4.2. ¦Оборудование для осаждения паров¦8417 80 800 0 ¦
¦ ¦химических элементов или сложных¦ ¦
¦ ¦веществ на нагретую нитевидную подложку¦ ¦
¦ ¦с целью производства карбид-¦ ¦
¦ ¦кремниевых волокон; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.4.3. ¦Оборудование для производства¦8445 90 000 0 ¦
¦ ¦термостойкой керамики, такой, как оксид¦ ¦
¦ ¦алюминия, методом влажной намотки; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.4.4. ¦Оборудование для преобразования путем¦8445 19 000 0;¦
¦ ¦термообработки волокон¦8451 80 800 0 ¦
¦ ¦алюминийсодержащих прекурсоров в¦ ¦
¦ ¦волокна, содержащие глинозем (оксид¦ ¦
¦ ¦алюминия) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.5. ¦Оборудование для производства¦8451 80 800 0;¦
¦ ¦препрегов, контролируемых по пункту¦8477 59 100 0;¦
¦ ¦1.3.10.5, методом горячего плавления; ¦8477 59 800 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.1.6. ¦Оборудование для неразрушающего¦9022 12 000 0;¦
¦ ¦контроля, способное обнаруживать¦9022 19 000 0;¦
¦ ¦дефекты в трех измерениях с применением¦9022 29 000 0;¦
¦ ¦методов ультразвуковой или¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦рентгеновской томографии, специально¦ ¦
¦ ¦созданное для композиционных материалов¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.2. ¦Системы и компоненты, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенные для предотвращения¦ ¦
¦ ¦загрязнения и для производства¦ ¦
¦ ¦металлических сплавов, порошкообразных¦ ¦
¦ ¦металлических сплавов или материалов на¦ ¦
¦ ¦основе сплавов, которые контролируются¦ ¦
¦ ¦по пунктам 1.3.2.1.2, 1.3.2.2 или¦ ¦
¦ ¦1.3.2.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.2.3. ¦Инструменты, пресс-формы, матрицы или¦8207 30 100 0 ¦
¦ ¦арматура для суперпластического¦ ¦
¦ ¦формования или диффузионной сварки¦ ¦
¦ ¦титана, алюминия или их сплавов,¦ ¦
¦ ¦специально предназначенных для¦ ¦
¦ ¦производства: ¦ ¦
¦ ¦а) корпусов летательных аппаратов или¦ ¦
¦ ¦аэрокосмических конструкций; ¦ ¦
¦ ¦б) двигателей летательных или¦ ¦
¦ ¦аэрокосмических аппаратов; ¦ ¦
¦ ¦в) компонентов, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенных для таких конструкций¦ ¦
¦ ¦или двигателей ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3. ¦Материалы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. До тех пор,¦ ¦
¦ ¦пока нет возражений по существу, то¦ ¦
¦ ¦термины "металлы" и "сплавы" охватывают¦ ¦
¦ ¦следующие необработанные и¦ ¦
¦ ¦полуфабрикатные формы: ¦ ¦
¦ ¦необработанные формы - аноды, шары,¦ ¦
¦ ¦полосы (включая отрубленные полосы и¦ ¦
¦ ¦проволочные полосы), металлические¦ ¦
¦ ¦заготовки, блоки, стальные болванки,¦ ¦
¦ ¦брикеты, бруски, катоды, кристаллы,¦ ¦
¦ ¦кубы, стаканы, зерна, гранулы, слитки,¦ ¦
¦ ¦глыбы, катыши, чушки, порошок, кольца,¦ ¦
¦ ¦дробь, слябы, куски металла¦ ¦
¦ ¦неправильной формы, губка, прутки; ¦ ¦
¦ ¦полуфабрикатные формы (независимо от¦ ¦
¦ ¦того, облицованы, анодированы,¦ ¦
¦ ¦просверлены либо прессованы они или¦ ¦
¦ ¦нет): ¦ ¦
¦ ¦а) определенной формы или обработанные¦ ¦
¦ ¦материалы, полученные путем прокатки,¦ ¦
¦ ¦волочения, горячей штамповки¦ ¦
¦ ¦выдавливанием, ковки, импульсного¦ ¦
¦ ¦выдавливания, прессования, дробления,¦ ¦
¦ ¦распыления и размалывания, а именно:¦ ¦
¦ ¦угольники, швеллеры, кольца, диски,¦ ¦
¦ ¦пыль, хлопья, фольга и лист, поковки,¦ ¦
¦ ¦плиты, порошок, изделия, обработанные¦ ¦
¦ ¦прессованием или штамповкой, ленты,¦ ¦
¦ ¦фланцы, прутки (включая сварные¦ ¦
¦ ¦брусковые прутки, проволочные прутки и¦ ¦
¦ ¦прокатанные проволоки), профили, формы,¦ ¦
¦ ¦листы, полоски, трубы и трубки (включая¦ ¦
¦ ¦трубные кольца, трубные прямоугольники¦ ¦
¦ ¦и полостные трубки), тянутая или¦ ¦
¦ ¦экструдированная проволока; ¦ ¦
¦ ¦б) литейный материал (отливки),¦ ¦
¦ ¦полученный литьем в песке, матрице,¦ ¦
¦ ¦металле, пластике или других типах¦ ¦
¦ ¦материалов, включая литье под высоким¦ ¦
¦ ¦давлением, "шлаковые формы"¦ ¦
¦ ¦(оплавляемые модели) и формы,¦ ¦
¦ ¦полученные с помощью порошковой¦ ¦
¦ ¦металлургии. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Цель контроля не должна нарушаться¦ ¦
¦ ¦экспортом форм, выдаваемых за¦ ¦
¦ ¦законченные изделия, не указанные в¦ ¦
¦ ¦Списке, но которые на самом деле¦ ¦
¦ ¦представляют собой контролируемые¦ ¦
¦ ¦заготовки или полуфабрикаты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1. ¦Материалы, специально предназначенные¦ ¦
¦ ¦для поглощения электромагнитных волн,¦ ¦
¦ ¦или электропроводящие полимеры, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.1. ¦Материалы для поглощения волн на¦3815 19; ¦
¦ ¦частотах, превышающих 2 x 1E8 Гц, но¦3910 00 000 0 ¦
¦ ¦меньших 3 x 1E12 Гц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание 1. По пункту 1.3.1.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) абсорберы волосяного типа,¦ ¦
¦ ¦изготовленные из натуральных и¦ ¦
¦ ¦синтетических волокон, с немагнитным¦ ¦
¦ ¦наполнением для абсорбции; ¦ ¦
¦ ¦б) абсорберы, не имеющие магнитных¦ ¦
¦ ¦потерь, рабочая поверхность которых не¦ ¦
¦ ¦является плоской, включая пирамиды,¦ ¦
¦ ¦конусы, клинья и спиралевидные¦ ¦
¦ ¦поверхности; ¦ ¦
¦ ¦в) плоские абсорберы, имеющие все¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) изготовленные из любых следующих¦ ¦
¦ ¦материалов: ¦ ¦
¦ ¦пенопластических материалов (гибких или¦ ¦
¦ ¦негибких) с углеродным наполнением или¦ ¦
¦ ¦органических материалов, включая¦ ¦
¦ ¦связывающие присадки, обеспечивающих¦ ¦
¦ ¦коэффициент отражения более 5% по¦ ¦
¦ ¦сравнению с металлом в диапазоне волн,¦ ¦
¦ ¦отличающихся от центральной частоты¦ ¦
¦ ¦падающей энергии более чем на +/- 15%,¦ ¦
¦ ¦и не способных противостоять¦ ¦
¦ ¦температурам, превышающим 450 К¦ ¦
¦ ¦(177 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦керамических материалов, обеспечивающих¦ ¦
¦ ¦более чем 20% отражение по сравнению с¦ ¦
¦ ¦металлом в диапазоне волн, отличающихся¦ ¦
¦ ¦от центральной частоты падающей энергии¦ ¦
¦ ¦более чем на +/- 15%, и не способных¦ ¦
¦ ¦противостоять температурам, превышающим¦ ¦
¦ ¦800 К (527 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Образцы¦ ¦
¦ ¦для проведения испытаний на поглощение¦ ¦
¦ ¦по последнему подпункту примечания к¦ ¦
¦ ¦пункту 1.3.1.1 должны иметь форму¦ ¦
¦ ¦квадрата со стороной не менее пяти¦ ¦
¦ ¦длин волн на центральной частоте,¦ ¦
¦ ¦расположенной в дальней зоне¦ ¦
¦ ¦излучающего элемента ¦ ¦
¦ ¦2) с прочностью на растяжение менее 7 х¦ ¦
¦ ¦1E6 Н/кв. м; и ¦ ¦
¦ ¦3) с прочностью на сжатие менее 14 х¦ ¦
¦ ¦1E6 Н/кв. м ¦ ¦
¦ ¦г) плоские абсорберы, выполненные из¦ ¦
¦ ¦спеченного феррита, имеющие: ¦ ¦
¦ ¦1) удельный вес более 4,4; и ¦ ¦
¦ ¦2) максимальную рабочую температуру¦ ¦
¦ ¦548 К (275 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание 2. Магнитные материалы¦ ¦
¦ ¦для обеспечения поглощения волн,¦ ¦
¦ ¦указанные в примечании 1 к пункту¦ ¦
¦ ¦1.3.1.1, не освобождаются от контроля,¦ ¦
¦ ¦если они содержатся в красках; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.2. ¦Материалы для поглощения волн на¦3815 19; ¦
¦ ¦частотах, превышающих 1,5 x 1E14 Гц,¦3910 00 000 0 ¦
¦ ¦но меньших 3,7 x 1E14 Гц, и¦ ¦
¦ ¦непрозрачные для видимого света; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.3. ¦Электропроводящие полимерные материалы¦ ¦
¦ ¦с объемной электропроводностью свыше¦ ¦
¦ ¦10000 См/м или поверхностным удельным¦ ¦
¦ ¦сопротивлением менее 100 Ом/кв. м,¦ ¦
¦ ¦выполненные на основе любого из¦ ¦
¦ ¦следующих полимеров: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.3.1. ¦Полианилина; ¦3909 30 000 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.3.2. ¦Полипиррола; ¦3911 90 990 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.3.3. ¦Политиофена; ¦3911 90 990 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.3.4. ¦Полифенилен-винилена; или ¦3911 90 990 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.1.3.5. ¦Политиенилен-винилена ¦3919 90 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Объемная¦ ¦
¦ ¦электропроводность и поверхностное¦ ¦
¦ ¦удельное сопротивление должны¦ ¦
¦ ¦определяться в соответствии со¦ ¦
¦ ¦стандартной методикой ASTM D-257 или ее¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2. ¦Металлические сплавы, порошки¦ ¦
¦ ¦металлических сплавов или сплавленные¦ ¦
¦ ¦материалы следующего типа: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются металлические сплавы,¦ ¦
¦ ¦порошки металлических сплавов или¦ ¦
¦ ¦сплавленные материалы, предназначенные¦ ¦
¦ ¦для грунтующих покрытий ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1. ¦Металлические сплавы, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.1. ¦Нижеперечисленные сплавы на основе¦ ¦
¦ ¦никеля или титана в форме алюминидов в¦ ¦
¦ ¦виде сырья или полуфабрикатов: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.1.1. ¦Никелевые алюминиды, содержащие¦7502 20 000 0 ¦
¦ ¦минимально 15% (по весу), максимально¦ ¦
¦ ¦38% (по весу) алюминия и не менее¦ ¦
¦ ¦одного дополнительного элемента сплава;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.1.2. ¦Титановые алюминиды, содержащие 10% (по¦8108 20 000 ¦
¦ ¦весу) или более алюминия и не менее¦ ¦
¦ ¦одного дополнительного элемента сплава ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.2. ¦Металлические сплавы, изготовленные из¦7502 20 000 0 ¦
¦ ¦порошкового металлического сплава или¦ ¦
¦ ¦имеющие вкрапления материалов,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 1.3.2.2,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.2.1. ¦Никелевые сплавы: ¦7502 20 000 0 ¦
¦ ¦а) со сроком эксплуатации 10000 часов¦ ¦
¦ ¦или более до разрыва в условиях¦ ¦
¦ ¦нагружения на уровне 676 МПа при¦ ¦
¦ ¦температуре 923 К (650 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦б) с низким показателем циклической¦ ¦
¦ ¦усталости, 10000 циклов или более, при¦ ¦
¦ ¦температуре 823 К (550 град. C) и¦ ¦
¦ ¦максимальном нагружении 1095 МПа; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.2.2. ¦Ниобиевые сплавы: ¦8112 92 310 0;¦
¦ ¦а) со сроком эксплуатации 10000 часов¦8112 99 300 0 ¦
¦ ¦или более до разрыва в условиях¦ ¦
¦ ¦нагружения на уровне 400 МПа при¦ ¦
¦ ¦температуре 1073 К (800 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦б) с низким показателем циклической¦ ¦
¦ ¦усталости, 10000 циклов или более, при¦ ¦
¦ ¦температуре 973 К (700 град. C) и¦ ¦
¦ ¦максимальном нагружении 700 МПа; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.2.3. ¦Титановые сплавы: ¦8108 20 000 ¦
¦ ¦а) со сроком эксплуатации 10000 часов¦ ¦
¦ ¦или более до разрыва в условиях¦ ¦
¦ ¦нагружения на уровне 200 МПа при¦ ¦
¦ ¦температуре 723 К (450 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦б) с низким показателем циклической¦ ¦
¦ ¦усталости, 10000 циклов или более, при¦ ¦
¦ ¦температуре 723 К (450 град. C) и¦ ¦
¦ ¦максимальном нагружении 400 МПа; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.2.4. ¦Алюминиевые сплавы с пределом прочности¦7601 20; ¦
¦ ¦на растяжение: ¦7604 29 100 0;¦
¦ ¦а) 240 МПа или более при температуре¦7608 20 910 0;¦
¦ ¦473 К (200 град. C); или ¦7608 20 990 0 ¦
¦ ¦б) 415 МПа или более при температуре¦ ¦
¦ ¦298 К (25 град. C); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.1.2.5. ¦Магниевые сплавы с пределом прочности¦8104 ¦
¦ ¦на растяжение 345 МПа или более и¦ ¦
¦ ¦скоростью коррозии менее 1 мм в год в¦ ¦
¦ ¦3-процентном водном растворе хлорида¦ ¦
¦ ¦натрия, измеренной в соответствии со¦ ¦
¦ ¦стандартной методикой ASTM G-31 или ее¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания. ¦ ¦
¦ ¦1. К металлическим сплавам, указанным в¦ ¦
¦ ¦пункте 1.3.2.1, относятся те, которые¦ ¦
¦ ¦содержат больший процент (по весу)¦ ¦
¦ ¦указанного металла, чем других¦ ¦
¦ ¦элементов ¦ ¦
¦ ¦2. Срок эксплуатации до разрыва следует¦ ¦
¦ ¦определять в соответствии со¦ ¦
¦ ¦стандартной методикой ASTM E-139 или ее¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом ¦ ¦
¦ ¦3. Показатель циклической усталости¦ ¦
¦ ¦должен определяться в соответствии со¦ ¦
¦ ¦стандартной методикой ASTM E-606¦ ¦
¦ ¦"Рекомендаций по тестированию на¦ ¦
¦ ¦усталость при небольшом количестве¦ ¦
¦ ¦циклов и постоянной амплитуде" или ее¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом. Тестирование¦ ¦
¦ ¦следует производить в осевом¦ ¦
¦ ¦направлении при среднем значении¦ ¦
¦ ¦показателя нагрузки, равном единице, и¦ ¦
¦ ¦коэффициенте концентрации нагрузки¦ ¦
¦ ¦(Kt), равном единице. Средняя нагрузка¦ ¦
¦ ¦определяется как частное от деления¦ ¦
¦ ¦разности максимальной и минимальной¦ ¦
¦ ¦нагрузок на максимальную нагрузку ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2. ¦Порошки металлических сплавов или¦ ¦
¦ ¦частицы материала для материалов,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 1.3.2.1,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.1. ¦Изготовленные из любых следующих¦ ¦
¦ ¦композиционных систем: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. X в¦ ¦
¦ ¦дальнейшем соответствует одному или¦ ¦
¦ ¦более элементам, входящим в состав¦ ¦
¦ ¦сплава ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.1.1. ¦Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al),¦7504 00 000 0 ¦
¦ ¦квалифицированные для использования в¦ ¦
¦ ¦составе частей или компонентов турбин¦ ¦
¦ ¦двигателей, т.е. менее чем с тремя¦ ¦
¦ ¦неметаллическими частицами (введенными¦ ¦
¦ ¦в процессе производства) крупнее 100¦ ¦
¦ ¦мкм в 1E9 частицах сплава; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.1.2. ¦Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al,¦8112 92 310 0;¦
¦ ¦Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или¦8112 99 300 0 ¦
¦ ¦Nb-X-Ti); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.1.3. ¦Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);¦8108 20 000 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.1.4. ¦Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или¦7603 ¦
¦ ¦Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X¦ ¦
¦ ¦или Al-X-Fe); или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.1.5. ¦Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al);¦8104 30 000 0 ¦
¦ ¦и ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.2.2. ¦Изготовленные в контролируемой среде¦ ¦
¦ ¦при помощи одного из нижеследующих¦ ¦
¦ ¦процессов: ¦ ¦
¦ ¦а) вакуумного распыления; ¦ ¦
¦ ¦б) газового распыления; ¦ ¦
¦ ¦в) центробежного распыления; ¦ ¦
¦ ¦г) резкого охлаждения; ¦ ¦
¦ ¦д) спиннингования расплава и¦ ¦
¦ ¦кристаллизации; ¦ ¦
¦ ¦е) экстракции расплава и¦ ¦
¦ ¦кристаллизации; или ¦ ¦
¦ ¦ж) механического легирования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.2.3. ¦Сплавленные материалы в виде¦7503 00 900 0;¦
¦ ¦неизмельченных чешуек, ленты или тонких¦7504 00 000 0;¦
¦ ¦стержней, изготавливаемых в¦7505 12 000 0;¦
¦ ¦контролируемой среде методом резкого¦7506; ¦
¦ ¦охлаждения, спиннингования расплава или¦7606 12 910 0;¦
¦ ¦экстракцией расплава, используемые при¦7606 92 000 0;¦
¦ ¦производстве порошка для металлических¦7607 19; ¦
¦ ¦сплавов или частиц материалов,¦7603 20 000 0;¦
¦ ¦контролируемых по пункту 1.3.2.2 ¦7604 29 100 0;¦
¦ ¦ ¦8104 30 000 0;¦
¦ ¦ ¦8104 90 000 0;¦
¦ ¦ ¦8108 20 000; ¦
¦ ¦ ¦8108 30 000 0;¦
¦ ¦ ¦8108 90 300 0;¦
¦ ¦ ¦8112 92 310 0;¦
¦ ¦ ¦8112 92 390 0;¦
¦ ¦ ¦8112 99 300 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.3. ¦Магнитные материалы всех типов и любой¦ ¦
¦ ¦формы, имеющие какую-нибудь из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.3.1. ¦Начальную относительную магнитную¦8505 11 000 0;¦
¦ ¦проницаемость 120000 или более и¦8505 19 100 0;¦
¦ ¦толщину 0,05 мм или менее ¦8505 19 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Замер¦ ¦
¦ ¦начальной относительной магнитной¦ ¦
¦ ¦проницаемости должен осуществляться с¦ ¦
¦ ¦использованием полностью отожженных¦ ¦
¦ ¦материалов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.3.2. ¦Магнитострикционные сплавы, имеющие¦7206 90 000 0 ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) магнитострикционное насыщение более¦ ¦
¦ ¦5 x 1E(-4); или ¦ ¦
¦ ¦б) коэффициент магнитомеханического¦ ¦
¦ ¦сцепления (к) более 0,8; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.3.3. ¦Аморфная или нанокристаллическая¦7206; ¦
¦ ¦лента сплава, имеющая все следующие¦7506; ¦
¦ ¦характеристики: ¦8105 ¦
¦ ¦а) состав минимум 75% (по весу)¦ ¦
¦ ¦железа, кобальта или никеля; ¦ ¦
¦ ¦б) магнитную индукцию насыщения (Bs)¦ ¦
¦ ¦1,6 Т или более; и ¦ ¦
¦ ¦в) любое из нижеследующего: ¦ ¦
¦ ¦1) толщину ленты не более 0,02 мм; или ¦ ¦
¦ ¦2) удельное электрическое сопротивление¦ ¦
¦ ¦2 x 1E(-4) Ом/см или более ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Нанокристаллические¦ ¦
¦ ¦материалы, указанные в пункте 1.3.3.3,¦ ¦
¦ ¦являются материалами, имеющими¦ ¦
¦ ¦кристаллические зерна размером 50 нм¦ ¦
¦ ¦или менее, что определяется дифракцией¦ ¦
¦ ¦Х-лучей ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.4. ¦Урано-титановые сплавы или¦2844 10 900 0;¦
¦ ¦вольфрамовые сплавы с матрицей на¦8108 20 000; ¦
¦ ¦основе железа, никеля или меди,¦8101 99 000 0 ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) плотность свыше 17,5 г/куб. см; ¦ ¦
¦ ¦б) предел упругости свыше 880 МПа; ¦ ¦
¦ ¦в) предел прочности на растяжение более¦ ¦
¦ ¦1270 МПа; ¦ ¦
¦ ¦г) относительное удлинение свыше 8% ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.5. ¦Сверхпроводящие композиционные¦ ¦
¦ ¦материалы длиной более 100 м или¦ ¦
¦ ¦массой, превышающей 100 г, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.5.1. ¦Многожильные сверхпроводящие¦8112 99 300 0;¦
¦ ¦композиционные материалы, содержащие¦8544 19 900 0 ¦
¦ ¦одну или несколько ниобиево-титановых¦ ¦
¦ ¦нитей: ¦ ¦
¦ ¦а) уложенные в матрицу не из меди или¦ ¦
¦ ¦не на основе медьсодержащего материала;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие площадь поперечного сечения¦ ¦
¦ ¦менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм (6 мкм в¦ ¦
¦ ¦диаметре при нитях круглого сечения); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.5.2. ¦Сверхпроводящие композиционные¦8544 19 900 0 ¦
¦ ¦материалы, состоящие из одной или более¦ ¦
¦ ¦сверхпроводящих нитей, выполненных не¦ ¦
¦ ¦из ниобий-титана, имеющие все¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) с критической температурой при¦ ¦
¦ ¦нулевой магнитной индукции, превышающей¦ ¦
¦ ¦9,85 K (-263,31 град. C), но не ниже¦ ¦
¦ ¦24 K (-249,16 град. C); ¦ ¦
¦ ¦б) площадь поперечного сечения менее¦ ¦
¦ ¦0,28 x 1E(-4) кв. мм; и ¦ ¦
¦ ¦в) остающиеся в состоянии¦ ¦
¦ ¦сверхпроводимости при температуре 4,2 K¦ ¦
¦ ¦(-268,96 град. C), находясь в магнитном¦ ¦
¦ ¦поле, соответствующем магнитной¦ ¦
¦ ¦индукции 12 Т ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6. ¦Жидкости и смазочные материалы, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.1. ¦Гидравлические жидкости, содержащие в¦ ¦
¦ ¦качестве основных составляющих любые из¦ ¦
¦ ¦следующих веществ и материалов: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.1.1. ¦Синтетические кремний-углеводородные¦3910 00 000 0 ¦
¦ ¦масла, имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) точку возгорания свыше 477 K¦ ¦
¦ ¦(204 град. C); ¦ ¦
¦ ¦б) точку застывания 239 K (-34 град. C)¦ ¦
¦ ¦или ниже; ¦ ¦
¦ ¦в) коэффициент вязкости 75 или более; ¦ ¦
¦ ¦г) термостабильность при 616 K¦ ¦
¦ ¦(343 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.1.2. ¦Хлоро-фторуглероды, имеющие все¦2812; ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦2826; ¦
¦ ¦ ¦2903 41 000 0;¦
¦ ¦ ¦2903 42 000 0;¦
¦ ¦ ¦2903 43 000 0;¦
¦ ¦ ¦2903 44; ¦
¦ ¦ ¦2903 45; ¦
¦ ¦ ¦3819 00 000 0;¦
¦ ¦ ¦3824 71 000 0 ¦
¦ ¦а) точка возгорания отсутствует; ¦ ¦
¦ ¦б) температуру самовоспламенения свыше¦ ¦
¦ ¦977 K (704 град. C); ¦ ¦
¦ ¦в) точку застывания 219 K (-54 град. C)¦ ¦
¦ ¦или ниже; ¦ ¦
¦ ¦г) коэффициент вязкости 80 или более; и¦ ¦
¦ ¦д) точку кипения 473 K (200 град. C)¦ ¦
¦ ¦или более ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1. Для¦ ¦
¦ ¦целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1,¦ ¦
¦ ¦кремний-углеводородные масла содержат¦ ¦
¦ ¦исключительно кремний, водород и¦ ¦
¦ ¦углерод ¦ ¦
¦ ¦2. Для целей, указанных в пункте¦ ¦
¦ ¦1.3.6.1.2, хлоро-фторуглероды¦ ¦
¦ ¦содержат исключительно углерод, фтор и¦ ¦
¦ ¦хлор ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.2. ¦Смазочные материалы, содержащие в¦ ¦
¦ ¦качестве основных составляющих¦ ¦
¦ ¦следующие вещества или материалы: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.2.1. ¦Фениленовые или алкилфениленовые эфиры¦2909 30 900 0;¦
¦ ¦или тиоэфиры или их смеси, содержащие¦2930 90 700 0 ¦
¦ ¦более двух эфирных или тиоэфирных¦ ¦
¦ ¦функций или их смесей; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.2.2. ¦Фторированные кремнийсодержащие¦3910 00 000 0 ¦
¦ ¦жидкости, характеризуемые¦ ¦
¦ ¦кинематической вязкостью менее¦ ¦
¦ ¦5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при¦ ¦
¦ ¦температуре 298 K (25 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.3. ¦Увлажняющие или флотирующие жидкости с¦ ¦
¦ ¦показателем чистоты более 99,8%,¦ ¦
¦ ¦содержащие менее 25 частиц размером¦ ¦
¦ ¦200 мкм или более на 100 мл и¦ ¦
¦ ¦изготовленные по меньшей мере на 85%¦ ¦
¦ ¦из любых следующих соединений и¦ ¦
¦ ¦материалов: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.3.1. ¦Дибромтетрафторэтана; ¦2903 46 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.3.2. ¦Полихлортрифторэтилена (только¦3904 69 900 0 ¦
¦ ¦маслянистые и воскообразные¦ ¦
¦ ¦модификации); или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.3.3. ¦Полибромтрифторэтилена ¦3904 69 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4. ¦Фторуглеродные охлаждающие жидкости для¦2903 41 000 0;¦
¦ ¦электроники, имеющие все следующие¦2903 42 000 0;¦
¦ ¦характеристики: ¦2903 45 100 0;¦
¦ ¦ ¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.1. ¦Содержащие 85% (по весу) или более¦ ¦
¦ ¦любого из следующих веществ или их¦ ¦
¦ ¦смесей: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.1.1. ¦Мономерных форм¦ ¦
¦ ¦перфторполиалкилэфиртриазинов или¦ ¦
¦ ¦перфторалифатических эфиров; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.1.2. ¦Перфторалкиламинов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.1.3. ¦Перфторциклоалканов; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.1.4. ¦Перфторалканов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.2. ¦Плотность 1,5 г/мл или более при 298 K¦ ¦
¦ ¦(25 град. C); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.3. ¦Жидкое состояние при 273 K (0 град. C);¦ ¦
¦ ¦и ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.6.4.4. ¦Содержащие 60% (по весу) или более¦ ¦
¦ ¦фтора ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Для целей,¦ ¦
¦ ¦указанных в пункте 1.3.6: ¦ ¦
¦ ¦а) точка возгорания определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием метода Кливлендской¦ ¦
¦ ¦открытой чашки, описанного в¦ ¦
¦ ¦стандартной методике ASTM D-92 или ее¦ ¦
¦ ¦национальных эквивалентах; ¦ ¦
¦ ¦б) точка плавления определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием специального метода,¦ ¦
¦ ¦описанного в стандартной методике ASTM¦ ¦
¦ ¦D-97 или ее национальных эквивалентах; ¦ ¦
¦ ¦в) коэффициент вязкости определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием специального метода,¦ ¦
¦ ¦описанного в стандартной методике ASTM¦ ¦
¦ ¦D-2270 или ее национальных¦ ¦
¦ ¦эквивалентах; ¦ ¦
¦ ¦г) термостабильность определяется в¦ ¦
¦ ¦соответствии со следующей методикой¦ ¦
¦ ¦испытаний или ее национальными¦ ¦
¦ ¦эквивалентами: 20 мл испытуемой¦ ¦
¦ ¦жидкости помещаются в камеру объемом¦ ¦
¦ ¦46 мл из нержавеющей стали типа 317,¦ ¦
¦ ¦содержащую шары номинального диаметра¦ ¦
¦ ¦12,5 мм из инструментальной стали М-10,¦ ¦
¦ ¦стали марки 52100 и корабельной бронзы¦ ¦
¦ ¦(60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn); камера¦ ¦
¦ ¦продута азотом, загерметизирована при¦ ¦
¦ ¦давлении, равном атмосферному, и¦ ¦
¦ ¦температуре, повышенной до¦ ¦
¦ ¦(644 +/- 6) K [(371 +/- 6 град. C)] и¦ ¦
¦ ¦выдерживаемой в течение шести часов;¦ ¦
¦ ¦образец признается термостабильным,¦ ¦
¦ ¦если по завершении вышеописанной¦ ¦
¦ ¦процедуры выполняются следующие¦ ¦
¦ ¦условия: ¦ ¦
¦ ¦1) потеря веса каждого шара не¦ ¦
¦ ¦превышает 10 мг/кв. мм его поверхности;¦ ¦
¦ ¦2) изменение первоначальной вязкости,¦ ¦
¦ ¦определенной при 311 K (38 град. C), не¦ ¦
¦ ¦превышает 25%; ¦ ¦
¦ ¦3) общее кислотное или базовое число не¦ ¦
¦ ¦превышает 0,40; ¦ ¦
¦ ¦д) температура автогенного¦ ¦
¦ ¦воспламенения определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием специального метода,¦ ¦
¦ ¦описанного в стандартной методике ASTM¦ ¦
¦ ¦E-659 или ее национальных эквивалентах ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7. ¦Материалы на керамической основе,¦ ¦
¦ ¦некомпозиционные керамические¦ ¦
¦ ¦материалы, композиционные материалы с¦ ¦
¦ ¦керамической матрицей и материалы-¦ ¦
¦ ¦предшественники, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.1. ¦Основные материалы из простых или¦2850 00 900 0 ¦
¦ ¦сложных боридов титана, имеющие¦ ¦
¦ ¦суммарно металлические примеси,¦ ¦
¦ ¦исключая специальные добавки, на уровне¦ ¦
¦ ¦менее 5000 частиц на миллион, при¦ ¦
¦ ¦среднем размере частицы равном или¦ ¦
¦ ¦меньшем 5 мкм, и при этом не более 10%¦ ¦
¦ ¦частиц имеют размер более 10 мкм; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.2. ¦Некомпозиционные керамические материалы¦2850 00 900 0 ¦
¦ ¦в сыром виде или в виде полуфабриката¦ ¦
¦ ¦на основе боридов титана с плотностью¦ ¦
¦ ¦98% или более от теоретического¦ ¦
¦ ¦предела ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.7.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются абразивы; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.3. ¦Композиционные материалы типа¦2849; ¦
¦ ¦керамика - керамика со стеклянной или¦2850 00; ¦
¦ ¦оксидной матрицей, укрепленные¦8803 90 980 0;¦
¦ ¦волокнами, имеющими удельную прочность¦9306 90 ¦
¦ ¦на растяжение 12,7 х 1E3 м, любой из¦ ¦
¦ ¦нижеследующих систем: ¦ ¦
¦ ¦а) Si-N; ¦ ¦
¦ ¦б) Si-C; ¦ ¦
¦ ¦в) Si-Al-O-N; или ¦ ¦
¦ ¦г) Si-O-N; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.4. ¦Композиционные материалы типа¦2849 20 000 0;¦
¦ ¦керамика - керамика с постоянной¦2849 90 100 0;¦
¦ ¦металлической фазой или без нее,¦2850 00 200 0;¦
¦ ¦включающие частицы, нитевидные¦3926 90 100 0;¦
¦ ¦кристаллы или волокна, в которых¦8109 90 000 0;¦
¦ ¦матрица образована из карбидов или¦8803 90 980 0;¦
¦ ¦нитридов кремния, циркония или бора; ¦9306 90 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.5. ¦Материалы-предшественники (т.е.¦3910 00 000 0 ¦
¦ ¦полимерные или металлоорганические¦ ¦
¦ ¦материалы специализированного¦ ¦
¦ ¦назначения) для производства какой-либо¦ ¦
¦ ¦фазы или фаз материалов, контролируемых¦ ¦
¦ ¦по пункту 1.3.7.3, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦а) полидиорганосиланы (для производства¦ ¦
¦ ¦карбида кремния); ¦ ¦
¦ ¦б) полисилазаны (для производства¦ ¦
¦ ¦нитрида кремния); ¦ ¦
¦ ¦в) поликарбосилазаны (для производства¦ ¦
¦ ¦керамики с кремниевыми, углеродными или¦ ¦
¦ ¦азотными компонентами); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.6. ¦Композиционные материалы типа¦6903; ¦
¦ ¦керамика - керамика с оксидными или¦6914 90 900 0 ¦
¦ ¦стеклянными матрицами, укрепленные¦ ¦
¦ ¦непрерывными волокнами любой из¦ ¦
¦ ¦следующих систем: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.6.1. ¦Al2O3; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.7.6.2. ¦Si-C-№ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.7.6 не¦ ¦
¦ ¦контролируются композиционные¦ ¦
¦ ¦материалы, содержащие волокна из этих¦ ¦
¦ ¦систем, имеющие предел прочности на¦ ¦
¦ ¦растяжение менее 700 МПа при 1273 K¦ ¦
¦ ¦(1000 град. C) или относительное¦ ¦
¦ ¦удлинение более 1% при нагрузке 100 МПа¦ ¦
¦ ¦и 1273 K (1000 град. C) за 100 ч ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8. ¦Полимерные вещества, не содержащие¦ ¦
¦ ¦фтор, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.1.1. ¦Бисмалеимиды; ¦2925 19 950 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.1.2. ¦Ароматические полиамидимиды; ¦3908 90 000 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.1.3. ¦Ароматические полиимиды; ¦3909 30 000 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.1.4. ¦Ароматические полиэфиримиды, имеющие¦3907 20 990 0;¦
¦ ¦температуру перехода в стеклообразное¦3907 91 900 0 ¦
¦ ¦состояние (Tg) более 513 K¦ ¦
¦ ¦(240 град. C), измеренную сухим¦ ¦
¦ ¦методом, описанным в стандартной¦ ¦
¦ ¦методике ASTM D 3418 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.8.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются неплавкие порошки для¦ ¦
¦ ¦формообразования под давлением или¦ ¦
¦ ¦фасонных форм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.2. ¦Термопластичные жидкокристаллические¦3907 91 900 0 ¦
¦ ¦сополимеры, имеющие температуру¦ ¦
¦ ¦тепловой деформации более 523 K¦ ¦
¦ ¦(250 град. C), измеренную в¦ ¦
¦ ¦соответствии со стандартной методикой¦ ¦
¦ ¦ASTM D-648, метод А, или ее¦ ¦
¦ ¦национальными эквивалентами, при¦ ¦
¦ ¦нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и образованные¦ ¦
¦ ¦сочетанием: ¦ ¦
¦ ¦а) любого из следующих веществ: ¦ ¦
¦ ¦1) фенилена, бифенилена или нафталина;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦2) метила, тетрабутила или фенил-¦ ¦
¦ ¦замещенного фенилена, бифенилена или¦ ¦
¦ ¦нафталина; и ¦ ¦
¦ ¦б) любой из следующих кислот: ¦ ¦
¦ ¦1) терефталиковой кислоты; ¦ ¦
¦ ¦2) 6-гидроксил-2 нафтоиковой кислоты; ¦ ¦
¦ ¦3) 4-гидроксил бензойной кислоты; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.3. ¦Полиариленовые эфирные кетоны, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.3.1. ¦Полиэфироэфирокетон (ПЭЭК); ¦3907 91 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.3.2. ¦Полиэфирокетон-кетон (ПЭКК); ¦3907 91 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.3.3. ¦Полиэфирокетон (ПЭК); ¦3907 91 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.3.4. ¦Полиэфирокетон эфирокетон-кетон¦3907 91 900 0 ¦
¦ ¦(ПЭКЭКК) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.4. ¦Полиариленовые кетоны; ¦3907 99 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.5. ¦Полиариленовые сульфиды, где ариленовая¦3911 90 190 0 ¦
¦ ¦группа представляет собой бифенилен,¦ ¦
¦ ¦трифенилен или их комбинации; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.8.6. ¦Полибифениленэфирсульфон ¦3911 90 190 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Температура¦ ¦
¦ ¦перехода в стеклообразное состояние¦ ¦
¦ ¦(Tg) для материалов, контролируемых по¦ ¦
¦ ¦пункту 1.3.8, определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием метода, описанного в¦ ¦
¦ ¦стандартной методике ASTM D 3418,¦ ¦
¦ ¦применяющей сухой метод ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.9. ¦Необработанные соединения фтора, такие,¦3904 69 900 0 ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦а) сополимеры винилидена фторида,¦ ¦
¦ ¦содержащие 75% или более структуры¦ ¦
¦ ¦бета-кристаллина, полученной без¦ ¦
¦ ¦вытягивания; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦б) фтористые полиимиды, содержащие 10%¦ ¦
¦ ¦(по весу) или более связанного фтора; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в) фтористые фосфазеновые эластомеры,¦ ¦
¦ ¦содержащие 30% (по весу) или более¦ ¦
¦ ¦связанного фтора ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10. ¦Нитевидные или волокнистые материалы,¦ ¦
¦ ¦которые могут быть использованы в¦ ¦
¦ ¦органических, металлических или¦ ¦
¦ ¦углеродных матричных композиционных¦ ¦
¦ ¦материалах или слоистых структурах,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.1. ¦Органические волокнистые или нитевидные¦3926 90 100 0 ¦
¦ ¦материалы, имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) удельный модуль упругости свыше 12,7¦ ¦
¦ ¦x 1E6 м; и ¦ ¦
¦ ¦б) удельную прочность на растяжение¦ ¦
¦ ¦свыше 23,5 x 1E4 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.10.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируется полиэтилен; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.2. ¦Углеродные волокнистые или нитевидные¦3801; ¦
¦ ¦материалы, имеющие все следующие¦3926 90 100 0;¦
¦ ¦характеристики: ¦5402 10 100 0;¦
¦ ¦а) удельный модуль упругости свыше 12,7¦5404 90 900 0;¦
¦ ¦x 1E6 м; и ¦6815 10 100 0;¦
¦ ¦б) удельную прочность на растяжение¦6903 10 000 0 ¦
¦ ¦свыше 23,5 x 1E4 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Свойства¦ ¦
¦ ¦материалов, указанных в пункте¦ ¦
¦ ¦1.3.10.2, должны определяться методами¦ ¦
¦ ¦12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми¦ ¦
¦ ¦Ассоциацией производителей¦ ¦
¦ ¦усовершенствованных композиционных¦ ¦
¦ ¦материалов (SACMA), или их¦ ¦
¦ ¦национальными эквивалентами и должны¦ ¦
¦ ¦основываться на средних значениях из¦ ¦
¦ ¦большого количества опытов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.10.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются изделия, изготовленные¦ ¦
¦ ¦из волокнистых или нитевидных¦ ¦
¦ ¦материалов, для ремонта структур¦ ¦
¦ ¦летательных аппаратов или ламинаты, у¦ ¦
¦ ¦которых размеры единичных листов не¦ ¦
¦ ¦превышают 50 x 90 см; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.3. ¦Неорганические волокнистые или¦3926 90 100 0;¦
¦ ¦нитевидные материалы, имеющие все¦8101 95 000 0;¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦8108 90 300 0 ¦
¦ ¦а) удельный модуль упругости,¦- ¦
¦ ¦превышающий 2,54 x 1E6 м; и ¦8108 90 700 0 ¦
¦ ¦б) точку плавления, размягчения,¦ ¦
¦ ¦разложения или сублимации в инертной¦ ¦
¦ ¦среде, превышающую 1922 K (1649 град.¦ ¦
¦ ¦C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.10.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) дискретные, многофазные,¦ ¦
¦ ¦поликристаллические волокна глинозема,¦ ¦
¦ ¦содержащие 3% или более (по весу)¦ ¦
¦ ¦кремнезема, имеющие удельный модуль¦ ¦
¦ ¦упругости менее 10 x 1E6 м; ¦ ¦
¦ ¦б) молибденовые волокна и волокна из¦ ¦
¦ ¦молибденовых сплавов; ¦ ¦
¦ ¦в) волокна на основе бора; ¦ ¦
¦ ¦г) дискретные керамические волокна с¦ ¦
¦ ¦температурой плавления, размягчения,¦ ¦
¦ ¦разложения или сублимации в инертной¦ ¦
¦ ¦среде менее 2043 K (1770 град. C); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.4. ¦Волокнистые или нитевидные материалы: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.4.1. ¦Изготовленные из любого из следующих¦ ¦
¦ ¦материалов: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.4.1.1.¦Полиэфиримидов, контролируемых по¦5402 20 000 0;¦
¦ ¦пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или ¦5402 49 990 0;¦
¦ ¦ ¦5501 90 900 0;¦
¦ ¦ ¦5502 00 800 0;¦
¦ ¦ ¦5503 90 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.4.1.2.¦Материалов, контролируемых по пунктам¦5402 20 000 0;¦
¦ ¦1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 1.3.8.5 или¦5402 49 990 0;¦
¦ ¦1.3.8.6; или ¦5501 90 900 0;¦
¦ ¦ ¦5502 00 800 0;¦
¦ ¦ ¦5503 90 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.4.2. ¦Изготовленные из материалов,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пунктам 1.3.10.4.1.1¦ ¦
¦ ¦или 1.3.10.4.1.2, и связанные с¦ ¦
¦ ¦волокнами других типов, контролируемых¦ ¦
¦ ¦по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или¦ ¦
¦ ¦1.3.10.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.10.5. ¦Волокна, импрегнированные смолой или¦3801; ¦
¦ ¦пеком (препреги), волокна, покрытые¦3926 90 100 0;¦
¦ ¦металлом или углеродом (преформы), или¦6815 10 100 0;¦
¦ ¦преформы углеродных волокон следующего¦6815 10 900; ¦
¦ ¦типа: ¦6815 99 900 0;¦
¦ ¦а) изготовленные из волокнистых или¦6903 10 000 0;¦
¦ ¦нитевидных материалов, контролируемых¦7019 11 000 0;¦
¦ ¦по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или¦7019 12 000 0;¦
¦ ¦1.3.10.3; ¦7019 19; ¦
¦ ¦б) изготовленные из органических или¦7019 40 000 0;¦
¦ ¦углеродных волокнистых или нитевидных¦7019 51 000 0;¦
¦ ¦материалов: ¦7019 52 000 0;¦
¦ ¦1) с удельной прочностью на растяжение,¦7019 59 000 0 ¦
¦ ¦превышающей 17,7 x 1E4 м; ¦ ¦
¦ ¦2) с удельным модулем упругости,¦ ¦
¦ ¦превышающим 10,15 x 1E6 м; ¦ ¦
¦ ¦3) не контролируемых по пунктам¦ ¦
¦ ¦1.3.10.1 или 1.3.10.2; и ¦ ¦
¦ ¦4) пропитанных материалами,¦ ¦
¦ ¦контролируемыми по пункту 1.3.8 или¦ ¦
¦ ¦подпункту "б" пункта 1.3.9, обладающими¦ ¦
¦ ¦температурой перехода в стеклообразное¦ ¦
¦ ¦состояние (Tg) свыше 383 K (110 град.¦ ¦
¦ ¦C), фенольными либо эпоксидными¦ ¦
¦ ¦смолами, имеющими температуру перехода¦ ¦
¦ ¦в стеклообразное состояние (Tg), равную¦ ¦
¦ ¦или превышающую 418 K (145 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.10.5 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) матрицы из эпоксидной смолы,¦ ¦
¦ ¦импрегнированные углеродными¦ ¦
¦ ¦волокнистыми или нитевидными¦ ¦
¦ ¦материалами (препрегами), для ремонта¦ ¦
¦ ¦структур летательных аппаратов или¦ ¦
¦ ¦ламинаты, у которых размер единичных¦ ¦
¦ ¦листов препрегов не превышает¦ ¦
¦ ¦50 x 90 см; ¦ ¦
¦ ¦б) препреги, импрегнированые фенольными¦ ¦
¦ ¦или эпоксидными смолами, имеющими¦ ¦
¦ ¦температуру перехода в стеклообразное¦ ¦
¦ ¦состояние (Tg) менее 433 K (160 град.¦ ¦
¦ ¦C) и температуру отверждения меньшую,¦ ¦
¦ ¦чем температура перехода¦ ¦
¦ ¦в стеклообразное состояние ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Температура¦ ¦
¦ ¦перехода в стеклообразное состояние¦ ¦
¦ ¦(Tg) для материалов, контролируемых по¦ ¦
¦ ¦пункту 1.3.10.5, определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием метода, описанного в¦ ¦
¦ ¦ASTM D 3418, с применением сухого¦ ¦
¦ ¦метода. Температура перехода в¦ ¦
¦ ¦стеклообразное состояние для фенольных¦ ¦
¦ ¦эпоксидных смол определяется с¦ ¦
¦ ¦использованием метода, описанного в¦ ¦
¦ ¦ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и¦ ¦
¦ ¦скорости нагрева 2 град. C в минуту,¦ ¦
¦ ¦с применением сухого метода ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1. Удельный¦ ¦
¦ ¦модуль упругости определяется как¦ ¦
¦ ¦модуль Юнга, выраженный в паскалях или¦ ¦
¦ ¦в Н/кв. м, деленный на удельный вес в¦ ¦
¦ ¦Н/куб. м, измеренные при температуре¦ ¦
¦ ¦(296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и¦ ¦
¦ ¦относительной влажности (50 +/- 5)% ¦ ¦
¦ ¦2. Удельная прочность на растяжение¦ ¦
¦ ¦определяется как критическая прочность¦ ¦
¦ ¦на разрыв, выраженная в паскалях или в¦ ¦
¦ ¦Н/кв. м, деленная на удельный вес в¦ ¦
¦ ¦Н/куб. м, измеренные при температуре¦ ¦
¦ ¦(296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и¦ ¦
¦ ¦относительной влажности (50 +/- 5)% ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.11. ¦Металлы и компаунды, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.11.1. ¦Металлы в виде частиц с размерами менее¦8104 30 000 0;¦
¦ ¦60 мкм, имеющие сферическую,¦8109 20 000 0 ¦
¦ ¦пылевидную, сфероидальную форму,¦ ¦
¦ ¦расслаивающиеся или молотые,¦ ¦
¦ ¦изготовленные из материала, содержащего¦ ¦
¦ ¦99% или более циркония, магния или их¦ ¦
¦ ¦сплавов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Металлы или сплавы,¦ ¦
¦ ¦указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат¦ ¦
¦ ¦контролю независимо от того,¦ ¦
¦ ¦инкапсулированы они или нет в алюминий,¦ ¦
¦ ¦магний, цирконий или бериллий; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. При ¦ ¦
¦ ¦определении содержания циркония в него¦ ¦
¦ ¦включается природная примесь гафния¦ ¦
¦ ¦(обычно 2 - 7%) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.11.2. ¦Бор или карбид бора чистотой 85% или¦2804 50 100 0;¦
¦ ¦выше и с размером частиц 60 мкм или¦2849 90 100 0 ¦
¦ ¦менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Металлы или сплавы,¦ ¦
¦ ¦указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат¦ ¦
¦ ¦контролю независимо от того,¦ ¦
¦ ¦инкапсулированы они или нет в алюминий,¦ ¦
¦ ¦магний, цирконий или бериллий; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.11.3. ¦Гуанидин нитрат ¦2825 10 000 0;¦
¦ ¦ ¦2834 29 800 0;¦
¦ ¦ ¦2904 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.11.4. ¦Нитрогуанидин (NQ) ¦2925 20 000 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.12. ¦Материалы, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Материалы, указанные в пункте 1.3.12,¦ ¦
¦ ¦обычно используются для ядерных¦ ¦
¦ ¦тепловых источников ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.12.1. ¦Плутоний в любой форме с содержанием¦2844 20 510 0;¦
¦ ¦изотопа плутония-238 более 50% (по¦2844 20 590 0;¦
¦ ¦весу) ¦2844 20 990 0;¦
¦ ¦ ¦2844 20 990 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.12.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) поставки, содержащие один грамм¦ ¦
¦ ¦плутония или менее; ¦ ¦
¦ ¦б) поставки, содержащие три¦ ¦
¦ ¦"эффективных грамма" плутония или менее¦ ¦
¦ ¦при использовании в качестве¦ ¦
¦ ¦чувствительного элемента в приборах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.3.12.2. ¦Предварительно очищенный нептуний-237 в¦2844 40 200 0;¦
¦ ¦любой форме ¦2844 40 300 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.3.12.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются поставки с содержанием в¦ ¦
¦ ¦один грамм нептуния-237 или менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.4.1. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированное или модифицированное¦ ¦
¦ ¦для разработки, производства или¦ ¦
¦ ¦применения оборудования,¦ ¦
¦ ¦контролируемого по пункту 1.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.4.2. ¦Программное обеспечение для разработки¦ ¦
¦ ¦органических матриц, металлических¦ ¦
¦ ¦матриц или углеродных матричных¦ ¦
¦ ¦ламинатов или композиционных материалов¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5. ¦Технология ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства оборудования или¦ ¦
¦ ¦материалов, контролируемых по пунктам¦ ¦
¦ ¦1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2¦ ¦
¦ ¦или 1.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2. ¦Другие технологии, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.1. ¦Технологии для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства полибензотиазолов или¦ ¦
¦ ¦полибензоксазолей; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.2. ¦Технологии для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства фтористых эластомерных¦ ¦
¦ ¦соединений, содержащих по крайней мере¦ ¦
¦ ¦один винилэфирный мономер; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.3. ¦Технологии для проектирования или¦ ¦
¦ ¦производства следующих базовых¦ ¦
¦ ¦материалов или некомпозиционных¦ ¦
¦ ¦керамических материалов: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.3.1. ¦Базовых материалов, обладающих всем¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленным: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.3.1.1. ¦Любой из следующих структур: ¦ ¦
¦ ¦а) простыми или сложными оксидами¦ ¦
¦ ¦циркония и сложными оксидами кремния¦ ¦
¦ ¦или алюминия; ¦ ¦
¦ ¦б) простыми нитридами бора (с¦ ¦
¦ ¦кубическими формами кристаллов); ¦ ¦
¦ ¦в) простыми или сложными карбидами¦ ¦
¦ ¦кремния или бора; или ¦ ¦
¦ ¦г) простыми или сложными нитридами¦ ¦
¦ ¦кремния; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.3.1.2. ¦Суммарными металлическими примесями,¦ ¦
¦ ¦исключая преднамеренно вносимые¦ ¦
¦ ¦добавки, в количестве, не превышающем: ¦ ¦
¦ ¦а) 1000 частей на миллион для простых¦ ¦
¦ ¦оксидов или карбидов; или ¦ ¦
¦ ¦б) 5000 частей на миллион для сложных¦ ¦
¦ ¦соединений или простых нитридов; и ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.3.1.3. ¦Являющихся любым из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) цирконием, имеющим средний размер¦ ¦
¦ ¦частиц, равный или меньший 1 мкм, и не¦ ¦
¦ ¦более 10% частиц с размером,¦ ¦
¦ ¦превышающим 5 мкм; ¦ ¦
¦ ¦б) другими базовыми материалами,¦ ¦
¦ ¦имеющими средний размер частиц, равный¦ ¦
¦ ¦или меньший 5 мкм, и не более 10%¦ ¦
¦ ¦частиц с размером, превышающим 10 мкм;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦в) имеющими все следующее: ¦ ¦
¦ ¦1) защитные пластинки с отношением¦ ¦
¦ ¦длины к толщине, превышающим значение¦ ¦
¦ ¦5; ¦ ¦
¦ ¦2) короткие стержни ("усы") с¦ ¦
¦ ¦отношением длины к диаметру,¦ ¦
¦ ¦превышающим значение 10 для диаметров¦ ¦
¦ ¦стержней менее 2 мкм; и ¦ ¦
¦ ¦3) длинные или рубленые волокна с¦ ¦
¦ ¦диаметром, меньшим 10 мкм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.3.2. ¦Некомпозиционных керамических¦ ¦
¦ ¦материалов, изготовленных из¦ ¦
¦ ¦материалов, указанных в пункте¦ ¦
¦ ¦1.5.2.3.1 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются абразивные материалы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.4. ¦Технологии для производства¦ ¦
¦ ¦ароматических полиамидных волокон; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.5. ¦Технологии для сборки, эксплуатации или¦ ¦
¦ ¦восстановления материалов,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 1.3.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦1.5.2.6. ¦Технологии для восстановления¦ ¦
¦ ¦композиционных материалов, слоистых¦ ¦
¦ ¦структур или материалов, контролируемых¦ ¦
¦ ¦по пунктам 1.1.2, 1.3.7 или 1.3.7.4 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 1.5.2.6 не¦ ¦
¦ ¦контролируются технологии для ремонта¦ ¦
¦ ¦структур гражданских летательных¦ ¦
¦ ¦аппаратов, использующие углеродные¦ ¦
¦ ¦волокнистые или нитевидные материалы и¦ ¦
¦ ¦эпоксидные смолы, содержащиеся в¦ ¦
¦ ¦авиационных изделиях ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Категория 2. Обработка материалов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.1.1. ¦Антифрикционные подшипники или системы¦ ¦
¦ ¦подшипников и их компоненты, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются шарикоподшипники с¦ ¦
¦ ¦допусками, устанавливаемыми¦ ¦
¦ ¦производителем в соответствии с¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ИСО 3290 по¦ ¦
¦ ¦классу 5 или хуже ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.1.1.1. ¦Шариковые и твердороликовые подшипники,¦8482 10 900 0;¦
¦ ¦имеющие допуски, устанавливаемые¦8482 50 000 0 ¦
¦ ¦производителем в соответствии с¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ИСО по¦ ¦
¦ ¦классу 4 или лучше или его¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом, и имеющие¦ ¦
¦ ¦кольца, шарики или ролики, сделанные из¦ ¦
¦ ¦медно-никелевого сплава или бериллия ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.1.1.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются конические роликовые¦ ¦
¦ ¦подшипники; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.1.1.2. ¦Другие шариковые и твердороликовые¦8482 80 000 0 ¦
¦ ¦подшипники, имеющие допуски,¦ ¦
¦ ¦устанавливаемые производителем в¦ ¦
¦ ¦соответствии с международным стандартом¦ ¦
¦ ¦ИСО по классу 2 или лучше¦ ¦
¦ ¦или его национальным эквивалентом ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.1.1.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются конические роликовые¦ ¦
¦ ¦подшипники; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.1.1.3. ¦Активные магнитные подшипниковые¦8483 30 100 0;¦
¦ ¦системы, имеющие любую из следующих¦8483 30 900 0 ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) материалы с магнитной индукцией 2 Т¦ ¦
¦ ¦или больше и пределом текучести больше¦ ¦
¦ ¦414 МПа; ¦ ¦
¦ ¦б) оснащенные электромагнитным¦ ¦
¦ ¦устройством для привода с трехмерным¦ ¦
¦ ¦униполярным высокочастотным¦ ¦
¦ ¦подмагничиванием; или ¦ ¦
¦ ¦в) высокотемпературные, с температурой¦ ¦
¦ ¦450 K (177 град. C) и выше, позиционные¦ ¦
¦ ¦датчики ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2. ¦Испытательное, контрольное и¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1. ¦ ¦
¦ ¦Вторичные параллельные горизонтальные¦ ¦
¦ ¦оси (например, W-ось на фрезах¦ ¦
¦ ¦горизонтальной расточки или вторичная¦ ¦
¦ ¦ось вращения, центральная линия которой¦ ¦
¦ ¦параллельна первичной оси вращения) не¦ ¦
¦ ¦засчитываются в общее число¦ ¦
¦ ¦горизонтальных осей ¦ ¦
¦ ¦ Ось вращения необязательно¦ ¦
¦ ¦предусматривает поворот на угол,¦ ¦
¦ ¦больший 360 град. Ось вращения может¦ ¦
¦ ¦управлять устройством линейного¦ ¦
¦ ¦перемещения (например, винтом или¦ ¦
¦ ¦зубчатой рейкой) ¦ ¦
¦ ¦2. Номенклатура оси определяется в¦ ¦
¦ ¦соответствии с международным стандартом¦ ¦
¦ ¦ИСО 841 "Станки с числовым программным¦ ¦
¦ ¦управлением. Номенклатура осей и видов¦ ¦
¦ ¦движения" ¦ ¦
¦ ¦3. Для этой категории наклоняющиеся¦ ¦
¦ ¦шпиндели рассматриваются как оси¦ ¦
¦ ¦вращения ¦ ¦
¦ ¦4. Для всех станков каждой модели может¦ ¦
¦ ¦использоваться значение заявленной¦ ¦
¦ ¦точности позиционирования, полученное¦ ¦
¦ ¦не в результате индивидуальных¦ ¦
¦ ¦механических испытаний, а рассчитанное¦ ¦
¦ ¦в соответствии с международным¦ ¦
¦ ¦стандартом ИСО 230/2 (1997) или его¦ ¦
¦ ¦национальным эквивалентом; ¦ ¦
¦ ¦Заявленная точность позиционирования¦ ¦
¦ ¦означает величину точности,¦ ¦
¦ ¦устанавливаемую производителем в¦ ¦
¦ ¦качестве показателя, отражающего¦ ¦
¦ ¦точность всех станков определенной¦ ¦
¦ ¦модели. ¦ ¦
¦ ¦Определение показателя точности: ¦ ¦
¦ ¦а) Выбирается пять станков модели,¦ ¦
¦ ¦подлежащей оценке ¦ ¦
¦ ¦б) Измеряется точность линейных осей в¦ ¦
¦ ¦соответствии с международным стандартом¦ ¦
¦ ¦ИСО 230/2 (1997) ¦ ¦
¦ ¦в) Определяется значение показателя А¦ ¦
¦ ¦для каждой оси каждого станка. Метод¦ ¦
¦ ¦определения значения показателя А¦ ¦
¦ ¦описан в стандарте ИСО ¦ ¦
¦ ¦г) Определяется среднее значение¦ ¦
¦ ¦показателя А для каждой оси. Эта¦ ¦
¦ ¦средняя величина А становится¦ ¦
¦ ¦заявленной величиной (Ах, Ау...) для¦ ¦
¦ ¦всех станков данной модели ¦ ¦
¦ ¦д) Поскольку станки, указанные в¦ ¦
¦ ¦категории 2 настоящего Списка, имеют¦ ¦
¦ ¦несколько линейных осей, количество¦ ¦
¦ ¦заявленных величин показателя точности¦ ¦
¦ ¦равно количеству линейных осей ¦ ¦
¦ ¦е) Если параметры осей определенной¦ ¦
¦ ¦модели станка не подпадают под контроль¦ ¦
¦ ¦по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, а¦ ¦
¦ ¦показатель А для шлифовальных станков¦ ¦
¦ ¦равен или меньше (лучше) 5 мкм, для¦ ¦
¦ ¦фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм,¦ ¦
¦ ¦то производитель обязан каждые 18¦ ¦
¦ ¦месяцев вновь подтверждать величину¦ ¦
¦ ¦точности ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1. ¦Станки, приведенные ниже, и любые их¦ ¦
¦ ¦сочетания для обработки или резки¦ ¦
¦ ¦металлов, керамики и композиционных¦ ¦
¦ ¦материалов, которые в соответствии с¦ ¦
¦ ¦техническими спецификациями¦ ¦
¦ ¦изготовителя могут быть оснащены¦ ¦
¦ ¦электронными устройствами для числового¦ ¦
¦ ¦программного управления: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1.1. ¦Токарные станки, имеющие все следующие¦8458; ¦
¦ ¦характеристики: ¦8464 90 800 0;¦
¦ ¦а) точность позиционирования со всей¦8465 99 100 0 ¦
¦ ¦доступной компенсацией равную или¦ ¦
¦ ¦меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии¦ ¦
¦ ¦с международным стандартом ИСО 230/2¦ ¦
¦ ¦(1997) или его национальным¦ ¦
¦ ¦эквивалентом вдоль любой линейной оси; ¦ ¦
¦ ¦и ¦ ¦
¦ ¦б) две или более оси, которые могут¦ ¦
¦ ¦быть одновременно скоординированы для¦ ¦
¦ ¦контурного управления ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.2.1.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются токарные станки,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦производства контактных линз; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1.2. ¦Фрезерные станки, имеющие любую из¦8459 31 000 0;¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦8459 39 000 0;¦
¦ ¦а) точность позиционирования со всей¦8459 51 000 0;¦
¦ ¦доступной компенсацией равную или¦8459 61; ¦
¦ ¦меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии¦8459 69; ¦
¦ ¦с международным стандартом ИСО 230/2¦8464 90 800 0;¦
¦ ¦(1997) или его национальным¦8465 92 000 0 ¦
¦ ¦эквивалентом вдоль любой линейной оси;¦ ¦
¦ ¦и три линейные оси плюс одну ось¦ ¦
¦ ¦вращения, которые могут быть¦ ¦
¦ ¦одновременно скоординированы для¦ ¦
¦ ¦контурного управления; ¦ ¦
¦ ¦б) пять или более осей, которые могут¦ ¦
¦ ¦быть одновременно скоординированы для¦ ¦
¦ ¦контурного управления; или ¦ ¦
¦ ¦в) точность позиционирования для¦ ¦
¦ ¦координатно-расточных станков со¦ ¦
¦ ¦всей доступной компенсацией равную или¦ ¦
¦ ¦меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии с¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ИСО 230/2¦ ¦
¦ ¦(1997) или его национальным¦ ¦
¦ ¦эквивалентом вдоль любой линейной оси; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1.3. ¦Шлифовальные станки, имеющие любую из¦8460 11 000 0;¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦8460 19 000 0;¦
¦ ¦а) точность позиционирования со всей¦8460 21; ¦
¦ ¦доступной компенсацией равную или¦8460 29; ¦
¦ ¦меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии¦8464 20 950 0;¦
¦ ¦с международным стандартом ИСО 230/2¦8465 93 000 0 ¦
¦ ¦(1997) или его национальным¦ ¦
¦ ¦эквивалентом вдоль любой линейной оси;¦ ¦
¦ ¦и три или более оси, которые могут¦ ¦
¦ ¦быть одновременно скоординированы¦ ¦
¦ ¦для контурного управления; или ¦ ¦
¦ ¦б) пять или более осей, которые могут¦ ¦
¦ ¦быть одновременно скоординированы для¦ ¦
¦ ¦контурного управления ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.2.1.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются следующие шлифовальные¦ ¦
¦ ¦станки: ¦ ¦
¦ ¦а) цилиндрические внешние, внутренние и¦ ¦
¦ ¦внешне-внутренние шлифовальные¦ ¦
¦ ¦станки, обладающие всеми следующими¦ ¦
¦ ¦характеристиками: ¦ ¦
¦ ¦1) ограниченные цилиндрическим¦ ¦
¦ ¦шлифованием; и ¦ ¦
¦ ¦2) с максимально возможной длиной или¦ ¦
¦ ¦диаметром изделия 150 мм; ¦ ¦
¦ ¦б) станки, специально спроектированные¦ ¦
¦ ¦для шлифования по шаблону и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) C-ось применяется для поддержания¦ ¦
¦ ¦шлифовального круга в нормальном¦ ¦
¦ ¦положении по отношению к рабочей¦ ¦
¦ ¦поверхности; или ¦ ¦
¦ ¦2) A-ось определяет конфигурацию¦ ¦
¦ ¦цилиндрического кулачка; ¦ ¦
¦ ¦в) заточные или отрезные станки,¦ ¦
¦ ¦предназначенные для производства только¦ ¦
¦ ¦резцов или фрез; ¦ ¦
¦ ¦г) станки для обработки коленчатых¦ ¦
¦ ¦валов или кулачковых осей; ¦ ¦
¦ ¦д) плоскошлифовальные станки; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1.4. ¦Станки для электроискровой обработки¦8456 30 ¦
¦ ¦(СЭО) без подачи проволоки, имеющие две¦ ¦
¦ ¦или более оси вращения, которые могут¦ ¦
¦ ¦быть одновременно скоординированы для¦ ¦
¦ ¦контурного управления; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1.5. ¦Станки для обработки металлов, керамики¦8424 30 900 0;¦
¦ ¦или композиционных материалов: ¦8456 10; ¦
¦ ¦а) посредством: ¦8456 99 800 0 ¦
¦ ¦1) водяных или других жидких струй,¦ ¦
¦ ¦включая струи с абразивными присадками;¦ ¦
¦ ¦2) электронного луча; или ¦ ¦
¦ ¦3) лазерного луча; и ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие две или более оси вращения,¦ ¦
¦ ¦которые: ¦ ¦
¦ ¦1) могут быть одновременно¦ ¦
¦ ¦скоординированы для управления по¦ ¦
¦ ¦контуру; и ¦ ¦
¦ ¦2) имеют точность позиционирования¦ ¦
¦ ¦меньше (лучше) 0,003 град.; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.1.6. ¦Станки для сверления глубоких отверстий¦8458; ¦
¦ ¦или токарные станки, модифицированные¦8459 21 000 0;¦
¦ ¦для сверления глубоких отверстий,¦8459 29 000 0 ¦
¦ ¦обеспечивающие максимальную глубину¦ ¦
¦ ¦сверления отверстий 5000 мм или более,¦ ¦
¦ ¦и специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.2. ¦Исключен ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.3. ¦Станки с числовым программным¦8461 40 710; ¦
¦ ¦управлением или станки с ручным¦8461 40 790 ¦
¦ ¦управлением и специально разработанные¦ ¦
¦ ¦для них компоненты, оборудование для¦ ¦
¦ ¦контроля и приспособления, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для шевингования,¦ ¦
¦ ¦финишной обработки, шлифования или¦ ¦
¦ ¦хонингования закаленных (Rc = 40 или¦ ¦
¦ ¦более) прямозубых цилиндрических,¦ ¦
¦ ¦одно- или двухзаходных винтовых¦ ¦
¦ ¦шестерен с модулем более 1250 мм и с¦ ¦
¦ ¦лицевой шириной, равной 15% от модуля¦ ¦
¦ ¦или более, с качеством после финишной¦ ¦
¦ ¦обработки в соответствии с¦ ¦
¦ ¦международным стандартом ИСО 1328 по¦ ¦
¦ ¦классу 3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.4. ¦Горячие изостатические прессы, имеющие¦8462 99 ¦
¦ ¦все следующие составляющие, и¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты и приспособления: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦а) камеры с контролируемыми тепловыми¦ ¦
¦ ¦условиями внутри закрытой полости и¦ ¦
¦ ¦внутренним диаметром полости 406 мм и¦ ¦
¦ ¦более; и ¦ ¦
¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) максимальное рабочее давление более¦ ¦
¦ ¦207 МПа; ¦ ¦
¦ ¦2) контролируемые температурные¦ ¦
¦ ¦условия, превышающие 1773 K (1500 град.¦ ¦
¦ ¦C); или ¦ ¦
¦ ¦3) оборудование для насыщения¦ ¦
¦ ¦углеводородом и удаления газообразных¦ ¦
¦ ¦продуктов разложения ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Внутренний¦ ¦
¦ ¦размер камеры относится к камере, в¦ ¦
¦ ¦которой достигаются рабочие давление и¦ ¦
¦ ¦температура; в размер камеры не¦ ¦
¦ ¦включается размер зажимных¦ ¦
¦ ¦приспособлений. Указанный выше размер¦ ¦
¦ ¦будет минимальным из двух размеров -¦ ¦
¦ ¦внутреннего диаметра камеры высокого¦ ¦
¦ ¦давления или внутреннего диаметра¦ ¦
¦ ¦изолированной высокотемпературной¦ ¦
¦ ¦камеры - в зависимости от того, какая¦ ¦
¦ ¦из двух камер находится в другой ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5. ¦Оборудование, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированное для оснащения,¦ ¦
¦ ¦реализации процесса и управления¦ ¦
¦ ¦процессом нанесения неорганического¦ ¦
¦ ¦покрытия, защитных слоев и¦ ¦
¦ ¦поверхностных модификаций, например¦ ¦
¦ ¦нижних слоев неэлектронными методами,¦ ¦
¦ ¦или процессами, представленными в¦ ¦
¦ ¦таблице и отмеченными в примечаниях¦ ¦
¦ ¦после пункта 2.5.3.4, а также¦ ¦
¦ ¦специально спроектированные средства¦ ¦
¦ ¦автоматизированного регулирования,¦ ¦
¦ ¦установки, манипуляции и компоненты¦ ¦
¦ ¦управления, включая: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.1. ¦Управляемое встроенной программой¦8419 89 989 0 ¦
¦ ¦производственное оборудование для¦ ¦
¦ ¦химического осаждения паров (CVD) со¦ ¦
¦ ¦всеми следующими показателями: ¦ ¦
¦ ¦а) процесс модифицирован для одного из¦ ¦
¦ ¦следующих методов: ¦ ¦
¦ ¦1) пульсирующего CVD; ¦ ¦
¦ ¦2) управляемого термического¦ ¦
¦ ¦осаждения с образованием центров¦ ¦
¦ ¦кристаллизации (CNTD); или ¦ ¦
¦ ¦3) усиленного плазмой или с помощью¦ ¦
¦ ¦плазмы CVD; и ¦ ¦
¦ ¦б) включает какой-либо из следующих¦ ¦
¦ ¦способов: ¦ ¦
¦ ¦1) использующий высокий вакуум (равный¦ ¦
¦ ¦или менее 0,01 Па) для уплотнения¦ ¦
¦ ¦вращением; или ¦ ¦
¦ ¦2) использующий средства контроля¦ ¦
¦ ¦толщины слоя покрытия на месте; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.2. ¦Управляемое встроенной программой¦8543 19 000 0 ¦
¦ ¦производственное оборудование ионной¦ ¦
¦ ¦имплантации с силой тока луча 5 мА или¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.3. ¦Управляемое встроенной программой¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦производственное оборудование для¦ ¦
¦ ¦физического осаждения паров электронным¦ ¦
¦ ¦лучом (EB-PVD), включающее системы¦ ¦
¦ ¦электропитания с расчетной мощностью¦ ¦
¦ ¦свыше 80 кВт, имеющее любую из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) лазерную систему управления уровнем¦ ¦
¦ ¦в заливочной ванне, которая точно¦ ¦
¦ ¦регулирует скорость подачи исходного¦ ¦
¦ ¦вещества; или ¦ ¦
¦ ¦б) управляемый компьютером регистратор¦ ¦
¦ ¦скорости, работающий на принципе¦ ¦
¦ ¦фотолюминесценции ионизированных атомов¦ ¦
¦ ¦в потоке пара, необходимый для¦ ¦
¦ ¦нормирования скорости осаждения¦ ¦
¦ ¦покрытия, содержащего два или более¦ ¦
¦ ¦элемента; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.4. ¦Управляемое встроенной программой¦8419 89 300 0;¦
¦ ¦производственное оборудование¦8419 89 98 ¦
¦ ¦плазменного напыления, обладающее любой¦ ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работающее при уменьшающемся¦ ¦
¦ ¦давлении контролируемой атмосферы¦ ¦
¦ ¦(равной или менее 10 кПа, измеряемой¦ ¦
¦ ¦выше и внутри 300 мм выходного сечения¦ ¦
¦ ¦сопла плазменной горелки) в вакуумной¦ ¦
¦ ¦камере, способной обеспечивать снижение¦ ¦
¦ ¦давления до 0,01 Па, предшествующее¦ ¦
¦ ¦началу процесса напыления; или ¦ ¦
¦ ¦б) имеющее в своем составе средства¦ ¦
¦ ¦контроля толщины слоя покрытия; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.5. ¦Управляемое встроенной программой¦8419 89 300 0;¦
¦ ¦производственное оборудование¦8419 89 98 ¦
¦ ¦металлизации напылением, способное¦ ¦
¦ ¦обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм¦ ¦
¦ ¦или более, с производительностью¦ ¦
¦ ¦напыления 15 мкм/ч или более; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.6. ¦Управляемое встроенной программой¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦производственное оборудование катодно-¦ ¦
¦ ¦дугового напыления, включающее систему¦ ¦
¦ ¦электромагнитов для управления¦ ¦
¦ ¦плотностью тока дуги на катоде; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.5.7. ¦Управляемое встроенной программой¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦производственное оборудование ионной¦ ¦
¦ ¦металлизации, позволяющее осуществлять¦ ¦
¦ ¦на месте любое из следующих измерений: ¦ ¦
¦ ¦а) толщины слоя подложки и величины¦ ¦
¦ ¦производительности; или ¦ ¦
¦ ¦б) оптических характеристик ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пунктам 2.2.5.1,¦ ¦
¦ ¦2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не¦ ¦
¦ ¦контролируется оборудование химического¦ ¦
¦ ¦парового осаждения, катодно-дугового¦ ¦
¦ ¦напыления, капельного осаждения, ионной¦ ¦
¦ ¦металлизации или ионной имплантации,¦ ¦
¦ ¦специально разработанное для покрытия¦ ¦
¦ ¦режущего инструмента или для¦ ¦
¦ ¦механообработки ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.6. ¦Системы или оборудование для измерения¦ ¦
¦ ¦или контроля размеров, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.6.1. ¦Управляемые ЭВМ, с числовым программным¦9031 80 320 0;¦
¦ ¦управлением, управляемые встроенной¦9031 80 340 0 ¦
¦ ¦программой машины контроля размеров,¦ ¦
¦ ¦имеющие погрешность измерения длины по¦ ¦
¦ ¦трем осям, равную или менее (лучше)¦ ¦
¦ ¦(1,7 + L/1000) мкм (L - длина,¦ ¦
¦ ¦измеряемая в миллиметрах), тестируемую¦ ¦
¦ ¦в соответствии с международным¦ ¦
¦ ¦стандартом ИСО 10360-2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.6.2. ¦Измерительные инструменты для линейных¦ ¦
¦ ¦или угловых перемещений, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.6.2.1. ¦Измерительные инструменты для линейных¦9031 49 000 0;¦
¦ ¦перемещений, имеющие любую из следующих¦9031 80 320 0;¦
¦ ¦составляющих: ¦9031 80 340 0;¦
¦ ¦ ¦9031 80 910 0 ¦
¦ ¦а) измерительные системы бесконтактного¦ ¦
¦ ¦типа с разрешающей способностью, равной¦ ¦
¦ ¦или менее (лучше) 0,2 мкм, при¦ ¦
¦ ¦диапазоне измерений до 0,2 мм; ¦ ¦
¦ ¦б) системы с линейным регулируемым¦ ¦
¦ ¦дифференциальным преобразователем¦ ¦
¦ ¦напряжения с двумя следующими¦ ¦
¦ ¦характеристиками: ¦ ¦
¦ ¦1) линейностью, равной или меньше¦ ¦
¦ ¦(лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до¦ ¦
¦ ¦5 мм; и ¦ ¦
¦ ¦2) отклонением, равным или меньшим¦ ¦
¦ ¦(лучшим) 0,1% в день, при стандартных¦ ¦
¦ ¦условиях с колебанием окружающей¦ ¦
¦ ¦температуры +/- 1 К; или ¦ ¦
¦ ¦в) измерительные системы, имеющие все¦ ¦
¦ ¦следующие составляющие: ¦ ¦
¦ ¦1) содержащие лазер; и ¦ ¦
¦ ¦2) эксплуатируемые непрерывно по¦ ¦
¦ ¦крайней мере 12 часов при колебаниях¦ ¦
¦ ¦окружающей температуры +/- 1 К при¦ ¦
¦ ¦стандартных температуре и давлении,¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦разрешение на их полной шкале¦ ¦
¦ ¦составляет 0,1 мкм или меньше (лучше);¦ ¦
¦ ¦и ¦ ¦
¦ ¦погрешность измерения равна или меньше¦ ¦
¦ ¦(лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - длина,¦ ¦
¦ ¦измеряемая в миллиметрах) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются измерительные¦ ¦
¦ ¦интерферометрические системы без¦ ¦
¦ ¦обратной связи с замкнутым или открытым¦ ¦
¦ ¦контуром, содержащие лазер для¦ ¦
¦ ¦измерения погрешностей перемещения¦ ¦
¦ ¦подвижных частей станков, средств¦ ¦
¦ ¦контроля размеров или подобного¦ ¦
¦ ¦оборудования; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.6.2.2. ¦Угловые измерительные приборы с¦9031 49 000 0;¦
¦ ¦отклонением углового положения, равным¦9031 80 320 0;¦
¦ ¦или меньшим (лучшим) 0,00025 град. ¦9031 80 340 0;¦
¦ ¦ ¦9031 80 910 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются оптические приборы,¦ ¦
¦ ¦такие, как автоколлиматоры,¦ ¦
¦ ¦использующие коллимированный свет для¦ ¦
¦ ¦фиксации углового смещения зеркала ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.6.3. ¦Оборудование для измерения неровностей¦9031 49 000 0 ¦
¦ ¦поверхности с применением оптического¦ ¦
¦ ¦рассеяния как функции угла, с¦ ¦
¦ ¦чувствительностью 0,5 нм или меньше¦ ¦
¦ ¦(лучше) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Станки, которые¦ ¦
¦ ¦могут быть использованы в качестве¦ ¦
¦ ¦средств измерения, подлежат контролю,¦ ¦
¦ ¦если их параметры соответствуют или¦ ¦
¦ ¦превосходят критерии, установленные для¦ ¦
¦ ¦функций станков или измерительных¦ ¦
¦ ¦приборов ¦ ¦
¦ ¦2. Системы, указанные в пункте 2.2.6,¦ ¦
¦ ¦подлежат контролю, если они по своим¦ ¦
¦ ¦параметрам превышают подлежащий¦ ¦
¦ ¦контролю уровень где-либо в их рабочем¦ ¦
¦ ¦диапазоне ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.7. ¦Нижеперечисленные роботы и специально¦8479 50 000 0;¦
¦ ¦спроектированные контроллеры и рабочие¦8537 10 100 0;¦
¦ ¦органы для них: ¦8537 10 910 0;¦
¦ ¦а) способные в реальном масштабе¦8537 10 990 0 ¦
¦ ¦времени полно отображать процесс или¦ ¦
¦ ¦объект в трех измерениях с¦ ¦
¦ ¦генерированием или модификацией¦ ¦
¦ ¦программ или с генерированием или¦ ¦
¦ ¦модификацией цифровых программируемых¦ ¦
¦ ¦данных ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. Ограничения¦ ¦
¦ ¦по указанному процессу или объекту не¦ ¦
¦ ¦включают аппроксимацию третьего¦ ¦
¦ ¦измерения через заданный угол или¦ ¦
¦ ¦интерпретацию через ограниченную¦ ¦
¦ ¦пределами шкалу для восприятия глубины¦ ¦
¦ ¦или текстуры модификации заданий¦ ¦
¦ ¦(2 1/2 D); ¦ ¦
¦ ¦б) специально разработанные в¦ ¦
¦ ¦соответствии с национальными¦ ¦
¦ ¦стандартами безопасности,¦ ¦
¦ ¦приспособленные к условиям изготовления¦ ¦
¦ ¦взрывного военного снаряжения; или ¦ ¦
¦ ¦в) специально спроектированные или¦ ¦
¦ ¦оцениваемые как радиационно стойкие,¦ ¦
¦ ¦выдерживающие больше 5 х 1E3 Гр¦ ¦
¦ ¦(кремний) [5 х 1E5 рад (кремний)] без¦ ¦
¦ ¦операционной деградации; ¦ ¦
¦ ¦г) специально предназначенные для¦ ¦
¦ ¦операций на высотах, превышающих¦ ¦
¦ ¦30000 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.8. ¦Узлы, блоки и вставки, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для станков или¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемых по пункту¦ ¦
¦ ¦2.2.6 или 2.2.7, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.8.1. ¦Блоки оценки линейного положения с¦8466 ¦
¦ ¦обратной связью (например, приборы¦ ¦
¦ ¦индуктивного типа, калиброванные шкалы,¦ ¦
¦ ¦инфракрасные системы или лазерные¦ ¦
¦ ¦системы), имеющие полную точность¦ ¦
¦ ¦меньше (лучше) [800 + (600 x L x¦ ¦
¦ ¦1E(-3))] нм (L - эффективная длина в¦ ¦
¦ ¦миллиметрах) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для лазерных¦ ¦
¦ ¦систем применяется также примечание к¦ ¦
¦ ¦пункту 2.2.6.2.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.8.2. ¦Блоки оценки положения вращения с¦8466 ¦
¦ ¦обратной связью (например, приборы¦ ¦
¦ ¦индуктивного типа, калиброванные шкалы,¦ ¦
¦ ¦инфракрасные системы или лазерные¦ ¦
¦ ¦системы), имеющие точность меньше¦ ¦
¦ ¦(лучше) 0,00025 град. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для лазерных¦ ¦
¦ ¦систем применяется также примечание к¦ ¦
¦ ¦пункту 2.2.6.2.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.8.3. ¦Составные вращающиеся столы или¦8466 ¦
¦ ¦наклоняющиеся шпиндели, применение¦ ¦
¦ ¦которых в соответствии со спецификацией¦ ¦
¦ ¦изготовителя может модифицировать¦ ¦
¦ ¦станки до уровня, указанного в пункте¦ ¦
¦ ¦2.2, или выше ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.2.9. ¦Обкатные вальцовочные и гибочные¦8462 29 100 0;¦
¦ ¦станки, которые в соответствии с¦8463 90 000 0 ¦
¦ ¦технической спецификацией изготовителя¦ ¦
¦ ¦могут быть оборудованы блоками¦ ¦
¦ ¦числового программного управления или¦ ¦
¦ ¦компьютерного управления и которые¦ ¦
¦ ¦имеют все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) с двумя или более контролируемыми¦ ¦
¦ ¦осями, которые могут одновременно и¦ ¦
¦ ¦согласованно координироваться для¦ ¦
¦ ¦контурного управления; и ¦ ¦
¦ ¦б) с вращательной силой более 60 кН ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Станки,¦ ¦
¦ ¦объединяющие функции обкатных¦ ¦
¦ ¦вальцовочных и гибочных станков,¦ ¦
¦ ¦рассматриваются для целей пункта 2.2.9¦ ¦
¦ ¦как относящиеся к обкатным вальцовочным¦ ¦
¦ ¦станкам ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.4.1. ¦Программное обеспечение иное, чем¦ ¦
¦ ¦контролируемое по пункту 2.4.2,¦ ¦
¦ ¦специально спроектированное или¦ ¦
¦ ¦модифицированное для разработки,¦ ¦
¦ ¦производства или применения¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по¦ ¦
¦ ¦пунктам 2.1 или 2.2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.4.2. ¦Программное обеспечение для электронных¦ ¦
¦ ¦устройств, в том числе встроенное,¦ ¦
¦ ¦дающее возможность таким устройствам¦ ¦
¦ ¦или системам функционировать как блок¦ ¦
¦ ¦ЧПУ, способное выполнять любую из¦ ¦
¦ ¦следующих операций: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.4.2.1. ¦Координировать одновременно более¦ ¦
¦ ¦четырех осей для контурного управления;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.4.2.2. ¦Осуществлять в реальном масштабе¦ ¦
¦ ¦времени обработку данных для изменения¦ ¦
¦ ¦траектории перемещения инструмента,¦ ¦
¦ ¦скорости подачи и положения шпинделя в¦ ¦
¦ ¦течение операции, выполняемой станком,¦ ¦
¦ ¦в любом из следующих видов: ¦ ¦
¦ ¦а) автоматического вычисления и¦ ¦
¦ ¦модификации части программных данных¦ ¦
¦ ¦для функционирования по двум или более¦ ¦
¦ ¦осям с помощью измерения циклов и¦ ¦
¦ ¦действия с базой данных; или ¦ ¦
¦ ¦б) адаптивного управления с более чем¦ ¦
¦ ¦одной физической переменной, измеренной¦ ¦
¦ ¦и обработанной с помощью компьютерной¦ ¦
¦ ¦модели (стратегия) для изменения одной¦ ¦
¦ ¦или более машинных команд для¦ ¦
¦ ¦оптимизации процесса ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 2.4.2 не контролируется¦ ¦
¦ ¦программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦разработанное или модифицированное для¦ ¦
¦ ¦работы станков, не контролируемых по¦ ¦
¦ ¦пунктам Категории 2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5. ¦Технология ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки¦ ¦
¦ ¦оборудования или программного¦ ¦
¦ ¦обеспечения, контролируемых по пунктам¦ ¦
¦ ¦2.1, 2.2 или 2.4 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.2. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для производства¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по¦ ¦
¦ ¦пунктам 2.1 или 2.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3. ¦Другие технологии, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.1. ¦Технологии для разработки интерактивной¦ ¦
¦ ¦графики как интегрирующей части блоков¦ ¦
¦ ¦числового программного управления для¦ ¦
¦ ¦подготовки или модификации элементов¦ ¦
¦ ¦программ; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.2. ¦Нижеперечисленные технологии¦ ¦
¦ ¦производственных процессов¦ ¦
¦ ¦металлообработки: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.2.1. ¦Технологии проектирования инструмента,¦ ¦
¦ ¦пресс-форм или зажимных¦ ¦
¦ ¦приспособлений, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированных для любого из¦ ¦
¦ ¦следующих процессов: ¦ ¦
¦ ¦а) сверхпластического формования; ¦ ¦
¦ ¦б) диффузионного сваривания; или ¦ ¦
¦ ¦в) гидравлического прессования прямого¦ ¦
¦ ¦действия; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.2.2. ¦Технические данные, включающие¦ ¦
¦ ¦параметры или методы реализации¦ ¦
¦ ¦процесса, перечисленные ниже и¦ ¦
¦ ¦используемые для управления: ¦ ¦
¦ ¦а) сверхпластическим формованием¦ ¦
¦ ¦алюминиевых, титановых сплавов или¦ ¦
¦ ¦суперсплавов: ¦ ¦
¦ ¦1) данные о подготовке поверхности; ¦ ¦
¦ ¦2) данные о степени деформации; ¦ ¦
¦ ¦3) температура; ¦ ¦
¦ ¦4) давление; ¦ ¦
¦ ¦б) диффузионным свариванием титановых¦ ¦
¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦
¦ ¦1) данные о подготовке поверхности; ¦ ¦
¦ ¦2) температура; ¦ ¦
¦ ¦3) давление; ¦ ¦
¦ ¦в) гидравлическим прессованием прямого¦ ¦
¦ ¦действия алюминиевых или титановых¦ ¦
¦ ¦сплавов: ¦ ¦
¦ ¦1) давление; ¦ ¦
¦ ¦2) время цикла; ¦ ¦
¦ ¦г) горячей изостатической модификацией¦ ¦
¦ ¦титановых, алюминиевых сплавов или¦ ¦
¦ ¦суперсплавов: ¦ ¦
¦ ¦1) температура; ¦ ¦
¦ ¦2) давление; ¦ ¦
¦ ¦3) время цикла ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.3. ¦Технологии разработки или производства¦ ¦
¦ ¦гидравлических вытяжных формовочных¦ ¦
¦ ¦машин и соответствующих матриц для¦ ¦
¦ ¦изготовления конструкций корпусов¦ ¦
¦ ¦летательных аппаратов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.4. ¦Технологии для разработки генераторов¦ ¦
¦ ¦машинных команд (то есть элементов¦ ¦
¦ ¦программ) из проектных данных,¦ ¦
¦ ¦находящихся внутри блоков числового¦ ¦
¦ ¦программного управления; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.5. ¦Технологии для разработки¦ ¦
¦ ¦интегрирующего программного обеспечения¦ ¦
¦ ¦для обобщения экспертных систем,¦ ¦
¦ ¦повышающих в заводских условиях¦ ¦
¦ ¦операционные возможности блоков¦ ¦
¦ ¦числового программного управления; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦2.5.3.6. ¦Технологии для применения в¦ ¦
¦ ¦неорганических чисто поверхностных¦ ¦
¦ ¦покрытиях или неорганических покрытиях¦ ¦
¦ ¦с модификацией поверхности изделия,¦ ¦
¦ ¦отмеченных в графе "Результирующее¦ ¦
¦ ¦покрытие" нижеследующей таблицы;¦ ¦
¦ ¦неэлектронных слоевых покрытий¦ ¦
¦ ¦(субстратов), отмеченных в графе¦ ¦
¦ ¦"Подложки" нижеследующей таблицы;¦ ¦
¦ ¦процессов, отмеченных в графе¦ ¦
¦ ¦"Наименование процесса нанесения¦ ¦
¦ ¦покрытия" нижеследующей таблицы и¦ ¦
¦ ¦определенных техническим примечанием ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Нижеследующая¦ ¦
¦ ¦таблица определяет, что технология¦ ¦
¦ ¦конкретного процесса нанесения покрытия¦ ¦
¦ ¦подлежит экспортному контролю только в¦ ¦
¦ ¦том случае, когда позиция графы¦ ¦
¦ ¦"Результирующее покрытие"¦ ¦
¦ ¦непосредственно соответствует позиции¦ ¦
¦ ¦графы "Подложки". Например, в¦ ¦
¦ ¦результате обработки подложки типа¦ ¦
¦ ¦"углерод - углерод, керамика и¦ ¦
¦ ¦композиционные материалы с¦ ¦
¦ ¦металлической матрицей" путем¦ ¦
¦ ¦химического осаждения паров может быть¦ ¦
¦ ¦получено силицидное покрытие, которое¦ ¦
¦ ¦не может получиться при том же способе¦ ¦
¦ ¦нанесения покрытия на подложку типа¦ ¦
¦ ¦"цементированный карбид вольфрама,¦ ¦
¦ ¦карбид кремния". Во втором случае¦ ¦
¦ ¦позиция графы "Результирующее покрытие"¦ ¦
¦ ¦не находится непосредственно напротив¦ ¦
¦ ¦позиции "цементированный карбид¦ ¦
¦ ¦вольфрама, карбид кремния" графы¦ ¦
¦ ¦"Подложки" ¦ ¦
L-------------+---------------------------------------+---------------
Таблица к пункту 2.5.3.6.
Технические приемы осаждения покрытий
Примечания к таблице.
1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или
б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или
в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C).
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются исключительно как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 1E(-7) КЕ(-1) или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик-металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама / (кобальт-никель), карбида титана / (кобальт-никель), карбид хрома / (никель-хром) и карбид хрома / никель.
17. Не контролируется технология, специально разработанная для нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного: магнитные дисководы и головки, поликарбонатные окуляры, оборудование для производства расходных материалов, оборудование пекарен, вентили кранов, диафрагмы для динамиков акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие инструменты, пресс-формы для штамповки-прессования, высококачественные линзы, сконструированные для камер или телескопов, офисного автоматического оборудования, микрофоны или медицинские приборы.
18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных инструментов.
19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% от веса или более, клей или цемент как отдельные составляющие, а также их сочетания.
Технические примечания к таблице.
Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.
Особые примечания.
а) химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;
б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих;
в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка, обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;
в) при парообразовании лазером для испарения материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия.
д) Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.
3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру-смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.
Особые примечания.
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.
5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.
6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.
Особые примечания.
а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий;
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.
7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.
Техническая терминология, используемая
в таблице технических приемов осаждения покрытий:
Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне;
1.1.3. Температура в ванне;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки;
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. Состав песка;
1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. Скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия;
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице:
2.1. Атмосферные параметры:
2.1.1. Состав атмосферы;
2.1.2. Атмосферное давление
2.2. Временные параметры;
2.3. Температурные параметры;
2.4. Параметры слоя;
2.5. Коэффициент параметров преломления
2.6. Контроль структуры покрытия
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. Состав атмосферы;
3.3.1.2. Атмосферное давление
3.3.2. Температурно-временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Усиления;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения параметров является длина волны):
4.3.1. Отражательная способность;
4.3.2. Прозрачность;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. Состав несущего газа;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав химически активного газа;
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;
5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
5.3.2. Состав несущего газа;
5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени;
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. Состав химически активного газа;
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры наклона подложки
--------------T---------------------------------------T--------------¬
¦ № ¦ Наименование ¦Код товарной ¦
¦ позиции ¦ ¦номенклатуры ¦
¦ ¦ ¦внешнеэко- ¦
¦ ¦ ¦номической ¦
¦ ¦ ¦деятельности ¦
+-------------+---------------------------------------+--------------+
¦ ¦ Категория 3. Электроника ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Контрольный статус¦ ¦
¦ ¦оборудования и компонентов, указанных в¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1, других, нежели те, которые¦ ¦
¦ ¦указаны в пунктах 3.1.1.1.3 -¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12,¦ ¦
¦ ¦которые специально разработаны или¦ ¦
¦ ¦имеют те же самые функциональные¦ ¦
¦ ¦характеристики, как и другое¦ ¦
¦ ¦оборудование, определяется по¦ ¦
¦ ¦контрольному статусу другого¦ ¦
¦ ¦оборудования ¦ ¦
¦ ¦2. Контрольный статус интегральных¦ ¦
¦ ¦схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12,¦ ¦
¦ ¦программы которых не могут быть¦ ¦
¦ ¦изменены, или разработанных для¦ ¦
¦ ¦выполнения конкретных функций для¦ ¦
¦ ¦другого оборудования, определяется по¦ ¦
¦ ¦контрольному статусу другого¦ ¦
¦ ¦оборудования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. В тех случаях,¦ ¦
¦ ¦когда изготовитель или заявитель не¦ ¦
¦ ¦может определить контрольный статус¦ ¦
¦ ¦другого оборудования, этот статус¦ ¦
¦ ¦определяется контрольным статусом¦ ¦
¦ ¦интегральных схем, указанных в пунктах¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.12; если интегральная схема¦ ¦
¦ ¦является кремниевой микросхемой¦ ¦
¦ ¦микроЭВМ или микросхемой¦ ¦
¦ ¦микроконтроллера, указанных в пункте¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда¦ ¦
¦ ¦8 бит или менее, то ее контрольный¦ ¦
¦ ¦статус должен определяться в¦ ¦
¦ ¦соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1. ¦Электронные компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1. ¦Нижеперечисленные интегральные¦ ¦
¦ ¦микросхемы общего назначения: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Контрольный статус¦ ¦
¦ ¦готовых пластин или полуфабрикатов для¦ ¦
¦ ¦их изготовления, на которых¦ ¦
¦ ¦воспроизведена конкретная функция,¦ ¦
¦ ¦оценивается по параметрам, указанным в¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1. ¦ ¦
¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы"¦ ¦
¦ ¦включает следующие типы: ¦ ¦
¦ ¦твердотельные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦гибридные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на¦ ¦
¦ ¦сапфире"; ¦ ¦
¦ ¦оптические интегральные схемы. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.1. ¦Интегральные схемы, спроектированные¦8542 ¦
¦ ¦или определяемые как радиационно-¦ ¦
¦ ¦стойкие, выдерживающие любое из¦ ¦
¦ ¦следующих воздействий: ¦ ¦
¦ ¦а) общую дозу 5 х 1E3 Гр (кремний)¦ ¦
¦ ¦[5 х 1E5 рад (кремний)] или выше; или ¦ ¦
¦ ¦б) предел мощности дозы 5 х 1E6 Гр/с¦ ¦
¦ ¦(кремний) [5 х 1E8 рад (кремний)/с]¦ ¦
¦ ¦или выше; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.2. ¦Микропроцессорные микросхемы,¦8542 ¦
¦ ¦микрокомпьютерные микросхемы,¦ ¦
¦ ¦микросхемы микроконтроллеров,¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы памяти,¦ ¦
¦ ¦изготовленные на полупроводниковых¦ ¦
¦ ¦соединениях, аналого-цифровые¦ ¦
¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые¦ ¦
¦ ¦преобразователи, электронно-¦ ¦
¦ ¦оптические или оптические интегральные¦ ¦
¦ ¦схемы для обработки сигналов,¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем¦ ¦
¦ ¦логические устройства, интегральные¦ ¦
¦ ¦схемы для нейронных сетей, заказные¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы, у которых функция¦ ¦
¦ ¦неизвестна либо производителю не¦ ¦
¦ ¦известно, распространяется ли¦ ¦
¦ ¦контрольный статус на аппаратуру, в¦ ¦
¦ ¦которой будут использоваться данные¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы, процессоры быстрого¦ ¦
¦ ¦преобразования Фурье, интегральные¦ ¦
¦ ¦схемы электрически программируемых¦ ¦
¦ ¦постоянных запоминающих устройств¦ ¦
¦ ¦(ЭППЗУ), программируемые с¦ ¦
¦ ¦ультрафиолетовым стиранием, и¦ ¦
¦ ¦статических запоминающих устройств с¦ ¦
¦ ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работоспособные при температуре¦ ¦
¦ ¦окружающей среды выше 398 К (+125 град.¦ ¦
¦ ¦C); ¦ ¦
¦ ¦б) работоспособные при температуре¦ ¦
¦ ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 град.¦ ¦
¦ ¦C); или ¦ ¦
¦ ¦в) работоспособные за пределами¦ ¦
¦ ¦диапазона температур окружающей среды¦ ¦
¦ ¦от 218 К (-55 град. C) до 398 К¦ ¦
¦ ¦(+125 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не¦ ¦
¦ ¦распространяется на интегральные схемы,¦ ¦
¦ ¦применяемые для гражданских автомобилей¦ ¦
¦ ¦и железнодорожных поездов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.3. ¦Микропроцессорные микросхемы,¦ ¦
¦ ¦микрокомпьютерные микросхемы и¦ ¦
¦ ¦микросхемы микроконтроллеров, имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Пункт 3.1.1.1.3¦ ¦
¦ ¦включает процессоры цифровых сигналов,¦ ¦
¦ ¦цифровые матричные процессоры и¦ ¦
¦ ¦цифровые сопроцессоры. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.3.1. ¦Совокупную теоретическую¦8542 21 45; ¦
¦ ¦производительность (СТП) 3500 млн.¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦теоретических операций в секунду¦8542 21 83; ¦
¦ ¦(Мтопс) или более и арифметико-¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦логическое устройство с длиной выборки¦8542 60 000 ¦
¦ ¦32 бита или более; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.3.2. ¦Изготовленные на полупроводниковых¦8542 21 45; ¦
¦ ¦соединениях и работающие на тактовой¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦частоте, превышающей 40 МГц; или ¦8542 21 83; ¦
¦ ¦ ¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦ ¦8542 60 000 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.3.3. ¦Более чем одну шину данных или команд,¦8542 21 45; ¦
¦ ¦или порт последовательной связи¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦для внешнего межсоединения в¦8542 21 83; ¦
¦ ¦параллельный процессор со скоростью¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦передачи, превышающей 2,5 Мбит/с ¦8542 60 000 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.4. ¦Интегральные схемы памяти,¦8542 21 45; ¦
¦ ¦изготовленные на полупроводниковых¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦соединениях; ¦8542 21 83; ¦
¦ ¦ ¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦ ¦8542 60 000 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.5. ¦Интегральные схемы для аналого-¦8542 29 600 0;¦
¦ ¦цифровых и цифроаналоговых¦8542 29 900 9;¦
¦ ¦преобразователей, такие, как: ¦8542 60 000 9 ¦
¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разрешающую способность 8 бит или¦ ¦
¦ ¦более, но меньше 12 бит с общим¦ ¦
¦ ¦временем преобразования менее 10 нс; ¦ ¦
¦ ¦2) разрешающую способность 12 бит с¦ ¦
¦ ¦общим временем преобразования менее 200¦ ¦
¦ ¦нс; или ¦ ¦
¦ ¦3) разрешающую способность более 12 бит¦ ¦
¦ ¦с общим временем преобразования менее 2¦ ¦
¦ ¦мкс; ¦ ¦
¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи с¦ ¦
¦ ¦разрешающей способностью 12 бит и более¦ ¦
¦ ¦и временем выхода на установившийся¦ ¦
¦ ¦режим менее 10 нс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1.¦ ¦
¦ ¦Разрешающая способность n битов¦ ¦
¦ ¦соответствует 2n уровням квантования. ¦ ¦
¦ ¦2. Общее время преобразования является¦ ¦
¦ ¦обратной величиной разрешающей¦ ¦
¦ ¦способности. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.6. ¦Электронно-оптические и оптические¦8542 ¦
¦ ¦интегральные схемы для обработки¦ ¦
¦ ¦сигналов, имеющие одновременно все¦ ¦
¦ ¦перечисленные составляющие: ¦ ¦
¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
¦ ¦б) один внутренний светочувствительный¦ ¦
¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦
¦ ¦в) оптические волноводы; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.7. ¦Программируемые пользователем¦8542 21 690 0;¦
¦ ¦логические устройства, имеющие любую из¦8542 21 990 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентное количество годных¦ ¦
¦ ¦вентилей более 30000 (в пересчете на¦ ¦
¦ ¦двухвходовые); или ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного¦ ¦
¦ ¦логического элемента менее 0,4 нс; ¦ ¦
¦ ¦в) частоту переключения, превышающую¦ ¦
¦ ¦133 МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Пункт 3.1.1.1.7¦ ¦
¦ ¦включает: ¦ ¦
¦ ¦простые программируемые логические¦ ¦
¦ ¦устройства (ППЛУ); ¦ ¦
¦ ¦сложные программируемые логические¦ ¦
¦ ¦устройства (СПЛУ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем¦ ¦
¦ ¦вентильные матрицы (ППВМ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем¦ ¦
¦ ¦логические матрицы (ППЛМ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем¦ ¦
¦ ¦межсоединения (ППМС). ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Программируемые¦ ¦
¦ ¦пользователем логические устройства¦ ¦
¦ ¦также известны как программируемые¦ ¦
¦ ¦пользователем вентильные или¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем¦ ¦
¦ ¦логические матрицы. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.8. ¦Исключен; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.9. ¦Интегральные схемы для нейронных сетей;¦8542 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.10. ¦Заказные интегральные схемы, у которых¦8542 21 690 0;¦
¦ ¦функция неизвестна либо производителю¦8542 21 990 0;¦
¦ ¦неизвестно, распространяется ли¦8542 29; ¦
¦ ¦контрольный статус на аппаратуру, в¦8542 60 000 ¦
¦ ¦которой будут использоваться данные¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы, имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) свыше 208 выводов; ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного¦ ¦
¦ ¦логического элемента менее 0,35 нс; или¦ ¦
¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.11. ¦Цифровые интегральные схемы,¦8542 ¦
¦ ¦отличающиеся от указанных в пунктах¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,¦ ¦
¦ ¦созданные на основе какого-либо¦ ¦
¦ ¦полупроводникового соединения и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентное количество годных¦ ¦
¦ ¦вентилей более 3000 (в пересчете на¦ ¦
¦ ¦двухвходовые); или ¦ ¦
¦ ¦б) частоту переключения, превышающую¦ ¦
¦ ¦1,2 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.1.12. ¦Процессоры быстрого преобразования¦8542 21 45; ¦
¦ ¦Фурье, имеющие любую из следующих¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) расчетное время выполнения¦ ¦
¦ ¦комплексного 1024-точечного быстрого¦ ¦
¦ ¦преобразования Фурье менее 1 мс; ¦ ¦
¦ ¦б) расчетное время выполнения¦8542 21 83; ¦
¦ ¦комплексного N-точечного сложного¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦быстрого преобразования Фурье,¦ ¦
¦ ¦отличного от 1024-точечного, менее, чем¦ ¦
¦ ¦№ log2№ / 10240 мс, где № - число¦ ¦
¦ ¦точек; или ¦ ¦
¦ ¦в) производительность алгоритма¦8542 60 000 ¦
¦ ¦"бабочка" более 5,12 МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2. ¦Компоненты микроволнового или¦ ¦
¦ ¦миллиметрового диапазона, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.1. ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные¦ ¦
¦ ¦лампы и катоды: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются лампы, разработанные или¦ ¦
¦ ¦спроектированные для работы в¦ ¦
¦ ¦стандартном диапазоне частот,¦ ¦
¦ ¦установленном Международным союзом¦ ¦
¦ ¦электросвязи, с частотами, не¦ ¦
¦ ¦превышающими 31 ГГц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.1.1. ¦Лампы бегущей волны импульсного или¦8540 79 000 0 ¦
¦ ¦непрерывного действия, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих¦ ¦
¦ ¦31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со¦ ¦
¦ ¦временем от включения до выхода лампы¦ ¦
¦ ¦на предельную радиочастотную мощность¦ ¦
¦ ¦менее 3 с; ¦ ¦
¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами¦ ¦
¦ ¦или их модификации с мгновенной¦ ¦
¦ ¦шириной полосы частот более 7% или¦ ¦
¦ ¦пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦
¦ ¦г) спиральные лампы или их модификации,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) мгновенную ширину полосы более одной¦ ¦
¦ ¦октавы и произведение средней мощности¦ ¦
¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту¦ ¦
¦ ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; ¦ ¦
¦ ¦2) мгновенную ширину полосы в одну¦ ¦
¦ ¦октаву или менее и произведение средней¦ ¦
¦ ¦мощности (выраженной в кВт) на рабочую¦ ¦
¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более 1; или¦ ¦
¦ ¦3) годные для применения в космосе; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.1.2. ¦Лампы-усилители магнетронного типа с¦8540 71 000 0 ¦
¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.1.3. ¦Импрегнированные катоды,¦8540 99 000 0 ¦
¦ ¦разработанные для электронных ламп,¦ ¦
¦ ¦имеющих плотность тока при непрерывной¦ ¦
¦ ¦эмиссии и штатных условиях¦ ¦
¦ ¦функционирования, превышающую 5 А/кв.¦ ¦
¦ ¦см ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.2. ¦Микроволновые интегральные схемы или¦8542 29; ¦
¦ ¦модули, ¦8542 60 000; ¦
¦ ¦а) содержащие твердотельные¦8542 70 000 0 ¦
¦ ¦интегральные схемы; и ¦ ¦
¦ ¦б) работающие на частотах выше 3 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.1.2.2¦ ¦
¦ ¦не контролируются схемы или модули¦ ¦
¦ ¦оборудования, спроектированного для¦ ¦
¦ ¦работы в стандартном диапазоне частот,¦ ¦
¦ ¦установленном Международным союзом¦ ¦
¦ ¦электросвязи, не превышающем 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.3. ¦Микроволновые транзисторы,¦8541 21 000 0;¦
¦ ¦предназначенные для работы на частотах,¦8541 29 000 0 ¦
¦ ¦превышающих 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.4. ¦Микроволновые твердотельные усилители,¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работающие на частотах свыше¦ ¦
¦ ¦10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину¦ ¦
¦ ¦полосы частот более пол-октавы; ¦ ¦
¦ ¦б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.5. ¦Фильтры с электронной или магнитной¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦настройкой, содержащие более пяти¦ ¦
¦ ¦настраиваемых резонаторов,¦ ¦
¦ ¦обеспечивающих настройку в полосе¦ ¦
¦ ¦частот с соотношением максимальной и¦ ¦
¦ ¦минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin)¦ ¦
¦ ¦менее чем за 10 мкс, имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) полосовые фильтры, имеющие полосу¦ ¦
¦ ¦пропускания частоты более 0,5% от¦ ¦
¦ ¦резонансной частоты; или ¦ ¦
¦ ¦б) заградительные фильтры, имеющие¦ ¦
¦ ¦полосу подавления частоты менее 0,5%¦ ¦
¦ ¦от резонансной частоты; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.6. ¦Микроволновые сборки, способные¦8542 70 000 0 ¦
¦ ¦работать на частотах, превышающих ¦ ¦
¦ ¦31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.7. ¦Смесители и преобразователи,¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦разработанные для расширения частотного¦ ¦
¦ ¦диапазона аппаратуры, указанной в¦ ¦
¦ ¦пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.2.8. ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ,¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦содержащие лампы, контролируемые по¦ ¦
¦ ¦пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) среднюю плотность выходной мощности,¦ ¦
¦ ¦превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦
¦ ¦в) объем менее 400 куб. см ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не¦ ¦
¦ ¦контролируется аппаратура,¦ ¦
¦ ¦разработанная или пригодная для работы¦ ¦
¦ ¦на стандартных частотах, установленных¦ ¦
¦ ¦Международным союзом электросвязи ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.3. ¦Приборы на акустических волнах и¦ ¦
¦ ¦специально спроектированные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.3.1. ¦Приборы на поверхностных акустических¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦волнах и на акустических волнах в¦ ¦
¦ ¦тонкой подложке (т.е. приборы для¦ ¦
¦ ¦обработки сигналов, использующие¦ ¦
¦ ¦упругие волны в материале), имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или ¦ ¦
¦ ¦б) несущую частоту более 1 ГГц, но не¦ ¦
¦ ¦превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) частотное подавление боковых¦ ¦
¦ ¦лепестков диаграммы направленности¦ ¦
¦ ¦более 55 дБ; ¦ ¦
¦ ¦2) произведение максимального времени¦ ¦
¦ ¦задержки (в мкс) на ширину полосы¦ ¦
¦ ¦частот (в МГц) более 100; ¦ ¦
¦ ¦3) ширину полосы частот более 250 МГц;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦4) задержку рассеяния, превышающую¦ ¦
¦ ¦10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и¦ ¦
¦ ¦дополнительно имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) произведение максимального времени¦ ¦
¦ ¦задержки (в мкс) на ширину полосы¦ ¦
¦ ¦частот (в МГц) более 100; ¦ ¦
¦ ¦2) задержку рассеяния, превышающую¦ ¦
¦ ¦10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦3) частотное подавление боковых¦ ¦
¦ ¦лепестков диаграммы направленности¦ ¦
¦ ¦более 55 дБ и ширину полосы частот,¦ ¦
¦ ¦превышающую 50 МГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.3.2. ¦Приборы на объемных акустических волнах¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦(т.е. приборы для обработки сигналов,¦ ¦
¦ ¦использующие упругие волны в¦ ¦
¦ ¦материале), обеспечивающие¦ ¦
¦ ¦непосредственную обработку сигналов на¦ ¦
¦ ¦частотах свыше 1 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.3.3. ¦Акустооптические приборы обработки¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦сигналов, использующие взаимодействие¦ ¦
¦ ¦между акустическими волнами (объемными¦ ¦
¦ ¦или поверхностными) и световыми¦ ¦
¦ ¦волнами, что позволяет непосредственно¦ ¦
¦ ¦обрабатывать сигналы или изображения,¦ ¦
¦ ¦включая анализ спектра, корреляцию или¦ ¦
¦ ¦свертку ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.4. ¦Электронные приборы и схемы, содержащие¦8540; ¦
¦ ¦компоненты, изготовленные из¦8541; ¦
¦ ¦сверхпроводящих материалов, специально¦8542; ¦
¦ ¦спроектированные для работы при¦8543 ¦
¦ ¦температурах ниже критической¦ ¦
¦ ¦температуры хотя бы одной из¦ ¦
¦ ¦сверхпроводящих составляющих, имеющие¦ ¦
¦ ¦хотя бы один из следующих признаков: ¦ ¦
¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых¦ ¦
¦ ¦схем, использующие сверхпроводящие¦ ¦
¦ ¦вентили, у которых произведение времени¦ ¦
¦ ¦задержки на вентиль (в секундах) на¦ ¦
¦ ¦рассеяние мощности на вентиль (в¦ ¦
¦ ¦ваттах) ниже 1E(-14) Дж; или ¦ ¦
¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с¦ ¦
¦ ¦использованием резонансных контуров с¦ ¦
¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.5. ¦Нижеперечисленные накопители энергии: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.5.1. ¦Батареи и батареи на фотоэлектрических¦8506; ¦
¦ ¦элементах, такие, как: ¦8507; ¦
¦ ¦ ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦а) первичные элементы и батареи с¦ ¦
¦ ¦плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг и¦ ¦
¦ ¦пригодные по техническим условиям для¦ ¦
¦ ¦работы в диапазоне температур от 243 K¦ ¦
¦ ¦(-30 град. C) и ниже до 343 K¦ ¦
¦ ¦(70 град. C) и выше ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Плотность¦ ¦
¦ ¦энергии определяется путем умножения¦ ¦
¦ ¦средней мощности в ваттах (произведение¦ ¦
¦ ¦среднего напряжения в вольтах на¦ ¦
¦ ¦средний ток в амперах) на длительность¦ ¦
¦ ¦цикла разряда в часах, при котором¦ ¦
¦ ¦напряжение на разомкнутых клеммах¦ ¦
¦ ¦падает до 75% от номинала, и деления¦ ¦
¦ ¦полученного произведения на общую массу¦ ¦
¦ ¦элемента (или батареи) в кг; ¦ ¦
¦ ¦б) подзаряжаемые элементы и батареи с¦ ¦
¦ ¦плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг¦ ¦
¦ ¦после 75 циклов заряда-разряда при¦ ¦
¦ ¦токе разряда, равном С/5 ч (С -¦ ¦
¦ ¦номинальная емкость в ампер-часах),¦ ¦
¦ ¦при работе в диапазоне температур от¦ ¦
¦ ¦253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K¦ ¦
¦ ¦(60 град. C) и выше; ¦ ¦
¦ ¦в) батареи, по техническим условиям¦ ¦
¦ ¦годные для применения в космосе, и¦ ¦
¦ ¦радиационно стойкие батареи на¦ ¦
¦ ¦фотоэлектрических элементах с удельной¦ ¦
¦ ¦мощностью свыше 160 Вт/кв. м при¦ ¦
¦ ¦рабочей температуре 301 K (28 град. C)¦ ¦
¦ ¦и вольфрамовом источнике, нагретом до¦ ¦
¦ ¦2800 K (2527 град. C) и создающем¦ ¦
¦ ¦энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются батареи объемом¦ ¦
¦ ¦27 куб. см и меньше (например,¦ ¦
¦ ¦стандартные угольные элементы или¦ ¦
¦ ¦батареи типа R14); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.5.2. ¦Накопители большой энергии, такие, как:¦8506; ¦
¦ ¦ ¦8507; ¦
¦ ¦ ¦8532 ¦
¦ ¦а) накопители с частотой повторения¦ ¦
¦ ¦менее 10 Гц (одноразовые накопители),¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) номинальное напряжение 5 кВ или¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
¦ ¦2) плотность энергии 250 Дж/кг или¦ ¦
¦ ¦более; и ¦ ¦
¦ ¦3) общую энергию 25 кДж или более; ¦ ¦
¦ ¦б) накопители с частотой повторения¦ ¦
¦ ¦10 Гц и более (многоразовые¦ ¦
¦ ¦накопители), имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) номинальное напряжение не менее¦ ¦
¦ ¦5 кВ; ¦ ¦
¦ ¦2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;¦ ¦
¦ ¦3) общую энергию не менее 100 Дж; и ¦ ¦
¦ ¦4) количество циклов заряда-разряда¦ ¦
¦ ¦не менее 10000; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и¦8505 19 900 0 ¦
¦ ¦соленоиды, специально спроектированные¦ ¦
¦ ¦на полный заряд или разряд менее чем за¦ ¦
¦ ¦одну секунду, имеющие все¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленные характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде,¦ ¦
¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦
¦ ¦б) внутренний диаметр токопроводящих¦ ¦
¦ ¦обмоток более 250 мм; и ¦ ¦
¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию свыше¦ ¦
¦ ¦8 Т или суммарную плотность тока в¦ ¦
¦ ¦обмотке больше 300 А/кв. мм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются сверхпроводящие¦ ¦
¦ ¦электромагниты или соленоиды,¦ ¦
¦ ¦специально спроектированные для¦ ¦
¦ ¦медицинской аппаратуры¦ ¦
¦ ¦магниторезонансной томографии ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.1.6. ¦Вращающиеся преобразователи абсолютного¦9031 80 340 0 ¦
¦ ¦углового положения вала в код, имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от полного¦ ¦
¦ ¦диапазона (18 бит); или ¦ ¦
¦ ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл. с ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная¦ ¦
¦ ¦аппаратура общего назначения: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и специально¦ ¦
¦ ¦разработанная измерительная магнитная¦ ¦
¦ ¦лента для нее, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.1.1. ¦Накопители на магнитной ленте для¦8520 39 900 0;¦
¦ ¦аналоговой аппаратуры, включая¦8520 90 900 0;¦
¦ ¦аппаратуру с возможностью записи¦8521 10 300 0;¦
¦ ¦цифровых сигналов (например,¦8521 10 800 0 ¦
¦ ¦использующие модуль цифровой записи¦ ¦
¦ ¦высокой плотности), имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦
¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку, при¦ ¦
¦ ¦числе дорожек более 42; или ¦ ¦
¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную)¦ ¦
¦ ¦временной шкалы, измеренную по¦ ¦
¦ ¦методикам соответствующих руководящих¦ ¦
¦ ¦материалов Межведомственного совета по¦ ¦
¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или¦ ¦
¦ ¦Ассоциации электронной промышленности¦ ¦
¦ ¦(EIA), менее +/- 0,1 мкс ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Аналоговые¦ ¦
¦ ¦видеомагнитофоны, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для гражданского¦ ¦
¦ ¦применения, не рассматриваются как¦ ¦
¦ ¦записывающая аппаратура; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны, имеющие¦8521 10; ¦
¦ ¦максимальную пропускную способность¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются цифровые¦ ¦
¦ ¦видеомагнитофоны, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированные для телевизионной¦ ¦
¦ ¦записи, использующие формат сигнала,¦ ¦
¦ ¦который может включать сжатие формата¦ ¦
¦ ¦сигнала, стандартизированный или¦ ¦
¦ ¦рекомендуемый для применения в¦ ¦
¦ ¦гражданском телевидении Международным¦ ¦
¦ ¦союзом электросвязи, Международной¦ ¦
¦ ¦электротехнической комиссией,¦ ¦
¦ ¦Организацией инженеров по развитию кино¦ ¦
¦ ¦и телевидения, Европейским союзом¦ ¦
¦ ¦радиовещания или Институтом инженеров¦ ¦
¦ ¦по электротехнике и радиоэлектронике; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.1.3. ¦Накопители на магнитной ленте для¦8521 10 ¦
¦ ¦цифровой аппаратуры, использующие¦ ¦
¦ ¦принципы спирального сканирования или¦ ¦
¦ ¦принципы фиксированной головки и¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную пропускную способность¦ ¦
¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются аналоговые накопители на¦ ¦
¦ ¦магнитной ленте, оснащенные¦ ¦
¦ ¦электронными блоками для преобразования¦ ¦
¦ ¦в цифровую запись высокой плотности и¦ ¦
¦ ¦предназначенные для записи только¦ ¦
¦ ¦цифровых данных; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной пропускной¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦способностью цифрового интерфейса свыше¦ ¦
¦ ¦175 Мбит/с, спроектированная в целях¦ ¦
¦ ¦переделки цифровых видеомагнитофонов¦ ¦
¦ ¦для использования их как устройств¦ ¦
¦ ¦записи данных цифровой аппаратуры; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования сигналов в¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦цифровую форму и записи переходных¦ ¦
¦ ¦процессов, имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую¦ ¦
¦ ¦форму не менее 200 млн. проб в секунду¦ ¦
¦ ¦и разрешение 10 или более проб в¦ ¦
¦ ¦секунду; и ¦ ¦
¦ ¦б) пропускную способность не менее¦ ¦
¦ ¦2 Гбит/с ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Для таких¦ ¦
¦ ¦приборов с архитектурой на параллельной¦ ¦
¦ ¦шине пропускная способность есть¦ ¦
¦ ¦произведение наибольшего объема слов на¦ ¦
¦ ¦количество бит в слове. Пропускная¦ ¦
¦ ¦способность - это наивысшая скорость¦ ¦
¦ ¦передачи данных аппаратуры, с которой¦ ¦
¦ ¦информация поступает в запоминающее¦ ¦
¦ ¦устройство без потерь при сохранении¦ ¦
¦ ¦скорости выборки и аналого-цифрового¦ ¦
¦ ¦преобразования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.2. ¦Электронные сборки синтезаторов¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦частоты, имеющие время переключения с¦ ¦
¦ ¦одной заданной частоты на другую менее¦ ¦
¦ ¦1 мс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.3. ¦Анализаторы сигналов: ¦9030 83 900 0;¦
¦ ¦а) способные анализировать частоты,¦9030 89 920 0 ¦
¦ ¦превышающие 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) динамические анализаторы сигналов с¦ ¦
¦ ¦полосой пропускания в реальном времени,¦ ¦
¦ ¦превышающей 25,6 кГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По подпункту "б" пункта¦ ¦
¦ ¦3.1.2.3 не контролируются динамические¦ ¦
¦ ¦анализаторы сигналов, использующие¦ ¦
¦ ¦только фильтры с полосой пропускания¦ ¦
¦ ¦фиксированных долей (известны также как¦ ¦
¦ ¦октавные или дробно-октавные фильтры) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.4. ¦Генераторы сигналов синтезированных¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦частот, формирующие выходные частоты с¦ ¦
¦ ¦управлением по параметрам точности,¦ ¦
¦ ¦кратковременной и долговременной¦ ¦
¦ ¦стабильности на основе или с помощью¦ ¦
¦ ¦внутренней эталонной частоты, имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную синтезируемую частоту¦ ¦
¦ ¦более 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) время переключения с одной заданной¦ ¦
¦ ¦частоты на другую менее 1 мс; или ¦ ¦
¦ ¦в) фазовый шум одной боковой полосы¦ ¦
¦ ¦лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в¦ ¦
¦ ¦единицах дБ x с/Гц, где F - смещение¦ ¦
¦ ¦рабочей частоты в Гц, а f - рабочая¦ ¦
¦ ¦частота в МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.1.2.4 не¦ ¦
¦ ¦контролируется аппаратура, в которой¦ ¦
¦ ¦выходная частота создается либо путем¦ ¦
¦ ¦сложения или вычитания частот с двух¦ ¦
¦ ¦или более кварцевых генераторов, либо¦ ¦
¦ ¦путем сложения или вычитания с¦ ¦
¦ ¦последующим умножением результирующей¦ ¦
¦ ¦частоты; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.5. ¦Сетевые анализаторы с максимальной¦9030 40 900 0 ¦
¦ ¦рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.6. ¦Микроволновые приемники-тестеры,¦8527 90 980 0 ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную рабочую частоту,¦ ¦
¦ ¦превышающую 40 ГГц; и ¦ ¦
¦ ¦б) способные одновременно измерять¦ ¦
¦ ¦амплитуду и фазу; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.1.2.7. ¦Атомные эталоны частоты, имеющие любую¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) долговременную стабильность¦ ¦
¦ ¦(старение) менее (лучше) 1E(-11) в¦ ¦
¦ ¦месяц; или ¦ ¦
¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По подпункту "а" пункта¦ ¦
¦ ¦3.1.2.7 не контролируются рубидиевые¦ ¦
¦ ¦стандарты, не предназначенные для¦ ¦
¦ ¦космического применения ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2. ¦Испытательное, контрольное и¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для¦ ¦
¦ ¦производства полупроводниковых приборов¦ ¦
¦ ¦или материалов и специально¦ ¦
¦ ¦разработанные компоненты и оснастка для¦ ¦
¦ ¦них: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.1. ¦Установки, управляемые встроенной¦ ¦
¦ ¦программой, предназначенные для¦ ¦
¦ ¦эпитаксиального выращивания, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.1.1. ¦Установки, способные выдерживать¦8479 89 650 0 ¦
¦ ¦толщину слоя с отклонением не более¦ ¦
¦ ¦+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.1.2. ¦Установки химического осаждения паров¦8419 89 200 0 ¦
¦ ¦металлорганических соединений,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦выращивания кристаллов сложных¦ ¦
¦ ¦полупроводников с помощью химических¦ ¦
¦ ¦реакций между материалами, которые¦ ¦
¦ ¦контролируются по пункту 3.3.3 или¦ ¦
¦ ¦3.3.4; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.1.3. ¦Молекулярно-лучевые установки¦8479 89 700 0;¦
¦ ¦эпитаксиального выращивания,¦8543 89 650 0 ¦
¦ ¦использующие газовые или твердые¦ ¦
¦ ¦источники ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.2. ¦Установки, управляемые встроенной¦8543 11 000 0 ¦
¦ ¦программой, специально предназначенные¦ ¦
¦ ¦для ионной имплантации, имеющие любую¦ ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию излучения (ускоряющее¦ ¦
¦ ¦напряжение) свыше 1 МэВ; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные и¦ ¦
¦ ¦оптимизированные для работы с энергией¦ ¦
¦ ¦излучения (ускоряющим напряжением) ниже¦ ¦
¦ ¦2 кэВ; ¦ ¦
¦ ¦в) обладающие способностью¦ ¦
¦ ¦непосредственной записи; или ¦ ¦
¦ ¦г) пригодные для высокоэнергетической¦ ¦
¦ ¦имплантации кислорода в нагретую¦ ¦
¦ ¦подложку полупроводникового материала; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.3. ¦Установки сухого травления анизотропной¦8456 91 000 0;¦
¦ ¦плазмой, управляемые встроенной¦8456 99 800 0 ¦
¦ ¦программой: ¦ ¦
¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин и¦ ¦
¦ ¦загрузкой через загрузочные шлюзы,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) магнитную защиту; или ¦ ¦
¦ ¦2) электронный циклотронный резонанс ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные для¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по пункту¦ ¦
¦ ¦3.2.1.5, и имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) магнитную защиту; или ¦ ¦
¦ ¦2) электронный циклотронный резонанс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.4. ¦Установки химического парофазового¦8419 89 200 0;¦
¦ ¦осаждения и плазменной стимуляции,¦8419 89 300 0 ¦
¦ ¦управляемые встроенной программой: ¦ ¦
¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин и¦ ¦
¦ ¦загрузкой через загрузочные шлюзы,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) магнитную защиту; или ¦ ¦
¦ ¦2) электронный циклотронный резонанс ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные для¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по пункту¦ ¦
¦ ¦3.2.1.5, и имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) магнитную защиту; или ¦ ¦
¦ ¦2) электронный циклотронный резонанс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.5. ¦Управляемые встроенной программой¦8456 10; ¦
¦ ¦автоматически загружаемые многокамерные¦8456 91 000 0;¦
¦ ¦системы с центральной загрузкой¦8456 99 800 0;¦
¦ ¦пластин, имеющие все следующие¦8456 99 300 0;¦
¦ ¦составляющие: ¦8479 50 000 0 ¦
¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки¦ ¦
¦ ¦пластин, к которым присоединяется более¦ ¦
¦ ¦двух единиц оборудования для обработки¦ ¦
¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для интегрированной¦ ¦
¦ ¦системы последовательной¦ ¦
¦ ¦многопозиционной обработки пластин в¦ ¦
¦ ¦вакуумной среде ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.2.1.5 не¦ ¦
¦ ¦контролируются автоматические¦ ¦
¦ ¦робототехнические системы загрузки¦ ¦
¦ ¦пластин, не предназначенные для работы¦ ¦
¦ ¦в вакууме ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.6. ¦Установки литографии, управляемые¦ ¦
¦ ¦встроенной программой, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.6.1. ¦Установки многократного совмещения и¦9009 22 000 0 ¦
¦ ¦экспонирования (прямого¦ ¦
¦ ¦последовательного шагового¦ ¦
¦ ¦экспонирования) или шагового¦ ¦
¦ ¦сканирования (сканеры) для обработки¦ ¦
¦ ¦пластин методом фотооптической или¦ ¦
¦ ¦рентгеновской литографии, имеющие любую¦ ¦
¦ ¦из следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) источник света с длиной волны короче¦ ¦
¦ ¦350 нм; или ¦ ¦
¦ ¦б) способность воспроизводить рисунок с¦ ¦
¦ ¦минимальным размером разрешения от¦ ¦
¦ ¦0,5 мкм и менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Минимальный¦ ¦
¦ ¦размер разрешения (МРР) рассчитывается¦ ¦
¦ ¦по следующей формуле: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ (экспозиция источника освещения с¦ ¦
¦ ¦ длиной волны в мкм) x (К фактор) ¦ ¦
¦ ¦МРР = ---------------------------------¦ ¦
¦ ¦ цифровая апертура ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦где К фактор = 0,7; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.6.2. ¦Установки, специально спроектированные¦8456 10; ¦
¦ ¦для производства шаблонов или обработки¦8456 99 ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов с¦ ¦
¦ ¦использованием отклоняемого¦ ¦
¦ ¦фокусируемого электронного луча, пучка¦ ¦
¦ ¦ионов или лазерного луча, имеющие любую¦ ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦
¦ ¦б) способность производить рисунок с¦ ¦
¦ ¦минимальными разрешенными проектными¦ ¦
¦ ¦нормами менее 1 мкм; или ¦ ¦
¦ ¦в) точность совмещения лучше¦ ¦
¦ ¦+/- 0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.7. ¦Шаблоны или промежуточные фотошаблоны,¦ ¦
¦ ¦разработанные для интегральных схем,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим¦9010 90 ¦
¦ ¦слоем ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.2. ¦Аппаратура испытаний, управляемая¦ ¦
¦ ¦встроенной программой, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированная для испытания готовых¦ ¦
¦ ¦или находящихся в разной степени¦ ¦
¦ ¦изготовления полупроводниковых¦ ¦
¦ ¦приборов, и специально спроектированные¦ ¦
¦ ¦компоненты и приспособления для нее: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦транзисторных приборов на частотах¦ ¦
¦ ¦свыше 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.2.2. ¦Для испытаний интегральных схем,¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦способная выполнять функциональное¦ ¦
¦ ¦тестирование (по таблицам истинности) с¦ ¦
¦ ¦частотой тестирования строк более¦ ¦
¦ ¦333 МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.2.2.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируется аппаратура испытаний,¦ ¦
¦ ¦специально спроектированная для¦ ¦
¦ ¦испытаний: ¦ ¦
¦ ¦а) электронных сборок или класса¦ ¦
¦ ¦электронных сборок для бытовой или¦ ¦
¦ ¦игровой электронной аппаратуры; ¦ ¦
¦ ¦б) неконтролируемых электронных¦ ¦
¦ ¦компонентов, электронных сборок или¦ ¦
¦ ¦интегральных схем; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Для целей¦ ¦
¦ ¦этого пункта оценочной характеристикой¦ ¦
¦ ¦является максимальная частота цифрового¦ ¦
¦ ¦режима работы тестера, поэтому она¦ ¦
¦ ¦является эквивалентом наивысшему¦ ¦
¦ ¦значению оценки, которое может¦ ¦
¦ ¦обеспечить тестер во внемультиплексном¦ ¦
¦ ¦режиме. Она также относится к скорости¦ ¦
¦ ¦испытания, максимальной цифровой¦ ¦
¦ ¦частоте или к максимальной цифровой¦ ¦
¦ ¦скорости. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.2.2.3. ¦Для испытания микроволновых¦9031 20 000 0 ¦
¦ ¦интегральных схем, контролируемых по ¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦пункту 3.1.1.2.2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3. ¦Материалы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные материалы,¦ ¦
¦ ¦состоящие из подложки с несколькими¦ ¦
¦ ¦последовательно наращенными¦ ¦
¦ ¦эпитаксиальными слоями, имеющими любую¦ ¦
¦ ¦из следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.1.1. ¦Кремний; ¦3818 00 100 0;¦
¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.1.2. ¦Германий; или ¦3818 00 900 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.1.3. ¦Соединения III/V на основе галлия или¦3818 00 900 0 ¦
¦ ¦индия ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Соединения¦ ¦
¦ ¦III/V - это поликристаллические или¦ ¦
¦ ¦двухэлементные или сложные¦ ¦
¦ ¦монокристаллические продукты, состоящие¦ ¦
¦ ¦из элементов групп IIIA и VA¦ ¦
¦ ¦периодической системы Менделеева (по¦ ¦
¦ ¦отечественной классификации это группы¦ ¦
¦ ¦A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид¦ ¦
¦ ¦галлия, фосфид индия и т.п.) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.2. ¦Материалы резистов и подложки, покрытые¦ ¦
¦ ¦контролируемыми резистами, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, предназначенные для¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦полупроводниковой литографии,¦ ¦
¦ ¦специально приспособленные¦ ¦
¦ ¦(оптимизированные) для использования на¦ ¦
¦ ¦спектральную чувствительность менее¦ ¦
¦ ¦350 нм; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.2.2. ¦Все резисты, предназначенные для¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦использования при экспонировании¦ ¦
¦ ¦электронными или ионными пучками, с¦ ¦
¦ ¦чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или¦ ¦
¦ ¦лучше; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.2.3. ¦Все резисты, предназначенные для¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦использования при экспонировании¦ ¦
¦ ¦рентгеновскими лучами, с¦ ¦
¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или¦ ¦
¦ ¦лучше; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦технологии формирования рисунка,¦ ¦
¦ ¦включая силицированные резисты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Методы¦ ¦
¦ ¦силицирования - это процессы,¦ ¦
¦ ¦включающие оксидирование поверхности¦ ¦
¦ ¦резиста, для повышения качества мокрого¦ ¦
¦ ¦и сухого проявления ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.3. ¦Органо-неорганические компаунды,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.3.1. ¦Органо-металлические соединения на¦2931 00 950 0 ¦
¦ ¦основе алюминия, галлия или индия с¦ ¦
¦ ¦чистотой металлической основы свыше¦ ¦
¦ ¦99,999%; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.3.2. ¦Органо-мышьяковистые, органо-¦2931 00 950 0 ¦
¦ ¦сурьмянистые и органо-фосфорные¦ ¦
¦ ¦соединения с чистотой органической¦ ¦
¦ ¦элементной основы свыше 99,999% ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.3.3¦ ¦
¦ ¦контролируются только соединения, чей¦ ¦
¦ ¦металлический, частично металлический¦ ¦
¦ ¦или неметаллический элемент¦ ¦
¦ ¦непосредственно связан с углеродом в¦ ¦
¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы,¦2848 00 000 0;¦
¦ ¦имеющие чистоту свыше 99,999% даже¦2850 00 200 0 ¦
¦ ¦после растворения в инертных газах или¦ ¦
¦ ¦водороде ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.3.4 не¦ ¦
¦ ¦контролируются гидриды, содержащие 20%¦ ¦
¦ ¦и более молей инертных газов или¦ ¦
¦ ¦водорода ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦созданное для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства оборудования,¦ ¦
¦ ¦контролируемого по пунктам 3.1.1.2 -¦ ¦
¦ ¦3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4.2. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦созданное для применения в¦ ¦
¦ ¦оборудовании, управляемом встроенной¦ ¦
¦ ¦программой и контролируемом по¦ ¦
¦ ¦пункту 3.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4.3. ¦Программное обеспечение систем¦ ¦
¦ ¦автоматизированного проектирования¦ ¦
¦ ¦(САПР), предназначенное для¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов или¦ ¦
¦ ¦интегральных схем, имеющее любую из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4.3.1. ¦Правила проектирования или правила¦ ¦
¦ ¦проверки (верификации) схем; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4.3.2. ¦Моделирование схем по их физической¦ ¦
¦ ¦топологии; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.4.3.3. ¦Имитаторы литографических процессов для¦ ¦
¦ ¦проектирования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Имитатор литографических процессов -¦ ¦
¦ ¦это пакет программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦используемый на этапе проектирования¦ ¦
¦ ¦для определения последовательности¦ ¦
¦ ¦операций литографии, травления и¦ ¦
¦ ¦осаждения в целях воплощения¦ ¦
¦ ¦маскирующих шаблонов в конкретные¦ ¦
¦ ¦топологические рисунки проводников,¦ ¦
¦ ¦диэлектриков или полупроводникового¦ ¦
¦ ¦материала. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. По пункту 3.4.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируется программное обеспечение,¦ ¦
¦ ¦специально созданное для описания¦ ¦
¦ ¦принципиальных схем, логического¦ ¦
¦ ¦моделирования, раскладки и¦ ¦
¦ ¦маршрутизации (трассировки), проверки¦ ¦
¦ ¦топологии или размножения шаблонов. ¦ ¦
¦ ¦2. Библиотеки, проектные атрибуты или¦ ¦
¦ ¦сопутствующие данные для проектирования¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов или¦ ¦
¦ ¦интегральных схем рассматриваются как¦ ¦
¦ ¦технология. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.5. ¦Технология ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства оборудования или¦ ¦
¦ ¦материалов, контролируемых по пунктам¦ ¦
¦ ¦3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 3.5.1 и¦ ¦
¦ ¦подпункту "ж" пункта 3.5.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются технологии разработки¦ ¦
¦ ¦или производства: ¦ ¦
¦ ¦а) микроволновых транзисторов,¦ ¦
¦ ¦работающих на частотах ниже 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) интегральных схем, контролируемых по¦ ¦
¦ ¦пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих¦ ¦
¦ ¦оба нижеперечисленных признака: ¦ ¦
¦ ¦1) использующие проектные нормы 0,7 мкм¦ ¦
¦ ¦или выше; и ¦ ¦
¦ ¦2) не содержащие многослойных структур.¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Термин¦ ¦
¦ ¦"многослойные структуры" в подпункте 2¦ ¦
¦ ¦пункта "б" примечания не включает¦ ¦
¦ ¦приборы, содержащие максимум два¦ ¦
¦ ¦металлических слоя и два слоя¦ ¦
¦ ¦поликремния. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦3.5.2. ¦Прочие технологии для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства: ¦ ¦
¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов;¦ ¦
¦ ¦б) полупроводниковых приборов на¦ ¦
¦ ¦гетероструктурах, таких, как¦ ¦
¦ ¦транзисторы с высокой подвижностью¦ ¦
¦ ¦электронов, биполярных транзисторов на¦ ¦
¦ ¦гетероструктуре, приборов с квантовыми¦ ¦
¦ ¦ямами или приборов на сверхрешетках; ¦ ¦
¦ ¦в) сверхпроводящих электронных¦ ¦
¦ ¦приборов; ¦ ¦
¦ ¦г) подложек пленок алмаза для¦ ¦
¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦
¦ ¦д) подложек из структур кремния на¦ ¦
¦ ¦диэлектрике (КНД-структур) для¦ ¦
¦ ¦интегральных схем с диэлектриком из¦ ¦
¦ ¦двуокиси кремния; ¦ ¦
¦ ¦е) подложек из карбида для электронных¦ ¦
¦ ¦компонентов; ¦ ¦
¦ ¦ж) технологии, соответствующие общему¦ ¦
¦ ¦технологическому примечанию, другие,¦ ¦
¦ ¦чем те, которые контролируются по¦ ¦
¦ ¦пункту 3.5.1, для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства микропроцессорных¦ ¦
¦ ¦микросхем, микрокомпьютерных микросхем¦ ¦
¦ ¦и микросхем микроконтроллеров, имеющих¦ ¦
¦ ¦совокупную теоретическую¦ ¦
¦ ¦производительность (СТП) 530 Мтопс или¦ ¦
¦ ¦более и арифметико-логическое¦ ¦
¦ ¦устройство с длиной выборки 32 бита или¦ ¦
¦ ¦более ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Категория 4. Вычислительная техника ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. ЭВМ, сопутствующее¦ ¦
¦ ¦оборудование или программное¦ ¦
¦ ¦обеспечение, задействованные в¦ ¦
¦ ¦телекоммуникациях или локальных¦ ¦
¦ ¦вычислительных сетях, должны быть также¦ ¦
¦ ¦проанализированы на соответствие¦ ¦
¦ ¦характеристикам, указанным в части 1¦ ¦
¦ ¦Категории 5 (Телекоммуникации) ¦ ¦
¦ ¦2. Устройства управления, которые¦ ¦
¦ ¦непосредственно связывают шины или¦ ¦
¦ ¦каналы центральных процессоров,¦ ¦
¦ ¦оперативную память или контроллеры¦ ¦
¦ ¦накопителей на магнитных дисках, не¦ ¦
¦ ¦входят в понятие телекоммуникационной¦ ¦
¦ ¦аппаратуры, рассматриваемой в части 1¦ ¦
¦ ¦Категории 5 (Телекоммуникации); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для определения¦ ¦
¦ ¦контрольного статуса программного¦ ¦
¦ ¦обеспечения, которое специально создано¦ ¦
¦ ¦для коммутации пакетов, следует¦ ¦
¦ ¦использовать пункт 5.4.1 ¦ ¦
¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование или¦ ¦
¦ ¦программное обеспечение, выполняющие¦ ¦
¦ ¦функции криптографии, криптоанализа,¦ ¦
¦ ¦сертифицируемой многоуровневой защиты¦ ¦
¦ ¦информации или сертифицируемые функции¦ ¦
¦ ¦изоляции пользователей либо¦ ¦
¦ ¦ограничивающие электромагнитную¦ ¦
¦ ¦совместимость (ЭМС), должны быть также¦ ¦
¦ ¦проанализированы на соответствие¦ ¦
¦ ¦характеристикам, указанным в части 2¦ ¦
¦ ¦Категории 5 (Защита информации) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.1. ¦Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее¦ ¦
¦ ¦оборудование, а также электронные¦ ¦
¦ ¦сборки и специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦них компоненты: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.1.1. ¦Специально созданные для достижения¦8471 ¦
¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) по техническим условиям пригодные¦ ¦
¦ ¦для работы при температуре внешней¦ ¦
¦ ¦среды ниже 228 K (-45 град. C) или выше¦ ¦
¦ ¦358 K (85 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По подпункту "а" пункта¦ ¦
¦ ¦4.1.1.1 не контролируются ЭВМ,¦ ¦
¦ ¦специально созданные для гражданских¦ ¦
¦ ¦автомобилей или железнодорожных¦ ¦
¦ ¦поездов; ¦ ¦
¦ ¦б) радиационно стойкие, превышающие¦ ¦
¦ ¦любое из следующих требований: ¦ ¦
¦ ¦1) поглощенная доза 5 х 1E3 Гр¦ ¦
¦ ¦(кремний) [5 х 1E5 рад (кремний)]; ¦ ¦
¦ ¦2) мощность дозы на сбой 5 х 1E6 Гр/с¦ ¦
¦ ¦(кремний) [5 х 1E8 рад (кремний)]/с;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦3) сбой от высокоэнергетической частицы¦ ¦
¦ ¦1E(-7) ошибок / бит / день; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.1.2. ¦Имеющие характеристики или¦8471 ¦
¦ ¦функциональные особенности,¦ ¦
¦ ¦превосходящие пределы, указанные в¦ ¦
¦ ¦части 2 Категории 5 (Защита информации)¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 4.1.1.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются цифровые персональные¦ ¦
¦ ¦ЭВМ и относящееся к ним оборудование,¦ ¦
¦ ¦когда они вывозятся пользователями для¦ ¦
¦ ¦своего индивидуального использования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.2. ¦Гибридные ЭВМ, электронные сборки и¦8471 10 ¦
¦ ¦специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты: ¦ ¦
¦ ¦а) имеющие в своем составе цифровые¦ ¦
¦ ¦ЭВМ, которые контролируются по пункту¦ ¦
¦ ¦4.1.3; ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие в своем составе¦ ¦
¦ ¦аналого-цифровые преобразователи,¦ ¦
¦ ¦обладающие всеми следующими¦ ¦
¦ ¦характеристиками: ¦ ¦
¦ ¦1) 32 каналами или более; и ¦ ¦
¦ ¦2) разрешающей способностью 14 бит¦ ¦
¦ ¦(плюс знаковый разряд) или выше со¦ ¦
¦ ¦скоростью 200000 преобразований/с или¦ ¦
¦ ¦выше ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3. ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и¦ ¦
¦ ¦сопутствующее оборудование, а также¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Пункт 4.1.3¦ ¦
¦ ¦включает: ¦ ¦
¦ ¦а) векторные процессоры; ¦ ¦
¦ ¦б) матричные процессоры; ¦ ¦
¦ ¦в) цифровые центральные процессоры; ¦ ¦
¦ ¦г) логические процессоры; ¦ ¦
¦ ¦д) оборудование для улучшения качества¦ ¦
¦ ¦изображения; ¦ ¦
¦ ¦е) оборудование для обработки сигналов ¦ ¦
¦ ¦2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или¦ ¦
¦ ¦сопутствующего оборудования, описанных¦ ¦
¦ ¦в пункте 4.1.3, определяется¦ ¦
¦ ¦контрольным статусом другого¦ ¦
¦ ¦оборудования или других систем в том¦ ¦
¦ ¦случае, если: ¦ ¦
¦ ¦а) цифровые ЭВМ или сопутствующее¦ ¦
¦ ¦оборудование необходимы для работы¦ ¦
¦ ¦другого оборудования или других систем;¦ ¦
¦ ¦б) цифровые ЭВМ или сопутствующее¦ ¦
¦ ¦оборудование не являются основным¦ ¦
¦ ¦элементом другого оборудования или¦ ¦
¦ ¦других систем; и ¦ ¦
¦ ¦в) технология для цифровых ЭВМ и¦ ¦
¦ ¦сопутствующего оборудования подпадает¦ ¦
¦ ¦под действие пункта 4.5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особые примечания. 1. Контрольный¦ ¦
¦ ¦статус оборудования обработки сигналов¦ ¦
¦ ¦или улучшения качества изображения,¦ ¦
¦ ¦специально спроектированного для¦ ¦
¦ ¦другого оборудования с функциями,¦ ¦
¦ ¦ограниченными функциональным¦ ¦
¦ ¦назначением другого оборудования,¦ ¦
¦ ¦определяется контрольным статусом¦ ¦
¦ ¦другого оборудования, даже если первое¦ ¦
¦ ¦соответствует критерию основного¦ ¦
¦ ¦элемента ¦ ¦
¦ ¦2. Для определения контрольного статуса¦ ¦
¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего¦ ¦
¦ ¦оборудования для телекоммуникационной¦ ¦
¦ ¦аппаратуры см. часть 1 Категории 5¦ ¦
¦ ¦(Телекоммуникации) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.1. ¦Спроектированные или модифицированные¦8471 ¦
¦ ¦для обеспечения отказоустойчивости ¦(кроме ¦
¦ ¦ ¦8471 10) ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Применительно к пункту¦ ¦
¦ ¦4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее¦ ¦
¦ ¦оборудование не считаются¦ ¦
¦ ¦спроектированными или модифицированными¦ ¦
¦ ¦для обеспечения отказоустойчивости,¦ ¦
¦ ¦если в них используется любое из¦ ¦
¦ ¦следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или¦ ¦
¦ ¦исправления ошибок, хранимые в¦ ¦
¦ ¦оперативной памяти; ¦ ¦
¦ ¦б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая,¦ ¦
¦ ¦что если активный центральный процессор¦ ¦
¦ ¦отказывает, ждущий, но отслеживающий¦ ¦
¦ ¦центральный процессор может продолжить¦ ¦
¦ ¦функционирование системы; ¦ ¦
¦ ¦в) взаимосвязь двух центральных¦ ¦
¦ ¦процессоров посредством каналов¦ ¦
¦ ¦передачи данных или с применением общей¦ ¦
¦ ¦памяти, чтобы обеспечить одному¦ ¦
¦ ¦центральному процессору возможность¦ ¦
¦ ¦выполнять другую работу, пока не¦ ¦
¦ ¦откажет второй центральный процессор,¦ ¦
¦ ¦тогда первый центральный процессор¦ ¦
¦ ¦принимает его работу на себя, чтобы¦ ¦
¦ ¦продолжить функционирование системы;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦г) синхронизация двух центральных¦ ¦
¦ ¦процессоров, объединенных посредством¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения так, что один¦ ¦
¦ ¦центральный процессор распознает, когда¦ ¦
¦ ¦отказывает другой центральный¦ ¦
¦ ¦процессор, и восстанавливает задачи¦ ¦
¦ ¦отказавшего устройства; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.2. ¦Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную¦8471 ¦
¦ ¦теоретическую производительность (СТП)¦(кроме ¦
¦ ¦свыше 6500 Мтопс; ¦8471 10) ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.3. ¦Электронные сборки, специально¦8471 ¦
¦ ¦спроектированные или модифицированные¦(кроме ¦
¦ ¦для повышения производительности путем¦8471 10) ¦
¦ ¦объединения вычислительных элементов¦ ¦
¦ ¦таким образом, чтобы совокупная¦ ¦
¦ ¦теоретическая производительность¦ ¦
¦ ¦объединенных сборок превышала пределы,¦ ¦
¦ ¦указанные в пункте 4.1.3.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3¦ ¦
¦ ¦распространяется только на электронные¦ ¦
¦ ¦сборки и программируемые взаимосвязи,¦ ¦
¦ ¦не превышающие пределы, указанные в¦ ¦
¦ ¦пункте 4.1.3.2, при поставке в виде¦ ¦
¦ ¦необъединенных электронных сборок. Он¦ ¦
¦ ¦не применим к электронным сборкам,¦ ¦
¦ ¦конструкция которых пригодна только для¦ ¦
¦ ¦использования в качестве сопутствующего¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по¦ ¦
¦ ¦пунктам 4.1.3.4 или 4.1.3.5 ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются¦ ¦
¦ ¦электронные сборки, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированные для продукции или¦ ¦
¦ ¦целого семейства продукции,¦ ¦
¦ ¦максимальная конфигурация которых не¦ ¦
¦ ¦превышает пределы, указанные в пункте¦ ¦
¦ ¦4.1.3.2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.4. ¦Графические акселераторы или¦8473 30 100 ¦
¦ ¦графические сопроцессоры, превышающие¦ ¦
¦ ¦скорость исчисления трехмерных¦ ¦
¦ ¦векторов, равную 3000000; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.5. ¦Оборудование, выполняющее¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦аналого-цифровые преобразования,¦ ¦
¦ ¦превосходящее пределы, указанные в¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.5; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.6 ¦Исключен ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.3.7. ¦Аппаратура, специально разработанная¦8471 90 000 0 ¦
¦ ¦для обеспечения внешней взаимосвязи¦ ¦
¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего¦ ¦
¦ ¦оборудования, которые в коммуникациях¦ ¦
¦ ¦имеют скорость передачи данных свыше¦ ¦
¦ ¦80 Мбайт/с ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 4.1.3.7 не¦ ¦
¦ ¦контролируется оборудование внутренней¦ ¦
¦ ¦взаимосвязи (например, объединительные¦ ¦
¦ ¦платы, шины), оборудование пассивной¦ ¦
¦ ¦взаимосвязи, контроллеры доступа к сети¦ ¦
¦ ¦или контроллеры каналов связи. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.4. ¦Нижеперечисленные ЭВМ, специально¦8471 ¦
¦ ¦спроектированное сопутствующее¦ ¦
¦ ¦оборудование, электронные сборки и¦ ¦
¦ ¦компоненты для них: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.4.1. ¦ЭВМ с систолической матрицей; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.4.2. ¦Нейронные ЭВМ; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.1.4.3. ¦Оптические ЭВМ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.2. ¦Испытательное, контрольное и¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование - нет ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Контрольный статус¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения для¦ ¦
¦ ¦разработки, производства или¦ ¦
¦ ¦использования оборудования, указанного¦ ¦
¦ ¦в других категориях, определяется по¦ ¦
¦ ¦описанию соответствующей категории. В¦ ¦
¦ ¦данной категории дается контрольный¦ ¦
¦ ¦статус программного обеспечения для¦ ¦
¦ ¦оборудования этой категории ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.1. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированное или модифицированное¦ ¦
¦ ¦для разработки, производства или¦ ¦
¦ ¦использования оборудования или¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.2. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированное или модифицированное¦ ¦
¦ ¦для поддержки технологии,¦ ¦
¦ ¦контролируемой по пункту 4.5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.3. ¦Специальное программное обеспечение,¦ ¦
¦ ¦такое, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.3.1. ¦Программное обеспечение операционных¦ ¦
¦ ¦систем, инструментарий разработки¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения и компиляторы,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦оборудования многопоточной обработки¦ ¦
¦ ¦данных в исходных кодах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.3.2. ¦Экспертные системы или программное¦ ¦
¦ ¦обеспечение для механизмов логического¦ ¦
¦ ¦вывода экспертных систем, обладающие¦ ¦
¦ ¦одновременно следующими признаками: ¦ ¦
¦ ¦а) правилами, зависящими от времени; и ¦ ¦
¦ ¦б) примитивами для работы с временными¦ ¦
¦ ¦характеристиками правил и факторов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.3.3. ¦Программное обеспечение, имеющее¦ ¦
¦ ¦характеристики или выполняющее функции,¦ ¦
¦ ¦которые превосходят пределы, указанные¦ ¦
¦ ¦в части 2 Категории 5 (Защита¦ ¦
¦ ¦информации); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 4.4.3.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируется программное обеспечение,¦ ¦
¦ ¦когда оно вывозится пользователями для¦ ¦
¦ ¦своего индивидуального использования. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.4.3.4. ¦Операционные системы, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для оборудования¦ ¦
¦ ¦обработки в реальном масштабе времени,¦ ¦
¦ ¦гарантирующие время обработки полного¦ ¦
¦ ¦прерывания менее 20 мкс ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.5. ¦Технология ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦4.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки,¦ ¦
¦ ¦производства или использования¦ ¦
¦ ¦оборудования или программного¦ ¦
¦ ¦обеспечения, контролируемых по пункту¦ ¦
¦ ¦4.1 или 4.4 ¦ ¦
L-------------+---------------------------------------+---------------
Техническое примечание (по вычислению совокупной
теоретической производительности)
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного элемента);
СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
x - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается в битах.
Основной метод вычисления СТП
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого вычислительного элемента (ВЭ);
2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ);
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента. Подробное описание этих процедур приведено ниже.
Примечания. 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:
Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)
--------------------------------T--------------------------------¬
¦ Для вычислительных ¦ Эффективная скорость ¦
¦ элементов, реализующих: ¦ вычислений ¦
+-------------------------------+--------------------------------+
¦только ФЗ ¦1/[3 x (время сложения ФЗ)] ¦
¦ ¦если операции сложения нет, ¦
¦ ¦то через умножение: ¦
¦(RФЗ) ¦1/(время умножения ФЗ) ¦
¦ ¦если нет ни операции сложения, ¦
¦ ¦ни операции умножения, то RФЗ ¦
¦ ¦рассчитывается через самую ¦
¦ ¦быструю из имеющихся ¦
¦ ¦арифметических операций: ¦
¦ ¦1/[3 x (время операции ФЗ)] ¦
¦ ¦ ¦
¦ ¦см. примечания X и Z ¦
¦ ¦ ¦
¦только ПЗ ¦МАХ {1/(время сложения ПЗ), ¦
¦(RПЗ) ¦ 1/(время умножения ПЗ)} ¦
¦ ¦ ¦
¦ ¦см. примечания X и Y ¦
¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦
¦и ФЗ, и ПЗ ¦вычисляется как RФЗ, так и RПЗ ¦
¦(R) ¦ ¦
¦Для простых логических ¦1/[3 x (время логической ¦
¦процессоров, не выполняющих ¦операции)] ¦
¦указанные арифметические ¦ ¦
¦операции ¦здесь время логической операции ¦
¦ ¦- это время выполнения операции ¦
¦ ¦"исключающее ИЛИ", а если ее ¦
¦ ¦нет, то берется самая быстрая ¦
¦ ¦простая логическая операция ¦
¦ ¦см. примечания Х и Z ¦
¦ ¦ ¦
¦Для специализированных ¦R = R' x ДС/64, ¦
¦логических процессоров, не ¦где R' - число результатов ¦
¦выполняющих указанные ¦ в секунду ¦
¦арифметические и логические ¦ ДС - число битов, над которым ¦
¦операции ¦ выполняется логическая ¦
¦ ¦ операция ¦
¦ ¦ 64 - коэффициент, ¦
¦ ¦ нормализующий под ¦
¦ ¦ 64-разрядную операцию ¦
L-------------------------------+---------------------------------
Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо
Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования.
Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл), время решения t вычисляется как:
время цикла
t = -------------------------------------
число арифметических операций в цикле
Вычислительный элемент, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение самого короткого времени исполнения.
Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
RПЗ = 1/(время деления ПЗ)
Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда
RПЗ = 1/(время обратной величины ПЗ)
Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если ни одна из указанных команд не используется, то RПЗ = 0.
Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:
1. Последовательные, или операции регистр - регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр - регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2;
2. Самая быстрая операция регистр - память или память - регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3;
3. Память - память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с учетом корректировки длины слова L:
ТП = R x L,
где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, - это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС).
Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В этом случае ТП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для:
Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (RФЗ);
Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (RПЗ);
Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
Каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и
Каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.
Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
ТП = max (ТПФЗ, ТППЗ)
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:
Примечания. 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое значение.
Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией.
При определении результата должны приниматься в расчет все технические средства и (или) схема ограничения целостности перекрывающихся операций.
2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может содержать множество ВЭ.
3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных или одновременных операций или действий.
4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети, объединенные устройствами ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.
5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем использования специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.3
СТП = ТП1 + C2 х ТП2 + ... + Cn х ТПn,
где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1, имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом:
Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих общую память:
C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75.
Примечания. 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ общего доступа при условии:
а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;
б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая кэш-память) осуществляется по общему каналу; и
в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.
Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по Категории 3.
2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш-память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с произвольным доступом сюда не входит.
Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти, взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
Сi = 0,75 x ki (i = 2, ..., 32) (см. примечание ниже)
= 0,60 x ki (i = 33, ..., 64)
= 0,45 x ki (i = 65, ..., 256)
= 0,30 x ki (i > 256)
Величина Сi основывается на номере ВЭ, но не на номере узла,
где ki = min (Si/Kr, 1); и
Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;
Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек) для всех информационных каналов, связывающих i-ый ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память.
Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп - 0,60.
Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:
ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и
в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому маленькому, т.е.
Ci >= Ci + 1
Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75
--------------T---------------------------------------T--------------¬
¦ № ¦ Наименование ¦Код товарной ¦
¦ позиции ¦ ¦номенклатуры ¦
¦ ¦ ¦внешнеэко- ¦
¦ ¦ ¦номической ¦
¦ ¦ ¦деятельности ¦
+-------------+---------------------------------------+--------------+
¦ ¦ Категория 5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Часть 1. Телекоммуникации ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. В части 1 Категории¦ ¦
¦ ¦5 определяется контрольный статус¦ ¦
¦ ¦компонентов, лазерного, испытательного¦ ¦
¦ ¦и производственного оборудования,¦ ¦
¦ ¦материалов и программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦специально разработанных для¦ ¦
¦ ¦телекоммуникационного оборудования или¦ ¦
¦ ¦систем ¦ ¦
¦ ¦2. В тех случаях, когда для¦ ¦
¦ ¦функционирования или поддержки¦ ¦
¦ ¦телекоммуникационного оборудования,¦ ¦
¦ ¦указанного в этой категории, и его¦ ¦
¦ ¦обеспечения важное значение имеют¦ ¦
¦ ¦цифровые ЭВМ, связанное с ними¦ ¦
¦ ¦оборудование или программное¦ ¦
¦ ¦обеспечение, которые рассматриваются в¦ ¦
¦ ¦качестве специально спроектированных¦ ¦
¦ ¦компонентов при условии, что они¦ ¦
¦ ¦являются стандартными моделями, обычно¦ ¦
¦ ¦поставляемыми производителем. Имеются в¦ ¦
¦ ¦виду функционирование,¦ ¦
¦ ¦администрирование, эксплуатация,¦ ¦
¦ ¦проектирование или правовые вопросы¦ ¦
¦ ¦компьютерных систем ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.1. ¦Телекоммуникационное оборудование,¦ ¦
¦ ¦имеющее любые из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик, свойств или качеств: ¦ ¦
¦ ¦а) специально разработанное для защиты¦8517; ¦
¦ ¦от транзисторных электронных эффектов¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦или электромагнитных импульсных¦8525 20 990; ¦
¦ ¦эффектов, возникающих при ядерном¦8527 90 980 0;¦
¦ ¦взрыве; ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦б) специально повышенной стойкости к¦8517; ¦
¦ ¦гамма-, нейтронному или ионному¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦излучению; или ¦8525 20 990; ¦
¦ ¦ ¦8527 90 980 0;¦
¦ ¦ ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦в) специально разработанное для¦8517; ¦
¦ ¦функционирования за пределами интервала¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦температур от 218 K (-55 град. C) до¦8525 20 990; ¦
¦ ¦397 K (124 град. C) ¦8527 90 980 0;¦
¦ ¦ ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания. 1. В пункте 5.1.1.1¦ ¦
¦ ¦подпункт "в" применяется только к¦ ¦
¦ ¦электронной аппаратуре ¦ ¦
¦ ¦2. По подпунктам "б" и "в" пункта¦ ¦
¦ ¦5.1.1.1 не контролируется оборудование,¦ ¦
¦ ¦предназначенное или модифицированное¦ ¦
¦ ¦для использования на борту спутников; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.2. ¦Телекоммуникационные передающие системы¦ ¦
¦ ¦и аппаратура и специально разработанные¦ ¦
¦ ¦компоненты и принадлежности, имеющие¦ ¦
¦ ¦любые из следующих характеристик,¦ ¦
¦ ¦свойств или качеств: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.2.1. ¦Наличие систем подводной связи, имеющих¦9015 80 910 0 ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) акустическую несущую частоту за¦ ¦
¦ ¦пределами интервала от 20 до 60 кГц; ¦ ¦
¦ ¦б) использующие электромагнитную¦ ¦
¦ ¦несущую частоту менее 30 кГц; или ¦ ¦
¦ ¦в) использующие методы электронного¦ ¦
¦ ¦сканирования луча ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.2.2. ¦Наличие радиоаппаратуры,¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦функционирующей в диапазоне частот¦8525 20 990 ¦
¦ ¦1,5 - 87,5 МГц и имеющей любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) включающая адаптивные методы,¦ ¦
¦ ¦обеспечивающие более 15 дБ подавления¦ ¦
¦ ¦помехового сигнала; или ¦ ¦
¦ ¦б) имеющая все следующие составляющие: ¦ ¦
¦ ¦1) автоматически прогнозируемые и¦ ¦
¦ ¦выбираемые значения частоты и общей¦ ¦
¦ ¦скорости цифровой передачи для ее¦ ¦
¦ ¦оптимизации; и ¦ ¦
¦ ¦2) встроенный линейный усилитель¦ ¦
¦ ¦мощности, способный одновременно¦ ¦
¦ ¦поддерживать множественные сигналы с¦ ¦
¦ ¦выходной мощностью 1 кВт или более в¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот 1,5 - 30 МГц или¦ ¦
¦ ¦250 Вт или более в диапазоне частот¦ ¦
¦ ¦30 - 87,5 МГц, свыше предельной полосы¦ ¦
¦ ¦пропускания в одну октаву или более и с¦ ¦
¦ ¦соотношением гармоник и искажений на¦ ¦
¦ ¦выходе лучше - 80 дБ; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.2.3. ¦Наличие радиоаппаратуры, использующей¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦методы расширения спектра, включая¦8525 20 990 ¦
¦ ¦методы скачкообразной перестройки¦ ¦
¦ ¦частоты, имеющей любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) коды расширения, программируемые¦ ¦
¦ ¦пользователем; или ¦ ¦
¦ ¦б) общую ширину полосы передачи частот,¦ ¦
¦ ¦в 100 или более раз превышающую полосу¦ ¦
¦ ¦частот любого одного информационного¦ ¦
¦ ¦канала и составляющую более 50 кГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. По подпункту "б"¦ ¦
¦ ¦пункта 5.1.1.2.3 не контролируется¦ ¦
¦ ¦оборудование, специально разработанное¦ ¦
¦ ¦для использования в коммерческих¦ ¦
¦ ¦гражданских сотовых¦ ¦
¦ ¦радиокоммуникационных системах ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 5.1.1.2.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируется оборудование,¦ ¦
¦ ¦спроектированное для работы с выходной¦ ¦
¦ ¦мощностью 1,0 Вт или менее; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.2.4. ¦Наличие радиоприемников с цифровым¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦управлением, имеющих все следующие¦8525 20 990 ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) более 1000 каналов; ¦ ¦
¦ ¦б) время переключения частоты менее¦ ¦
¦ ¦1 мс; ¦ ¦
¦ ¦в) автоматический поиск или¦ ¦
¦ ¦сканирование в части электромагнитного¦ ¦
¦ ¦спектра; и ¦ ¦
¦ ¦г) возможность идентификации принятого¦ ¦
¦ ¦сигнала или типа передатчика ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 5.1.1.2.4 не¦ ¦
¦ ¦контролируется оборудование, специально¦ ¦
¦ ¦разработанное для использования в¦ ¦
¦ ¦коммерческих гражданских сотовых¦ ¦
¦ ¦радиокоммуникационных системах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.2.5. ¦Использующие функции цифровой обработки¦8525 20 910 0;¦
¦ ¦сигнала для обеспечения кодирования¦8525 20 990 ¦
¦ ¦речи со скоростью менее 2400 бит/с ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.3. ¦Волоконно-оптические кабели связи,¦9001 10 900; ¦
¦ ¦оптические волокна и принадлежности,¦8544 70 000 0 ¦
¦ ¦такие как: ¦ ¦
¦ ¦а) оптические волокна и кабели длиной¦ ¦
¦ ¦более 500 м, способные выдерживать¦ ¦
¦ ¦напряжение на растяжение 2 х 1E9 Н/кв.¦ ¦
¦ ¦м или более в контрольном тесте ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание.¦ ¦
¦ ¦Контрольный тест - проверка на стадиях¦ ¦
¦ ¦изготовления или после изготовления,¦ ¦
¦ ¦которая заключается в приложении¦ ¦
¦ ¦заданного напряжения к волокну длиной¦ ¦
¦ ¦от более 0,5 до 3 м на скорости хода от¦ ¦
¦ ¦2 до 5 м/с при прохождении между¦ ¦
¦ ¦ведущими валами приблизительно 150 мм в¦ ¦
¦ ¦диаметре. Окружающая среда имеет¦ ¦
¦ ¦номинальные значения температуры 293 К¦ ¦
¦ ¦и относительной влажности 40%. Для¦ ¦
¦ ¦выполнения проверочного теста могут¦ ¦
¦ ¦использоваться соответствующие¦ ¦
¦ ¦национальные стандарты; ¦ ¦
¦ ¦б) волоконно-оптические кабели и¦ ¦
¦ ¦принадлежности, разработанные для¦ ¦
¦ ¦использования под водой. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По подпункту "б" пункта¦ ¦
¦ ¦5.1.1.3 не контролируются стандартные¦ ¦
¦ ¦телекоммуникационные кабели и¦ ¦
¦ ¦принадлежности для гражданского¦ ¦
¦ ¦использования. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особые примечания. 1. Для подводных¦ ¦
¦ ¦кабельных разъемов и соединителей для¦ ¦
¦ ¦них см. пункт 8.1.2.1.3. ¦ ¦
¦ ¦2. Для волоконно-оптических корпусных¦ ¦
¦ ¦разъемов и соединителей см. пункт¦ ¦
¦ ¦8.1.2.3; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.1.4. ¦Антенные фазированные решетки с¦8529 10 900 ¦
¦ ¦электронным сканированием луча,¦ ¦
¦ ¦функционирующие на частотах свыше¦ ¦
¦ ¦31 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 5.1.1.4 не¦ ¦
¦ ¦контролируются антенные фазированные¦ ¦
¦ ¦решетки для систем посадки с¦ ¦
¦ ¦аппаратурой, удовлетворяющей стандартам¦ ¦
¦ ¦Международной организации гражданской¦ ¦
¦ ¦авиации (ИКАО), перекрывающим системы¦ ¦
¦ ¦посадки СВЧ-диапазона (MLS) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1. ¦Испытательное, контрольное и¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.1. ¦Оборудование и специально разработанные¦ ¦
¦ ¦компоненты или принадлежности для него,¦ ¦
¦ ¦специально предназначенные для¦ ¦
¦ ¦разработки, производства или¦ ¦
¦ ¦использования оборудования, функций или¦ ¦
¦ ¦свойств, контролируемых по части 1¦ ¦
¦ ¦Категории 5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 5.2.1.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются оптические волокна и¦ ¦
¦ ¦волоконно-оптические заготовки для¦ ¦
¦ ¦оборудования, не использующего¦ ¦
¦ ¦полупроводниковые лазеры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.2. ¦Оборудование и специально¦ ¦
¦ ¦спроектированные компоненты или¦ ¦
¦ ¦принадлежности для него, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки любого¦ ¦
¦ ¦из следующего телекоммуникационного¦ ¦
¦ ¦оборудования передачи данных или¦ ¦
¦ ¦управляемого встроенной программой¦ ¦
¦ ¦коммутационного оборудования: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.2.1. ¦Оборудования, использующего цифровую¦ ¦
¦ ¦технику, включающую асинхронный режим¦ ¦
¦ ¦передачи, предназначенную для¦ ¦
¦ ¦выполнения операций с общей скоростью¦ ¦
¦ ¦цифровой передачи, превышающей 1,5¦ ¦
¦ ¦Гбит/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.2.2. ¦Оборудования, использующего лазер и¦ ¦
¦ ¦имеющего любую из следующих¦ ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) длину волны передачи данных,¦ ¦
¦ ¦превышающую 1750 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) исполнение оптического усиления; ¦ ¦
¦ ¦в) использование техники когерентной¦ ¦
¦ ¦оптической передачи или когерентного¦ ¦
¦ ¦оптического детектирования (известного¦ ¦
¦ ¦также как техника оптического¦ ¦
¦ ¦гетеродина или гомодина); или ¦ ¦
¦ ¦г) использование аналоговой техники и¦ ¦
¦ ¦наличие ширины полосы пропускания свыше¦ ¦
¦ ¦2,5 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. По подпункту "г" пункта¦ ¦
¦ ¦5.2.1.2.2 не контролируется¦ ¦
¦ ¦оборудование, специально¦ ¦
¦ ¦предназначенное для разработки систем¦ ¦
¦ ¦коммерческого телевидения; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.2.3. ¦Оборудования, использующего оптическую¦ ¦
¦ ¦коммутацию; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.2.4. ¦Радиоаппаратуры, использующей методы¦ ¦
¦ ¦квадратурно-амплитудной модуляции с¦ ¦
¦ ¦уровнем выше 128 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.1.2.5. ¦Оборудования, использующего передачу¦ ¦
¦ ¦сигнала по общему каналу,¦ ¦
¦ ¦осуществляемую либо в несвязанном, либо¦ ¦
¦ ¦в квазисвязанном режиме работы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.3.1. ¦Материалы - нет ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.1. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦созданное или модифицированное для¦ ¦
¦ ¦разработки, производства или¦ ¦
¦ ¦использования оборудования, операций¦ ¦
¦ ¦или устройств, контролируемых по части¦ ¦
¦ ¦1 Категории 5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.2. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦разработанное или модифицированное для¦ ¦
¦ ¦поддержки технологий, контролируемых по¦ ¦
¦ ¦пункту 5.5.1 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.3. ¦Специальное программное обеспечение,¦ ¦
¦ ¦такое, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.3.1. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦разработанное или модифицированное для¦ ¦
¦ ¦обеспечения характеристик, функций или¦ ¦
¦ ¦свойств аппаратуры, контролируемой по¦ ¦
¦ ¦пункту 5.1.1 или 5.2.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.3.2. ¦Программное обеспечение, обеспечивающее¦ ¦
¦ ¦способность восстановления исходного¦ ¦
¦ ¦текста телекоммуникационного¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦контролируемого по части 1 Категории 5;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.3.3. ¦Программное обеспечение в отличной от¦ ¦
¦ ¦машиноисполняемой форме, специально¦ ¦
¦ ¦разработанное для динамической¦ ¦
¦ ¦адаптивной маршрутизации ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.4. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированное или модифицированное¦ ¦
¦ ¦для разработки любого из следующего¦ ¦
¦ ¦телекоммуникационного оборудования¦ ¦
¦ ¦передачи данных или управляемого¦ ¦
¦ ¦встроенной программой коммутационного¦ ¦
¦ ¦оборудования: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.4.1. ¦Оборудования, использующего цифровую¦ ¦
¦ ¦технику, включающую асинхронный режим¦ ¦
¦ ¦передачи, предназначенную для¦ ¦
¦ ¦выполнения операций с общей скоростью¦ ¦
¦ ¦цифровой передачи, превышающей 1,5¦ ¦
¦ ¦Гбит/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.4.2. ¦Оборудования, использующего лазер и¦ ¦
¦ ¦имеющего любую из следующих¦ ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) длину волны передачи данных,¦ ¦
¦ ¦превышающую 1750 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) использование аналоговой техники и¦ ¦
¦ ¦наличие ширины полосы пропускания свыше¦ ¦
¦ ¦2,5 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. По подпункту "б" пункта¦ ¦
¦ ¦5.4.1.4.2 не контролируется программное¦ ¦
¦ ¦обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированное или модифицированное¦ ¦
¦ ¦для разработки систем коммерческого¦ ¦
¦ ¦телевидения; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.4.3. ¦Оборудования, использующего оптическую¦ ¦
¦ ¦коммутацию; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.1.4.4. ¦Радиоаппаратуры, использующей методы¦ ¦
¦ ¦квадратурно-амплитудной модуляции с¦ ¦
¦ ¦уровнем выше 128 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1. ¦Технология ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.1. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки,¦ ¦
¦ ¦производства или использования¦ ¦
¦ ¦(исключая функционирование)¦ ¦
¦ ¦оборудования, операций или свойств,¦ ¦
¦ ¦или программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по части 1 Категории 5; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.2. ¦Отдельные виды технологий, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.2.1. ¦Технология, требуемая для разработки¦ ¦
¦ ¦или производства телекоммуникационного¦ ¦
¦ ¦оборудования, специально разработанного¦ ¦
¦ ¦для использования на борту спутников; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.2.2. ¦Технология для разработки или¦ ¦
¦ ¦использования методов лазерной связи со¦ ¦
¦ ¦способностью автоматического захвата и¦ ¦
¦ ¦слежения сигнала и поддержания связи¦ ¦
¦ ¦через внешнюю атмосферу или через слой¦ ¦
¦ ¦жидкости (воды); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.2.3. ¦Технология для разработки цифровых¦ ¦
¦ ¦сотовых радиосистем; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.2.4. ¦Технология для разработки аппаратуры,¦ ¦
¦ ¦использующей методы расширения спектра,¦ ¦
¦ ¦включая методы скачкообразной¦ ¦
¦ ¦перестройки частоты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.3. ¦Технологии, предназначенные в¦ ¦
¦ ¦соответствии с общим технологическим¦ ¦
¦ ¦примечанием для разработки или¦ ¦
¦ ¦производства любого из следующего¦ ¦
¦ ¦телекоммуникационного оборудования¦ ¦
¦ ¦передачи данных по линиям связи или¦ ¦
¦ ¦управляемого встроенной программой¦ ¦
¦ ¦коммутационного оборудования: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.3.1. ¦Оборудования, использующего цифровую¦ ¦
¦ ¦технику, включающую асинхронный режим¦ ¦
¦ ¦передачи, предназначенную для¦ ¦
¦ ¦выполнения операций с общей скоростью¦ ¦
¦ ¦цифровой передачи, превышающей 1,5¦ ¦
¦ ¦Гбит/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.3.2. ¦Оборудования, использующего лазер и¦ ¦
¦ ¦имеющего любую из следующих¦ ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) длину волны передачи данных,¦ ¦
¦ ¦превышающую 1750 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) использование оптического усиления с¦ ¦
¦ ¦применением фторсодержащих с добавкой¦ ¦
¦ ¦празеодимия волоконных усилителей; ¦ ¦
¦ ¦в) использование техники когерентной¦ ¦
¦ ¦оптической передачи или когерентного¦ ¦
¦ ¦оптического детектирования (известного¦ ¦
¦ ¦также как техника оптического¦ ¦
¦ ¦гетеродина); ¦ ¦
¦ ¦г) использование техники¦ ¦
¦ ¦мультиплексирования при распределении¦ ¦
¦ ¦длин волн, обладающей более чем 8¦ ¦
¦ ¦оптическими разрядами переноса в¦ ¦
¦ ¦одинарное оптическое окно; или ¦ ¦
¦ ¦д) использование аналоговой техники и¦ ¦
¦ ¦наличие ширины полосы пропускания свыше¦ ¦
¦ ¦2,5 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. По подпункту "д" пункта¦ ¦
¦ ¦5.5.1.3.2 не контролируются технологии¦ ¦
¦ ¦для разработки или производства систем¦ ¦
¦ ¦коммерческого телевидения; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.3.3. ¦Оборудования, использующего оптическую¦ ¦
¦ ¦коммутацию; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.3.4. ¦Радиоаппаратуры, имеющей любую из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) технику квадратурно-амплитудной¦ ¦
¦ ¦модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или¦ ¦
¦ ¦б) действующей на входных или выходных¦ ¦
¦ ¦частотах, превышающих 31 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. По подпункту "б" пункта¦ ¦
¦ ¦5.5.1.3.4 не контролируются технологии¦ ¦
¦ ¦для разработки или производства¦ ¦
¦ ¦оборудования, сконструированного или¦ ¦
¦ ¦модифицированного для работы в любом¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот, установленном¦ ¦
¦ ¦Международным союзом электросвязи; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.1.3.5. ¦Оборудования, использующего передачу¦ ¦
¦ ¦сигнала по общему каналу,¦ ¦
¦ ¦осуществляемую либо в несвязанном, либо¦ ¦
¦ ¦в квазисвязанном режиме работы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Часть 2. Защита информации ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Контрольный статус¦ ¦
¦ ¦Информационная безопасность¦ ¦
¦ ¦оборудования, программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦систем, электронных сборок специального¦ ¦
¦ ¦применения, модулей, интегральных схем,¦ ¦
¦ ¦компонентов или функций, применяемых¦ ¦
¦ ¦для защиты информации, определяется по¦ ¦
¦ ¦части 2 Категории 5, даже если они¦ ¦
¦ ¦являются компонентами или электронными¦ ¦
¦ ¦сборками другой аппаратуры ¦ ¦
¦ ¦2. Экспортный контроль не¦ ¦
¦ ¦распространяется на продукцию,¦ ¦
¦ ¦перечисленную в части 2 Категории 5,¦ ¦
¦ ¦когда она вывозится пользователями для¦ ¦
¦ ¦своего индивидуального использования ¦ ¦
¦ ¦3. По пунктам 5.1.2 и 5.4.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются предметы, которые¦ ¦
¦ ¦удовлетворяют всем следующим¦ ¦
¦ ¦требованиям: ¦ ¦
¦ ¦а) общедоступны для продажи¦ ¦
¦ ¦общественности без ограничений, из¦ ¦
¦ ¦имеющегося в наличии в местах розничной¦ ¦
¦ ¦продажи, посредством любого из¦ ¦
¦ ¦следующего: ¦ ¦
¦ ¦1) сделок по продаже в розничной¦ ¦
¦ ¦торговле; ¦ ¦
¦ ¦2) сделок по почтовым запросам (высылка¦ ¦
¦ ¦товаров по почте); ¦ ¦
¦ ¦3) электронных сделок; или ¦ ¦
¦ ¦4) сделок по телефонным заказам; ¦ ¦
¦ ¦б) криптографические возможности¦ ¦
¦ ¦которых не могут быть легко изменены¦ ¦
¦ ¦пользователем; ¦ ¦
¦ ¦в) разработанные для установки¦ ¦
¦ ¦пользователем без дальнейшей¦ ¦
¦ ¦существенной поддержки поставщиком; и ¦ ¦
¦ ¦г) не содержащие симметричный алгоритм,¦ ¦
¦ ¦использующий длину ключа, превышающую¦ ¦
¦ ¦64 бита ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. В части 2¦ ¦
¦ ¦Категории 5 разряды четности не¦ ¦
¦ ¦включаются в длину ключа ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1. ¦Системы, аппаратура, специальные¦ ¦
¦ ¦сборки, модули и интегральные схемы,¦ ¦
¦ ¦применяемые для защиты информации, и¦ ¦
¦ ¦другие специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦этого компоненты: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для контроля¦ ¦
¦ ¦глобальных навигационных спутниковых¦ ¦
¦ ¦систем, содержащих приемную аппаратуру¦ ¦
¦ ¦или использующих дешифровку (Глобальной¦ ¦
¦ ¦спутниковой системы радиоопределения -¦ ¦
¦ ¦GPS или Глобальной навигационной¦ ¦
¦ ¦спутниковой системы - ГЛОНАСС), см.¦ ¦
¦ ¦пункт 7.1.5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.1. ¦Спроектированные или модифицированные¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦для использования криптографии с¦ ¦
¦ ¦применением цифровой техники,¦ ¦
¦ ¦выполняющие любые криптографические¦ ¦
¦ ¦функции, иные чем определение¦ ¦
¦ ¦подлинности или электронной подписи,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) симметричный алгоритм, использующий¦ ¦
¦ ¦длину ключа, превышающую 56 бит; или ¦ ¦
¦ ¦б) асимметричный алгоритм, где защита¦ ¦
¦ ¦алгоритма базируется на любом из¦ ¦
¦ ¦следующего: ¦ ¦
¦ ¦1. Разложении на множители целых чисел,¦ ¦
¦ ¦превышающих 512 бит; или ¦ ¦
¦ ¦2. Вычислении дискретных логарифмов в¦ ¦
¦ ¦мультипликативной группе конечного поля¦ ¦
¦ ¦размера, превышающего 512 бит; или ¦ ¦
¦ ¦3. Дискретном логарифме в группе,¦ ¦
¦ ¦отличной от поименованных в подпункте¦ ¦
¦ ¦"б" пункта 5.1.2.1.1 и размера,¦ ¦
¦ ¦превышающего 112 бит ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1. Функции¦ ¦
¦ ¦определения подлинности электронной¦ ¦
¦ ¦подписи включают в себя связанную с¦ ¦
¦ ¦ними функцию ключевого управления ¦ ¦
¦ ¦2. Определение подлинности включает в¦ ¦
¦ ¦себя все аспекты контроля доступа, где¦ ¦
¦ ¦нет шифрования файлов или текстов, за¦ ¦
¦ ¦исключением шифрования, которое¦ ¦
¦ ¦непосредственно связано с защитой¦ ¦
¦ ¦паролей, персональных идентификационных¦ ¦
¦ ¦номеров или подобных данных для защиты¦ ¦
¦ ¦от несанкционированного доступа. ¦ ¦
¦ ¦3. Криптография не включает технику для¦ ¦
¦ ¦постоянного сжатия данных или¦ ¦
¦ ¦кодирования. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Пункт 5.1.2.1.1¦ ¦
¦ ¦включает оборудование, разработанное¦ ¦
¦ ¦или модифицированное для использования¦ ¦
¦ ¦криптографии, работающее на¦ ¦
¦ ¦аналоговом принципе, выполнение¦ ¦
¦ ¦которого обеспечивается цифровой¦ ¦
¦ ¦техникой; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.2. ¦Разработанные или модифицированные для¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦выполнения криптоаналитических функций;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.3 ¦Исключен ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.4. ¦Специально разработанные или¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦модифицированные для снижения¦ ¦
¦ ¦нежелательной утечки несущих информацию¦ ¦
¦ ¦сигналов, кроме того, что необходимо¦ ¦
¦ ¦для защиты здоровья или соответствия¦ ¦
¦ ¦установленным стандартам¦ ¦
¦ ¦электромагнитных помех ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.5. ¦Разработанные или модифицированные для¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦применения криптографических методов¦ ¦
¦ ¦генерации расширяющегося кода для¦ ¦
¦ ¦систем расширения спектра, включая¦ ¦
¦ ¦скачкообразную перестройку кодов для¦ ¦
¦ ¦систем скачкообразной перестройки¦ ¦
¦ ¦частоты; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.6. ¦Разработанные или модифицированные для¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦обеспечения сертифицированной или¦ ¦
¦ ¦подлежащей сертификации многоуровневой¦ ¦
¦ ¦защиты или изоляции пользователя на¦ ¦
¦ ¦уровне, превышающем класс В2 критерия¦ ¦
¦ ¦оценки надежности компьютерных систем¦ ¦
¦ ¦или эквивалентном; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.1.2.1.7. ¦Кабельные системы связи, разработанные¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦или модифицированные с использованием¦ ¦
¦ ¦механических, электрических или¦ ¦
¦ ¦электронных средств для обнаружения¦ ¦
¦ ¦несанкционированного доступа ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 5.1.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦1. Персональные кредитные карточки со¦ ¦
¦ ¦встроенной микроЭВМ, где¦ ¦
¦ ¦криптографические возможности¦ ¦
¦ ¦ограничены использованием в¦ ¦
¦ ¦оборудовании или системах, выведенных¦ ¦
¦ ¦из-под контроля подпунктами 2 - 6¦ ¦
¦ ¦настоящего примечания. ¦ ¦
¦ ¦Если персональная кредитная карточка со¦ ¦
¦ ¦встроенной микроЭВМ имеет несколько¦ ¦
¦ ¦функций, то контрольный статус каждой¦ ¦
¦ ¦функции определяется индивидуально. ¦ ¦
¦ ¦2. Приемное оборудование для¦ ¦
¦ ¦радиовещания, коммерческого телевидения¦ ¦
¦ ¦или иной передачи сообщений¦ ¦
¦ ¦коммерческого типа для вещания на¦ ¦
¦ ¦ограниченную аудиторию без шифрования¦ ¦
¦ ¦цифрового сигнала, кроме случаев его¦ ¦
¦ ¦использования исключительно для¦ ¦
¦ ¦отправки счетов или возврата¦ ¦
¦ ¦информации, связанной с программой,¦ ¦
¦ ¦поставщикам. ¦ ¦
¦ ¦3. Оборудование, криптографические¦ ¦
¦ ¦возможности которого недоступны¦ ¦
¦ ¦пользователю, специально разработанное¦ ¦
¦ ¦или ограниченное для применения любым¦ ¦
¦ ¦из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) программное обеспечение исполнено в¦ ¦
¦ ¦защищенном от копирования виде; ¦ ¦
¦ ¦б) доступом к любому из следующего: ¦ ¦
¦ ¦защищенной от копирования, доступной¦ ¦
¦ ¦только для чтения среде передачи¦ ¦
¦ ¦данных; или ¦ ¦
¦ ¦информации, накопленной в зашифрованной¦ ¦
¦ ¦форме в среде (например, в связи с¦ ¦
¦ ¦защитой прав интеллектуальной¦ ¦
¦ ¦собственности), когда такая среда¦ ¦
¦ ¦предлагается на продажу населению в¦ ¦
¦ ¦идентичных наборах; или ¦ ¦
¦ ¦в) одноразовым копированием аудио- или¦ ¦
¦ ¦видеоинформации, защищенной авторскими¦ ¦
¦ ¦правами. ¦ ¦
¦ ¦4. Криптографическое оборудование,¦ ¦
¦ ¦специально спроектированное и¦ ¦
¦ ¦ограниченное применением для банковских¦ ¦
¦ ¦или финансовых операций. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Финансовые¦ ¦
¦ ¦операции, указанные в пункте 4¦ ¦
¦ ¦примечания к пункту 5.1.2, включают¦ ¦
¦ ¦сборы и оплату за транспортные услуги¦ ¦
¦ ¦или кредитование. ¦ ¦
¦ ¦5. Портативные или мобильные¦ ¦
¦ ¦радиотелефоны гражданского назначения¦ ¦
¦ ¦(например, для использования в¦ ¦
¦ ¦коммерческих гражданских системах¦ ¦
¦ ¦сотовой радиосвязи), которые не¦ ¦
¦ ¦содержат функции сквозного шифрования. ¦ ¦
¦ ¦6. Беспроводное телефонное оборудование¦ ¦
¦ ¦с батарейным питанием, не способное к¦ ¦
¦ ¦сквозному шифрованию, максимальный¦ ¦
¦ ¦диапазон беспроводного действия¦ ¦
¦ ¦которого на батарейном питании без¦ ¦
¦ ¦усиления (одиночное, без ретрансляции,¦ ¦
¦ ¦соединение между терминалом и домашней¦ ¦
¦ ¦базовой станцией) составляет менее 400¦ ¦
¦ ¦м в соответствии со спецификацией¦ ¦
¦ ¦производителя. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.2. ¦Испытательное, контрольное и¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.2.1. ¦Оборудование, специально разработанное¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦для: ¦ ¦
¦ ¦а) разработки аппаратуры или функций,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по части 2 Категории 5,¦ ¦
¦ ¦включая аппаратуру для измерений или¦ ¦
¦ ¦испытаний; ¦ ¦
¦ ¦б) производства аппаратуры или функций,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по части 2 Категории 5,¦ ¦
¦ ¦включая аппаратуру для измерений,¦ ¦
¦ ¦испытаний, ремонта или производства ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.2.2.2. ¦Измерительная аппаратура, специально¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦разработанная для оценки и¦ ¦
¦ ¦подтверждения функций защиты¦ ¦
¦ ¦информации, контролируемых по пункту¦ ¦
¦ ¦5.1.2 или 5.4.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.3.2. ¦Материалы - нет ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.2. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.2.1. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦созданное или модифицированное для¦ ¦
¦ ¦разработки, производства или¦ ¦
¦ ¦использования оборудования или¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по части 2 Категории 5; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.2.2. ¦Программное обеспечение, специально¦ ¦
¦ ¦созданное или модифицированное для¦ ¦
¦ ¦поддержки технологии, контролируемой по¦ ¦
¦ ¦пункту 5.5.2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.2.3. ¦Специальные виды программного¦ ¦
¦ ¦обеспечения, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.2.3.1. ¦Программное обеспечение, имеющее¦ ¦
¦ ¦характеристики или выполняющее, или¦ ¦
¦ ¦воспроизводящее функции аппаратуры,¦ ¦
¦ ¦контролируемой по пункту 5.1.2 или¦ ¦
¦ ¦5.2.2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.4.2.3.2. ¦Программное обеспечение для¦ ¦
¦ ¦сертификации программного обеспечения,¦ ¦
¦ ¦контролируемого по пункту 5.4.2.3.1 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 5.4.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) программное обеспечение, требуемое¦ ¦
¦ ¦для использования в аппаратуре, не¦ ¦
¦ ¦контролируемой примечанием к пункту¦ ¦
¦ ¦5.1.2; ¦ ¦
¦ ¦б) программное обеспечение, реализующее¦ ¦
¦ ¦любую функцию аппаратуры, не¦ ¦
¦ ¦контролируемой примечанием к пункту¦ ¦
¦ ¦5.1.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.2. ¦Технология ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦5.5.2.1. ¦Технологии, в соответствии с общим¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки,¦ ¦
¦ ¦производства или использования¦ ¦
¦ ¦оборудования либо программного¦ ¦
¦ ¦обеспечения, контролируемых по части 2¦ ¦
¦ ¦Категории 5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Категория 6. Датчики и лазеры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1. ¦Акустика ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1. ¦Морские акустические системы,¦ ¦
¦ ¦оборудование и специально разработанные¦ ¦
¦ ¦для них компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.1. ¦Нижеперечисленные активные (передающие¦ ¦
¦ ¦и приемопередающие) системы,¦ ¦
¦ ¦оборудование и специально разработанные¦ ¦
¦ ¦компоненты для этого: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) гидролокаторы глубины вертикального¦ ¦
¦ ¦действия, не обладающие функцией¦ ¦
¦ ¦сканирования луча свыше +/- 20 град., и¦ ¦
¦ ¦ограниченного применения для измерения¦ ¦
¦ ¦глубины воды, расстояния до погруженных¦ ¦
¦ ¦или заглубленных объектов или косяков¦ ¦
¦ ¦рыбы; ¦ ¦
¦ ¦б) следующие акустические буи: ¦ ¦
¦ ¦1) аварийные акустические буи; ¦ ¦
¦ ¦2) излучатели ультразвуковых импульсов,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦перемещения или возвращения в подводное¦ ¦
¦ ¦положение ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.1.1. ¦Измеряющие глубину широкообзорные¦9015 80 910 0 ¦
¦ ¦системы, предназначенные для¦ ¦
¦ ¦картографирования морского дна, имеющие¦ ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) предназначенные для измерения при¦ ¦
¦ ¦углах отклонения от вертикали более¦ ¦
¦ ¦20 град.; ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для измерения¦ ¦
¦ ¦глубины более 600 м от поверхности¦ ¦
¦ ¦воды; и ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для обеспечения¦ ¦
¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) объединения нескольких лучей, любой¦ ¦
¦ ¦из которых уже 1,9 град; или ¦ ¦
¦ ¦2) точности измерений лучше 0,3% от¦ ¦
¦ ¦глубины воды, полученных путем¦ ¦
¦ ¦усреднения отдельных измерений в¦ ¦
¦ ¦пределах полосы; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.1.2. ¦Системы обнаружения или определения¦9015 80 910 0 ¦
¦ ¦местоположения, имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) частоту передачи ниже 10 кГц; ¦ ¦
¦ ¦б) уровень звукового давления выше¦ ¦
¦ ¦224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования¦ ¦
¦ ¦с рабочей частотой в диапазоне от¦ ¦
¦ ¦10 кГц до 24 кГц включительно; ¦ ¦
¦ ¦в) уровень звукового давления выше¦ ¦
¦ ¦235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования¦ ¦
¦ ¦с рабочей частотой в диапазоне между¦ ¦
¦ ¦24 кГц и 30 кГц; ¦ ¦
¦ ¦г) формирование лучей уже 1 град. по¦ ¦
¦ ¦любой оси и рабочую частоту ниже¦ ¦
¦ ¦100 кГц; ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы с¦ ¦
¦ ¦дальностью разрешения целей более¦ ¦
¦ ¦5120 м; или ¦ ¦
¦ ¦е) предназначенные для нормального¦ ¦
¦ ¦функционирования на глубинах свыше¦ ¦
¦ ¦1000 м и имеющие датчики с любыми из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) динамически подстраиваемые под¦ ¦
¦ ¦давление; или ¦ ¦
¦ ¦2) содержащие другие преобразующие¦ ¦
¦ ¦элементы, нежели изготовленные из¦ ¦
¦ ¦свинцового титаната цирконата; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.1.3. ¦Акустические прожекторы, включающие¦9015 80 910 0 ¦
¦ ¦преобразователи, объединяющие¦ ¦
¦ ¦пьезоэлектрические, ¦ ¦
¦ ¦магнитострикционные, ¦ ¦
¦ ¦электрострикционные, ¦ ¦
¦ ¦электродинамические или гидравлические¦ ¦
¦ ¦элементы, действующие индивидуально или¦ ¦
¦ ¦в определенной комбинации, имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) плотность мгновенной излучаемой¦ ¦
¦ ¦акустической мощности, превышающую¦ ¦
¦ ¦0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов,¦ ¦
¦ ¦действующих на частотах ниже 10 кГц; ¦ ¦
¦ ¦б) плотность непрерывно излучаемой¦ ¦
¦ ¦акустической мощности, превышающую¦ ¦
¦ ¦0,001 мВт/кв. мм/Гц для приборов,¦ ¦
¦ ¦действующих на частотах ниже 10 кГц;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Плотность¦ ¦
¦ ¦акустической мощности получается в¦ ¦
¦ ¦результате деления выходной¦ ¦
¦ ¦акустической мощности на произведение¦ ¦
¦ ¦площади излучающей поверхности и¦ ¦
¦ ¦рабочей частоты; ¦ ¦
¦ ¦в) подавление боковых лепестков более¦ ¦
¦ ¦22 дБ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Контрольный статус¦ ¦
¦ ¦акустических прожекторов, включающих¦ ¦
¦ ¦преобразователи, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для другого оборудования,¦ ¦
¦ ¦определяется контрольным статусом этого¦ ¦
¦ ¦другого оборудования ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются электронные источники,¦ ¦
¦ ¦осуществляющие только вертикальное¦ ¦
¦ ¦зондирование, механические (например,¦ ¦
¦ ¦пневматические ружья или пароударные¦ ¦
¦ ¦ружья) или химические (например,¦ ¦
¦ ¦взрывные) источники; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.1.4. ¦Акустические системы, оборудование и¦9015 80 110 0 ¦
¦ ¦специально разработанные компоненты¦ ¦
¦ ¦для определения положения надводных¦ ¦
¦ ¦судов и подводных аппаратов,¦ ¦
¦ ¦предназначенные для работы на¦ ¦
¦ ¦дистанции более 1000 м с точностью¦ ¦
¦ ¦позиционирования менее 10 м СКО¦ ¦
¦ ¦(среднеквадратичное отклонение) при¦ ¦
¦ ¦измерении на расстояниях до 1000 м¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Пункт 6.1.1.1.1.4¦ ¦
¦ ¦включает: ¦ ¦
¦ ¦а) оборудование, использующее¦ ¦
¦ ¦когерентную обработку сигналов между¦ ¦
¦ ¦двумя или более буями и гидрофонное¦ ¦
¦ ¦устройство надводных судов и подводных¦ ¦
¦ ¦аппаратов; ¦ ¦
¦ ¦б) оборудование, обладающее¦ ¦
¦ ¦способностью автокоррекции погрешности¦ ¦
¦ ¦скорости распространения звука для¦ ¦
¦ ¦вычислений местоположения. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2. ¦Пассивные (принимающие в штатном режиме¦ ¦
¦ ¦независимо от связи с активной¦ ¦
¦ ¦аппаратурой) системы, оборудование и¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2.1. ¦Гидрофоны с любой из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) включающие гибкие датчики¦9015 80 110 0;¦
¦ ¦непрерывного действия или сборки¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦датчиков дискретного действия с¦ ¦
¦ ¦диаметром или длиной менее 20 мм и с¦ ¦
¦ ¦расстоянием между элементами менее¦ ¦
¦ ¦20 мм; ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие любой из следующих¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦чувствительных элементов: ¦ ¦
¦ ¦1) волоконно-оптический; ¦ ¦
¦ ¦2) пьезоэлектрический полимерный; или ¦ ¦
¦ ¦3) гибкий пьезоэлектрический из¦ ¦
¦ ¦керамических материалов; ¦ ¦
¦ ¦в) имеющие гидрофонную чувствительность¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦лучше -180 дБ на любой глубине без¦ ¦
¦ ¦компенсации ускорения; ¦ ¦
¦ ¦г) разработанные для действия на¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м, с¦ ¦
¦ ¦компенсацией ускорения; или ¦ ¦
¦ ¦д) созданные для работы на глубинах¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦более 1000 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Гидрофонная¦ ¦
¦ ¦чувствительность определяется как¦ ¦
¦ ¦двадцатикратный десятичный логарифм¦ ¦
¦ ¦отношения среднеквадратичного выходного¦ ¦
¦ ¦напряжения к опорному напряжению 1 В¦ ¦
¦ ¦(СКО), когда гидрофонный датчик без¦ ¦
¦ ¦предусилителя помещен в акустическое¦ ¦
¦ ¦поле плоской волны со¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичным давлением 1 мкПа.¦ ¦
¦ ¦Например: гидрофон c -160 дБ (опорное¦ ¦
¦ ¦напряжение 1 В на мкПа) даст выходное¦ ¦
¦ ¦напряжение 1E(-8) В в таком поле, в то¦ ¦
¦ ¦время как другой, с чувствительностью¦ ¦
¦ ¦-180 дБ, даст только 1E(-9) В на¦ ¦
¦ ¦выходе. Таким образом, -160 дБ лучше,¦ ¦
¦ ¦чем -180 дБ; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Контрольный статус¦ ¦
¦ ¦гидрофонов, специально разработанных¦ ¦
¦ ¦для другого оборудования, определяется¦ ¦
¦ ¦контрольным статусом этого¦ ¦
¦ ¦оборудования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2.2. ¦Буксируемые акустические гидрофонные¦9015 80 930 0;¦
¦ ¦решетки, имеющие любую из следующих¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) гидрофонные группы, расположенные с¦ ¦
¦ ¦шагом 12,5 м и менее; ¦ ¦
¦ ¦б) разработанные или способные быть¦ ¦
¦ ¦модифицированными для работы на¦ ¦
¦ ¦глубинах более 35 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Способность¦ ¦
¦ ¦к модификации, указанная в подпункте¦ ¦
¦ ¦"б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает¦ ¦
¦ ¦наличие возможности изменения обмотки¦ ¦
¦ ¦или внутренних соединений для изменения¦ ¦
¦ ¦расположения гидрофонной группы или¦ ¦
¦ ¦пределов рабочих глубин. Такими¦ ¦
¦ ¦возможностями являются наличие запасных¦ ¦
¦ ¦витков обмотки более 10% от числа¦ ¦
¦ ¦рабочих витков, блоков настройки¦ ¦
¦ ¦конфигурации гидрофонной группы или¦ ¦
¦ ¦устройств ограничения глубины¦ ¦
¦ ¦погружения, обеспечивающих регулировку¦ ¦
¦ ¦или контроль более чем одной¦ ¦
¦ ¦гидрофонной группы; ¦ ¦
¦ ¦в) имеющие управляемые датчики,¦ ¦
¦ ¦контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4; ¦ ¦
¦ ¦г) имеющие продольно укрепленные¦ ¦
¦ ¦соединительные кабели решеток; ¦ ¦
¦ ¦д) имеющие собранные решетки диаметром¦ ¦
¦ ¦менее 40 мм; ¦ ¦
¦ ¦е) мультиплексированные сигналы¦ ¦
¦ ¦гидрофонных групп, разработанных для¦ ¦
¦ ¦работы на глубинах более 35 м или¦ ¦
¦ ¦имеющих регулируемое либо сменное¦ ¦
¦ ¦глубинное чувствительное устройство,¦ ¦
¦ ¦предназначенное для работы на глубинах,¦ ¦
¦ ¦превышающих 35 м; или ¦ ¦
¦ ¦ж) характеристики гидрофонов, указанные¦ ¦
¦ ¦в пункте 6.1.1.1.2.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2.3. ¦Аппаратура обработки данных, специально¦9015 80 930 0;¦
¦ ¦разработанная для применения в¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦буксируемых акустических гидрофонных¦ ¦
¦ ¦решетках, обладающая программируемостью¦ ¦
¦ ¦пользователем, обработкой во временной¦ ¦
¦ ¦или частотной области и корреляцией,¦ ¦
¦ ¦включая спектральный анализ, цифровую¦ ¦
¦ ¦фильтрацию и формирование луча с¦ ¦
¦ ¦использованием быстрого преобразования¦ ¦
¦ ¦Фурье или других преобразований или¦ ¦
¦ ¦процессов; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2.4. ¦Управляемые датчики, имеющие все¦9015 80 110 0;¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦а) точность лучше +/- 0,5 град.; и ¦ ¦
¦ ¦б) разработанные для работы на¦ ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м, либо¦ ¦
¦ ¦имеющие регулируемое или сменное¦ ¦
¦ ¦глубинное чувствительное устройство,¦ ¦
¦ ¦предназначенное для работы на глубинах,¦ ¦
¦ ¦превышающих 35 м; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2.5. ¦Донные или притопленные кабельные¦9015 80 930 0;¦
¦ ¦системы, имеющие любую из следующих¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) объединяющие гидрофоны, указанные в¦ ¦
¦ ¦пункте 6.1.1.1.2.1; или ¦ ¦
¦ ¦б) объединенные мультиплексированной¦ ¦
¦ ¦гидрофонной группой сигнальные модули,¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) разработаны для работы на глубинах,¦ ¦
¦ ¦превышающих 35 м, либо имеют¦ ¦
¦ ¦регулируемое или сменное глубинное¦ ¦
¦ ¦чувствительное устройство,¦ ¦
¦ ¦предназначенное для работы на глубинах,¦ ¦
¦ ¦превышающих 35 м; и ¦ ¦
¦ ¦2) способны оперативно¦ ¦
¦ ¦взаимодействовать с модулями¦ ¦
¦ ¦буксируемых акустических гидрофонных¦ ¦
¦ ¦решеток; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.1.2.6. ¦Аппаратура обработки данных, специально¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦разработанная для донных или¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦притопленных кабельных систем,¦ ¦
¦ ¦обладающая программируемостью¦ ¦
¦ ¦пользователем и обработкой во временной¦ ¦
¦ ¦или частотной области и корреляцией,¦ ¦
¦ ¦включая спектральный анализ, цифровую¦ ¦
¦ ¦фильтрацию и формирование луча с¦ ¦
¦ ¦использованием быстрого преобразования¦ ¦
¦ ¦Фурье или других преобразований либо¦ ¦
¦ ¦процессов ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.1.2. ¦Аппаратура на лагах для корреляционного¦9015 80 930 0;¦
¦ ¦измерения горизонтальной составляющей¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦скорости носителя аппаратуры¦ ¦
¦ ¦относительно морского дна на¦ ¦
¦ ¦расстояниях между носителем и дном моря¦ ¦
¦ ¦более 500 м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2. ¦Оптические датчики ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1. ¦Оптические детекторы, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.2.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются германиевые или¦ ¦
¦ ¦кремниевые фотоустройства ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.1. ¦Нижеперечисленные твердотельные¦ ¦
¦ ¦детекторы, годные для применения в¦ ¦
¦ ¦космосе: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.1.1. ¦Твердотельные детекторы, годные для¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦применения в космосе, имеющие все¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную чувствительность в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм;¦ ¦
¦ ¦и ¦ ¦
¦ ¦б) чувствительность на длине волны¦ ¦
¦ ¦более 400 нм менее 0,1% относительно¦ ¦
¦ ¦максимальной чувствительности; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.1.2. ¦Твердотельные детекторы, годные для¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦применения в космосе, имеющие все¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную чувствительность в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 900 нм до¦ ¦
¦ ¦1200 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) постоянную времени отклика 95 нс или¦ ¦
¦ ¦менее; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.1.3. ¦Твердотельные детекторы, годные для¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦применения в космосе, имеющие¦ ¦
¦ ¦максимальную чувствительность в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1200 нм до¦ ¦
¦ ¦30000 нм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.2. ¦Электронно-оптические преобразователи¦ ¦
¦ ¦и специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.2.1. ¦Электронно-оптические преобразователи,¦8540 20 800 0 ¦
¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную чувствительность в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 400 нм до¦ ¦
¦ ¦1050 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) микроканальный анод для электронного¦ ¦
¦ ¦усиления изображения с шагом отверстий¦ ¦
¦ ¦(расстоянием между центрами) 15 мкм или¦ ¦
¦ ¦менее; и ¦ ¦
¦ ¦в) следующие фотокатоды: ¦ ¦
¦ ¦1) фотокатоды S-20, S-25 или¦ ¦
¦ ¦многощелочные фотокатоды со¦ ¦
¦ ¦светочувствительностью более¦ ¦
¦ ¦240 мкА/лм; ¦ ¦
¦ ¦2) фотокатоды на GaAs или GaInAs; ¦ ¦
¦ ¦3) другие полупроводниковые фотокатоды¦ ¦
¦ ¦на соединениях групп III - V ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По последнему подпункту¦ ¦
¦ ¦пункта 6.1.2.1.2.1 не контролируются¦ ¦
¦ ¦фотокатоды на полупроводниковых¦ ¦
¦ ¦соединениях с максимальной¦ ¦
¦ ¦интегральной чувствительностью¦ ¦
¦ ¦к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.2.2. ¦Специально разработанные компоненты: ¦ ¦
¦ ¦а) микроканальные платы, с шагом¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦отверстий (расстояние между центрами)¦ ¦
¦ ¦15 мкм или менее; ¦ ¦
¦ ¦б) фотокатоды на GaAs или GaInAs; ¦ ¦
¦ ¦в) другие полупроводниковые фотокатоды¦ ¦
¦ ¦на соединениях групп III - V ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По подпункту "в" пункта¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.2.2 не контролируются¦ ¦
¦ ¦фотокатоды на полупроводниковых¦ ¦
¦ ¦соединениях с максимальной¦ ¦
¦ ¦интегральной чувствительностью к¦ ¦
¦ ¦лучистому потоку 10 мА/Вт или менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.3. ¦Решетки фокальной плоскости,¦ ¦
¦ ¦непригодные для применения в космосе,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Линейные¦ ¦
¦ ¦или двухмерные многоэлементные¦ ¦
¦ ¦детекторные решетки относятся к¦ ¦
¦ ¦решеткам фокальной плоскости ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Пункт 6.1.2.1.3¦ ¦
¦ ¦включает фотопроводящие и¦ ¦
¦ ¦фотогальванические решетки ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 6.1.2.1.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) кремниевые решетки фокальной¦ ¦
¦ ¦плоскости; ¦ ¦
¦ ¦б) многоэлементные (не более 16¦ ¦
¦ ¦элементов) герметизированные¦ ¦
¦ ¦фотопроводящие элементы, использующие¦ ¦
¦ ¦или сульфиды, или селенид свинца; ¦ ¦
¦ ¦в) пироэлектрические детекторы на¦ ¦
¦ ¦основе любого из следующих материалов: ¦ ¦
¦ ¦1) триглицинсульфата и его производных;¦ ¦
¦ ¦2) титаната свинца-лантана-циркония¦ ¦
¦ ¦и его производных; ¦ ¦
¦ ¦3) танталата лития; ¦ ¦
¦ ¦4) поливинилиденфторида и его¦ ¦
¦ ¦производных; или ¦ ¦
¦ ¦5) ниобата бария-стронция и его¦ ¦
¦ ¦производных ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.3.1. ¦Решетки фокальной плоскости,¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦непригодные для применения в космосе,¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие составляющие: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимальной¦ ¦
¦ ¦чувствительностью в диапазоне длин волн¦ ¦
¦ ¦от 900 нм до 1050 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) постоянную времени отклика менее¦ ¦
¦ ¦0,5 нс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.3.2. ¦Решетки фокальной плоскости,¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦непригодные для применения в космосе,¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимальной¦ ¦
¦ ¦чувствительностью в диапазоне длин волн¦ ¦
¦ ¦от 1050 нм до 1200 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) постоянную времени отклика 95 нс или¦ ¦
¦ ¦менее; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.1.3.3. ¦Решетки фокальной плоскости,¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦непригодные для применения в космосе,¦ ¦
¦ ¦имеющие отдельные элементы с¦ ¦
¦ ¦максимальной чувствительностью в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1200 нм до¦ ¦
¦ ¦30000 нм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.2. ¦Моноспектральные датчики изображения и¦8540 89 000 0 ¦
¦ ¦многоспектральные датчики изображения,¦ ¦
¦ ¦предназначенные для применения при¦ ¦
¦ ¦дистанционном зондировании и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) мгновенное поле обзора (МПО) менее¦ ¦
¦ ¦200 мкрад; или ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 400 нм до¦ ¦
¦ ¦30000 нм и имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦составляющие: ¦ ¦
¦ ¦1) обеспечивающие выходные данные¦ ¦
¦ ¦изображения в цифровом формате; и ¦ ¦
¦ ¦2) являющиеся годными для применения в¦ ¦
¦ ¦космосе или разработанными для работы¦ ¦
¦ ¦на борту летательного аппарата при¦ ¦
¦ ¦использовании некремниевых детекторов,¦ ¦
¦ ¦имеющие МПО менее 2,5 мрад; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.3. ¦Оборудование прямого наблюдения¦ ¦
¦ ¦изображения, работающее в видимом или¦ ¦
¦ ¦ИК диапазонах и содержащее любую из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.3.1. ¦Электронно-оптические преобразователи,¦8540 20 800 0;¦
¦ ¦имеющие характеристики, указанные¦8540 99 000 0 ¦
¦ ¦в пункте 6.1.2.1.2.1; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.3.2. ¦Решетки фокальной плоскости, имеющие¦8540 99 000 0 ¦
¦ ¦характеристики, указанные в пункте¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Прямое¦ ¦
¦ ¦наблюдение относится к оборудованию для¦ ¦
¦ ¦получения изображения, работающему в¦ ¦
¦ ¦видимом или ИК диапазонах, которое¦ ¦
¦ ¦представляет визуальное изображение¦ ¦
¦ ¦человеку-наблюдателю без¦ ¦
¦ ¦преобразования изображения в¦ ¦
¦ ¦электронный сигнал для телевизионного¦ ¦
¦ ¦дисплея и которое не может¦ ¦
¦ ¦регистрировать или сохранять¦ ¦
¦ ¦изображение фотографически, а также¦ ¦
¦ ¦электронным или другим способом ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.2.3 не¦ ¦
¦ ¦контролируется следующее оборудование,¦ ¦
¦ ¦содержащее фотокатоды на материалах,¦ ¦
¦ ¦отличных от GaAs или GaInAs: ¦ ¦
¦ ¦а) производственные или гражданские¦ ¦
¦ ¦сигнальные устройства, системы¦ ¦
¦ ¦управления движением транспорта или¦ ¦
¦ ¦производственным движением либо системы¦ ¦
¦ ¦счета; ¦ ¦
¦ ¦б) медицинское оборудование; ¦ ¦
¦ ¦в) технологическое оборудование,¦ ¦
¦ ¦используемое для инспекции, сортировки¦ ¦
¦ ¦или анализа свойств материала; ¦ ¦
¦ ¦г) сигнализаторы пожара для¦ ¦
¦ ¦производственных печей; ¦ ¦
¦ ¦д) оборудование, специально¦ ¦
¦ ¦разработанное для лабораторного¦ ¦
¦ ¦использования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.4. ¦Специальные компоненты обеспечения для¦ ¦
¦ ¦оптических датчиков, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.4.1. ¦Криоохладители, годные для применения в¦8418 69 990 0 ¦
¦ ¦космосе; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.4.2. ¦Нижеперечисленные криоохладители,¦8418 69 990 0 ¦
¦ ¦непригодные для применения в космосе, с¦ ¦
¦ ¦температурой охлаждения источника ниже¦ ¦
¦ ¦218 K (-55 град. C): ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.4.2.1. ¦Замкнутого цикла с определенным средним¦8418 69 990 0 ¦
¦ ¦временем наработки на отказ или средним¦ ¦
¦ ¦временем наработки между отказами более¦ ¦
¦ ¦2500 ч; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.4.2.2. ¦Саморегулирующиеся миниохладители¦8418 69 990 0 ¦
¦ ¦Джоуля-Томсона с наружными диаметрами¦ ¦
¦ ¦канала менее 8 мм; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.4.3. ¦Оптические чувствительные волокна,¦9001 10 900 ¦
¦ ¦специально изготовленные композиционно¦ ¦
¦ ¦или структурно либо модифицированные с¦ ¦
¦ ¦помощью покрытия, чтобы стать¦ ¦
¦ ¦акустически, термически, инерциально,¦ ¦
¦ ¦электромагнитно чувствительными или¦ ¦
¦ ¦чувствительными к ядерному излучению; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.2.5. ¦Решетки фокальной плоскости, годные для¦9013 80 900 0 ¦
¦ ¦применения в космосе, имеющие более¦ ¦
¦ ¦2048 элементов на решетку и¦ ¦
¦ ¦максимальную чувствительность в¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3. ¦Камеры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для камер,¦ ¦
¦ ¦специально разработанных или¦ ¦
¦ ¦модифицированных для подводного¦ ¦
¦ ¦использования, см. пункты 8.1.2.4 и¦ ¦
¦ ¦8.1.2.5 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.1. ¦Камеры контрольно-измерительных¦ ¦
¦ ¦приборов, такие как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.1.1. ¦Высокоскоростные записывающие¦9007 11 000 0;¦
¦ ¦кинокамеры, использующие любой формат¦9007 19 000 0 ¦
¦ ¦пленки от 8 до 16 мм, в которых пленка¦ ¦
¦ ¦непрерывно движется вперед в течение¦ ¦
¦ ¦всего периода записи и которые способны¦ ¦
¦ ¦записывать при скорости кадрирования¦ ¦
¦ ¦более 13150 кадров/с ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.3.1.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются записывающие кинокамеры,¦ ¦
¦ ¦разработанные для обычных гражданских¦ ¦
¦ ¦целей; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.1.2. ¦Механические высокоскоростные камеры, в¦9007 19 000 0 ¦
¦ ¦которых пленка не движется и которые¦ ¦
¦ ¦способны записывать при скорости более¦ ¦
¦ ¦1000000 кадров/с для полной высоты¦ ¦
¦ ¦кадрирования 35-мм пленки или при¦ ¦
¦ ¦пропорционально более высокой скорости¦ ¦
¦ ¦для меньшей высоты кадров, или при¦ ¦
¦ ¦пропорционально меньшей скорости для¦ ¦
¦ ¦большей высоты кадров; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.1.3. ¦Механические или электронные¦9007 19 000 0 ¦
¦ ¦фотохронографы, имеющие скорость записи¦ ¦
¦ ¦более 10 мм/мкс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.1.4. ¦Электронные передающие камеры с¦9007 19 000 0 ¦
¦ ¦кадровой синхронизацией, имеющие¦ ¦
¦ ¦скорость более 1000000 кадров/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.1.5. ¦Электронные передающие камеры, имеющие¦9007 19 000 0 ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) скорость электронного затвора¦ ¦
¦ ¦(способность стробирования) менее 1 мкс¦ ¦
¦ ¦за полный кадр; и ¦ ¦
¦ ¦б) время считывания, обеспечивающее¦ ¦
¦ ¦скорость кадрирования более 125 полных¦ ¦
¦ ¦кадров в секунду ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Измерительные камеры с¦ ¦
¦ ¦модульными конструкциями,¦ ¦
¦ ¦контролируемые по пунктам 6.1.3.1.3 -¦ ¦
¦ ¦6.1.3.1.5, должны оцениваться их¦ ¦
¦ ¦максимальной способностью использования¦ ¦
¦ ¦подходящих электронных модулей в¦ ¦
¦ ¦соответствии со спецификацией¦ ¦
¦ ¦изготовителя. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.2. ¦Камеры формирования изображения, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.3.2 не¦ ¦
¦ ¦контролируются телевизионные или¦ ¦
¦ ¦видеокамеры, специально предназначенные¦ ¦
¦ ¦для телевизионного вещания ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.2.1. ¦Видеокамеры, включающие твердотельные¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦датчики и имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) более 4 x 1E6 активных пикселов на¦ ¦
¦ ¦твердотельную решетку для монохромных¦ ¦
¦ ¦(черно-белых) камер; ¦ ¦
¦ ¦б) более 4 x 1E6 активных пикселов на¦ ¦
¦ ¦твердотельную решетку для цветных¦ ¦
¦ ¦камер, включающих три твердотельные¦ ¦
¦ ¦решетки; или ¦ ¦
¦ ¦в) более 12 x 1E6 активных пикселов¦ ¦
¦ ¦для цветных камер на основе одной¦ ¦
¦ ¦твердотельной решетки; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.2.2. ¦Сканирующие камеры и системы на основе¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦сканирующих камер, имеющие все¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) линейные детекторные решетки с более¦ ¦
¦ ¦чем 8192 элементами на решетку; и ¦ ¦
¦ ¦б) механическое сканирование в одном¦ ¦
¦ ¦направлении; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.2.3. ¦Камеры формирования изображений,¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦содержащие электронно-оптические¦ ¦
¦ ¦усилители яркости, имеющие¦ ¦
¦ ¦характеристики, указанные в пункте¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.2.1; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.3.2.4. ¦Камеры формирования изображений,¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦включающие решетки фокальной плоскости,¦ ¦
¦ ¦имеющие характеристики, указанные в¦ ¦
¦ ¦пункте 6.1.2.1.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.3.2.4 не¦ ¦
¦ ¦контролируются камеры формирования¦ ¦
¦ ¦изображений, содержащие линейные¦ ¦
¦ ¦решетки фокальной плоскости с 12 или¦ ¦
¦ ¦меньшим числом элементов, не¦ ¦
¦ ¦применяющих время задержки и¦ ¦
¦ ¦интегрирования в элементе,¦ ¦
¦ ¦разработанные для любого из следующего:¦ ¦
¦ ¦а) производственных или гражданских¦ ¦
¦ ¦охранно-сигнальных систем контроля за¦ ¦
¦ ¦движением транспорта или подсчета¦ ¦
¦ ¦промышленных процессов; ¦ ¦
¦ ¦б) производственного оборудования,¦ ¦
¦ ¦используемого для контроля или¦ ¦
¦ ¦мониторинга высокотемпературных¦ ¦
¦ ¦процессов в строительстве, технике или¦ ¦
¦ ¦производстве; ¦ ¦
¦ ¦в) производственного оборудования,¦ ¦
¦ ¦используемого для контроля, сортировки¦ ¦
¦ ¦или анализа свойств материалов; ¦ ¦
¦ ¦г) оборудования, специально¦ ¦
¦ ¦разработанного для лабораторного¦ ¦
¦ ¦использования; ¦ ¦
¦ ¦д) медицинского оборудования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4. ¦Оптика ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.1. ¦Оптические зеркала (рефлекторы), такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.1.1. ¦Деформируемые зеркала, имеющие сплошные¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦или многоэлементные поверхности, и¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты, которые способны¦ ¦
¦ ¦динамически осуществлять¦ ¦
¦ ¦перерегулировку положения частей¦ ¦
¦ ¦поверхности зеркала при скорости более¦ ¦
¦ ¦100 Гц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.1.2. ¦Легкие монолитные зеркала, имеющие¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦среднюю эквивалентную плотность менее¦ ¦
¦ ¦30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.1.3. ¦Зеркала из легких композиционных или¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦пенообразных материалов, имеющие¦ ¦
¦ ¦среднюю эквивалентную плотность менее¦ ¦
¦ ¦30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.1.4. ¦Зеркала для управления лучом с¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦диаметром или длиной главной оси более¦ ¦
¦ ¦100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины¦ ¦
¦ ¦волны или лучше (длина волны равна¦ ¦
¦ ¦633 нм) и ширину полосы управления¦ ¦
¦ ¦более 100 Гц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.2. ¦Оптические компоненты, изготовленные из¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦селенида цинка (ZnSe) или сульфида¦ ¦
¦ ¦цинка (ZnS), со спектром пропускания от¦ ¦
¦ ¦3000 нм до 25000 нм, имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) объем более 100 куб. см; или ¦ ¦
¦ ¦б) диаметр или длину главной оси более¦ ¦
¦ ¦80 мм и толщину (глубину) более 20 мм; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.3. ¦Компоненты для оптических систем,¦ ¦
¦ ¦годные для применения в космосе, такие,¦ ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.3.1. ¦Оптические элементы облегченного типа с¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦эквивалентной плотностью менее 20% по¦ ¦
¦ ¦сравнению с твердотельными пластинами с¦ ¦
¦ ¦той же самой апертурой и толщиной; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.3.2. ¦Необработанные подложки, обработанные¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦подложки с поверхностным покрытием¦ ¦
¦ ¦(однослойным или многослойным,¦ ¦
¦ ¦металлическим или диэлектрическим,¦ ¦
¦ ¦проводящим, полупроводящим или¦ ¦
¦ ¦изолирующим) или имеющие защитные¦ ¦
¦ ¦пленки; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.3.3. ¦Сегменты или узлы зеркал,¦9002 90 900 0 ¦
¦ ¦предназначенные для сборки в космосе в¦ ¦
¦ ¦оптическую систему с приемной¦ ¦
¦ ¦апертурой, равной или более одного¦ ¦
¦ ¦оптического метра в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.3.4. ¦Изготовленные из композиционных¦9003 90 000 0 ¦
¦ ¦материалов, имеющих коэффициент¦ ¦
¦ ¦линейного термического расширения,¦ ¦
¦ ¦равный или менее 5 x 1E(-6) в любом¦ ¦
¦ ¦направлении координат ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.4. ¦Оборудование оптического контроля,¦ ¦
¦ ¦такое, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.4.1. ¦Специально предназначенное для¦9031 49 000 0;¦
¦ ¦поддержания профиля поверхности или¦9032 89 900 0 ¦
¦ ¦ориентации оптических компонентов,¦ ¦
¦ ¦годных для применения в космосе,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пунктам 6.1.4.3.1 или¦ ¦
¦ ¦6.1.4.3.3; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.4.2. ¦Имеющее управление, слежение,¦9031 49 000 0;¦
¦ ¦стабилизацию или юстировку резонатора в¦9032 89 900 0 ¦
¦ ¦полосе частот, равной или более 100 Гц,¦ ¦
¦ ¦и погрешность 10 мкрад или менее; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.4.3. ¦Кардановые подвесы, имеющие все¦9032 89 900 0 ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальный угол поворота более¦ ¦
¦ ¦5 град; ¦ ¦
¦ ¦б) ширину полосы, равную или более¦ ¦
¦ ¦100 Гц; ¦ ¦
¦ ¦в) ошибки угловой наводки, равные или¦ ¦
¦ ¦менее 200 мкрад; и ¦ ¦
¦ ¦г) имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) диаметр или длину главной оси более¦ ¦
¦ ¦0,15 м, но не более 1 м и угловое¦ ¦
¦ ¦ускорение более 2 рад/с2; или ¦ ¦
¦ ¦2) диаметр или длину главной оси более¦ ¦
¦ ¦1 м и угловое ускорение более¦ ¦
¦ ¦0,5 рад/с2; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.4.4. ¦Специально разработанное для¦9032 89 900 0 ¦
¦ ¦поддержания юстировки фазированной¦ ¦
¦ ¦решетки или систем зеркал с¦ ¦
¦ ¦фазированными сегментами, содержащее¦ ¦
¦ ¦зеркала с диаметром сегмента или длиной¦ ¦
¦ ¦главной оси 1 м или более ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.4.5. ¦Асферические оптические элементы,¦9001 90 900 0 ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) наибольший размер оптического¦ ¦
¦ ¦отверстия диаметром более 400 мм; ¦ ¦
¦ ¦б) шероховатость поверхности менее 1¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦в) абсолютную величину коэффициента¦ ¦
¦ ¦линейного теплового расширения более¦ ¦
¦ ¦2,5 х 1E(-6)/К при 25 град. C ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Технические примечания. 1.¦ ¦
¦ ¦Асферический оптический элемент -¦ ¦
¦ ¦любой элемент, используемый в¦ ¦
¦ ¦оптической системе, в которой¦ ¦
¦ ¦воображаемая поверхность или¦ ¦
¦ ¦поверхности отличаются от очертаний¦ ¦
¦ ¦идеальной сферы. ¦ ¦
¦ ¦2. Изготовители не нуждаются в¦ ¦
¦ ¦измерении шероховатости поверхности,¦ ¦
¦ ¦указанной в подпункте "б" пункта¦ ¦
¦ ¦6.1.4.5, за исключением тех случаев,¦ ¦
¦ ¦когда оптический элемент разработан¦ ¦
¦ ¦или изготовлен с целью соответствия¦ ¦
¦ ¦или превышения контрольного параметра. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.4.5 не¦ ¦
¦ ¦контролируются асферические оптические¦ ¦
¦ ¦элементы, имеющие любые из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) наибольший размер оптического¦ ¦
¦ ¦отверстия менее 1 м и относительное¦ ¦
¦ ¦отверстие, равное или более 4,5:1; ¦ ¦
¦ ¦б) наибольший размер оптического¦ ¦
¦ ¦отверстия, равный или более 1 м, и¦ ¦
¦ ¦относительное отверстие, равное или¦ ¦
¦ ¦более 7:1; ¦ ¦
¦ ¦в) разработанные в качестве¦ ¦
¦ ¦Френелевого плавающего видеосенсора,¦ ¦
¦ ¦полосы, призмы или дифракционных¦ ¦
¦ ¦оптических элементов; ¦ ¦
¦ ¦г) изготовленные из боросиликатного¦ ¦
¦ ¦стекла, имеющего коэффициент линейного¦ ¦
¦ ¦теплового расширения более 2,5 х¦ ¦
¦ ¦1Е(-6)/К при 25 град. C; или ¦ ¦
¦ ¦д) являющиеся оптическими элементами¦ ¦
¦ ¦для рентгеновских лучей, имеющие¦ ¦
¦ ¦внутренние зеркальные способности¦ ¦
¦ ¦(например, зеркала трубчатого типа) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для¦ ¦
¦ ¦асферических оптических элементов,¦ ¦
¦ ¦специально разработанных для¦ ¦
¦ ¦литографического оборудования, см.¦ ¦
¦ ¦пункт 3.2.1. ¦ ¦
¦ ¦Лазеры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5. ¦Лазеры, компоненты и оптическое¦ ¦
¦ ¦оборудование: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечания. 1. Импульсные лазеры¦ ¦
¦ ¦включают лазеры, работающие в¦ ¦
¦ ¦квазинепрерывном режиме с импульсным¦ ¦
¦ ¦перекрытием. ¦ ¦
¦ ¦2. Лазеры с импульсной накачкой¦ ¦
¦ ¦включают лазеры, работающие в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме при импульсной¦ ¦
¦ ¦накачке. ¦ ¦
¦ ¦3. Контрольный статус рамановских¦ ¦
¦ ¦лазеров определяется параметрами¦ ¦
¦ ¦лазерного источника накачки. Лазерным¦ ¦
¦ ¦источником накачки может быть любой¦ ¦
¦ ¦лазер, рассматриваемый ниже. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1. ¦Газовые лазеры, такие как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.1. ¦Эксимерные лазеры, имеющие любую из¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) выходную длину волны не более 150 нм¦ ¦
¦ ¦и имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 мДж; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦б) выходную длину волны в диапазоне от¦ ¦
¦ ¦150 нм до 190 нм и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1,5 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 120 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в) выходную длину волны в диапазоне от¦ ¦
¦ ¦190 нм до 360 нм и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦10 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 500 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦г) выходную длину волны более 360 нм и¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1,5 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 30 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для эксимерных¦ ¦
¦ ¦лазеров, специально разработанных для¦ ¦
¦ ¦литографического оборудования, см.¦ ¦
¦ ¦пункт 3.2.1. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.2. ¦Лазеры на парах металла, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.2.1. ¦Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю или¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦выходную мощность в непрерывном режиме¦ ¦
¦ ¦более 20 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.2.2. ¦Золотые (Au) лазеры, имеющие среднюю¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦или выходную мощность в непрерывном¦ ¦
¦ ¦режиме более 5 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.2.3. ¦Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦мощность более 5 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.2.4. ¦Бариевые (Ba) лазеры, имеющие среднюю¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦или выходную мощность в непрерывном¦ ¦
¦ ¦режиме более 2 Вт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.3. ¦Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) среднюю мощность или выходную¦ ¦
¦ ¦мощность в непрерывном режиме более¦ ¦
¦ ¦5 кВт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.4. ¦Лазеры на диоксиде углерода (CO2),¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) выходную мощность в непрерывном¦ ¦
¦ ¦режиме более 15 кВт; ¦ ¦
¦ ¦б) длительность импульсов в импульсном¦ ¦
¦ ¦режиме более 10 мкс и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) среднюю выходную мощность более¦ ¦
¦ ¦10 кВт; или ¦ ¦
¦ ¦2) пиковую мощность более 100 кВт; или ¦ ¦
¦ ¦в) длительность импульсов в импульсном¦ ¦
¦ ¦режиме равную или менее 10 мкс и¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) импульсную энергию более 5 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю выходную мощность более¦ ¦
¦ ¦2,5 кВт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.5. ¦Химические лазеры, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.5.1. ¦Водородно-фторовые (HF) лазеры; ¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.5.2. ¦Дейтерий-фторовые (DF) лазеры; ¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.5.3. ¦Переходные лазеры, такие, как: ¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦а) лазеры на оксиде йода (O2-I); ¦ ¦
¦ ¦б) дейтерий-фторовые-диоксид- ¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦углеродные (DF-CO2) лазеры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.6. ¦Лазеры на ионах аргона (Ar) или¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦криптона (Kr), имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 50 Вт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.1.7. ¦Другие газовые лазеры, имеющие любую из¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) выходную длину волны не более 150 нм¦ ¦
¦ ¦и имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт; ¦ ¦
¦ ¦б) выходную длину волны в диапазоне от¦ ¦
¦ ¦150 нм до 800 нм и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт;¦ ¦
¦ ¦или; ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 30 Вт; ¦ ¦
¦ ¦в) выходную длину волны от 800 нм до¦ ¦
¦ ¦1400 нм и имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт;¦ ¦
¦ ¦или; ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 10 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦г) выходную длину волны более 1400 нм и¦ ¦
¦ ¦среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.5.1.7 не¦ ¦
¦ ¦контролируются азотные лазеры. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.2. ¦Полупроводниковые лазеры, имеющие¦8541 40 100 0 ¦
¦ ¦длину волны менее 950 нм или более¦ ¦
¦ ¦2000 нм, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦1. Отдельные с единичной поперечной¦ ¦
¦ ¦модой полупроводниковые лазеры, имеющие¦ ¦
¦ ¦среднюю мощность или выходную мощность¦ ¦
¦ ¦в непрерывном режиме более 100 мВт; ¦ ¦
¦ ¦2. Отдельные с многократно поперечной¦ ¦
¦ ¦модой полупроводниковые лазеры и¦ ¦
¦ ¦решетки отдельных полупроводниковых¦ ¦
¦ ¦лазеров, имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦500 мкДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 10 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦б) среднюю мощность или выходную¦ ¦
¦ ¦мощность в непрерывном режиме более 10¦ ¦
¦ ¦Вт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание.¦ ¦
¦ ¦Полупроводниковые лазеры обычно¦ ¦
¦ ¦называются лазерными диодами. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания. 1. Пункт 6.1.5.2 включает¦ ¦
¦ ¦полупроводниковые лазеры, имеющие¦ ¦
¦ ¦оптические выходные соединители¦ ¦
¦ ¦(например, волоконно-оптические¦ ¦
¦ ¦гибкие проводники). ¦ ¦
¦ ¦2. Статус контроля полупроводниковых¦ ¦
¦ ¦лазеров, специально предназначенных для¦ ¦
¦ ¦другого оборудования, определяется¦ ¦
¦ ¦статусом контроля другого оборудования.¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.3. ¦Твердотельные лазеры, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.3.1. ¦Перестраиваемые лазеры, имеющие любую¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Пункт 6.1.5.3.1¦ ¦
¦ ¦включает титано-сапфирные Ti:Al2O3,¦ ¦
¦ ¦тулий - YAG (Tm:YAG), тулий - YSGG¦ ¦
¦ ¦(Tm:YSGG) лазеры, лазеры на¦ ¦
¦ ¦александрите (Cr:BeAl2O4) и лазеры с¦ ¦
¦ ¦окрашенным центром ¦ ¦
¦ ¦а) выходную длину волны менее 600 нм и¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 мДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 1 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт; ¦ ¦
¦ ¦б) выходную длину волны 600 нм или¦ ¦
¦ ¦более, но не более 1400 нм и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1 Дж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 20 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 20 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦в) выходную длину волны более 1400 нм и¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 мДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 1 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.3.2. ¦Неперестраиваемые лазеры, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. Пункт 6.1.5.3.2¦ ¦
¦ ¦включает твердотельные лазеры на¦ ¦
¦ ¦атомных переходах ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.3.2.1. ¦Лазеры на неодимовом стекле, такие,¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦как: ¦ ¦
¦ ¦а) лазеры с модуляцией добротности,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю¦ ¦
¦ ¦выходную мощность более 10 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 Дж; ¦ ¦
¦ ¦б) лазеры без модуляции добротности,¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю¦ ¦
¦ ¦выходную мощность более 20 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦100 Дж; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.3.2.2. ¦Лазеры с растворенным неодимом (другие,¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦нежели на стекле), имеющие выходную¦ ¦
¦ ¦длину волны более 1000 нм, но не более¦ ¦
¦ ¦1100 нм: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Особое примечание. Для лазеров с¦ ¦
¦ ¦растворенным неодимом (других, нежели¦ ¦
¦ ¦на стекле), имеющих выходную длину¦ ¦
¦ ¦волны менее 1000 нм или более 1100 нм,¦ ¦
¦ ¦см. пункт 6.1.5.3.2.3 ¦ ¦
¦ ¦а) лазеры с модуляцией добротности,¦ ¦
¦ ¦импульсным возбуждением и¦ ¦
¦ ¦синхронизацией мод, длительностью¦ ¦
¦ ¦импульса менее 1 нс и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) пиковую мощность более 5 ГВт; ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю выходную мощность более¦ ¦
¦ ¦10 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦3) импульсную энергию более 0,1 Дж; ¦ ¦
¦ ¦б) лазеры с модуляцией добротности и¦ ¦
¦ ¦импульсным возбуждением с длительностью¦ ¦
¦ ¦импульса, равной или больше 1 нс, и¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) одномодовое излучение поперечной¦ ¦
¦ ¦моды, имеющее: ¦ ¦
¦ ¦пиковую мощность более 100 МВт; ¦ ¦
¦ ¦среднюю выходную мощность более 20 Вт;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦импульсную энергию более 2 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦2) многомодовое излучение поперечной¦ ¦
¦ ¦моды, имеющее: ¦ ¦
¦ ¦пиковую мощность более 400 МВт; ¦ ¦
¦ ¦среднюю выходную мощность более 2 кВт;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦импульсную энергию более 2 Дж; ¦ ¦
¦ ¦в) лазеры с импульсным возбуждением без¦ ¦
¦ ¦модуляции добротности, имеющие: ¦ ¦
¦ ¦1) одномодовое излучение поперечной¦ ¦
¦ ¦моды, имеющее: ¦ ¦
¦ ¦пиковую мощность более 500 кВт; или ¦ ¦
¦ ¦среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 150 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) многомодовое излучение поперечной¦ ¦
¦ ¦моды, имеющее: ¦ ¦
¦ ¦пиковую мощность более 1 МВт; или ¦ ¦
¦ ¦среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 2 кВт; ¦ ¦
¦ ¦г) лазеры с непрерывным возбуждением,¦ ¦
¦ ¦имеющие: ¦ ¦
¦ ¦1) одномодовое излучение поперечной¦ ¦
¦ ¦моды, имеющее: ¦ ¦
¦ ¦пиковую мощность более 500 кВт; или ¦ ¦
¦ ¦среднюю мощность или выходную мощность¦ ¦
¦ ¦в непрерывном режиме более 150 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) многомодовое излучение поперечной¦ ¦
¦ ¦моды, имеющее: ¦ ¦
¦ ¦пиковую мощность более 1 МВт; или ¦ ¦
¦ ¦среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 2 кВт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.3.2.3. ¦Другие неперестраиваемые лазеры,¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) длину волны менее 150 нм и: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 мДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 1 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт; ¦ ¦
¦ ¦б) длину волны не менее 150 нм, но не¦ ¦
¦ ¦более 800 нм и: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 30 Вт; ¦ ¦
¦ ¦в) длину волны более 800 нм, но не¦ ¦
¦ ¦более 1400 нм, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦1) лазеры с модуляцией добротности,¦ ¦
¦ ¦имеющие: ¦ ¦
¦ ¦выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦0,5 Дж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 50 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦среднюю выходную мощность, превышающую:¦ ¦
¦ ¦10 Вт для лазеров с одной поперечной¦ ¦
¦ ¦модой; ¦ ¦
¦ ¦30 Вт для лазеров с несколькими¦ ¦
¦ ¦поперечными модами; ¦ ¦
¦ ¦2) лазеры без модуляции добротности,¦ ¦
¦ ¦имеющие: ¦ ¦
¦ ¦выходную энергию в импульсе более 2 Дж¦ ¦
¦ ¦и импульсную пиковую мощность более¦ ¦
¦ ¦50 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 50 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦г) длину волны более 1400 нм и: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦100 мДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 1 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.4. ¦Лазеры на красителях и других¦9013 20 000 0 ¦
¦ ¦жидкостях, имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) длину волны менее 150 нм и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦50 мДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 1 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт; ¦ ¦
¦ ¦б) длину волны 150 нм или более, но не¦ ¦
¦ ¦более 800 нм и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦1,5 Дж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 20 Вт; ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 20 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦3) импульсный генератор, работающий на¦ ¦
¦ ¦одной продольной моде со средней¦ ¦
¦ ¦выходной мощностью более 1 Вт и¦ ¦
¦ ¦частотой повторения импульсов более¦ ¦
¦ ¦1 кГц, если длительность импульса менее¦ ¦
¦ ¦100 нс; ¦ ¦
¦ ¦в) длину волны более 800 нм, но не¦ ¦
¦ ¦свыше 1400 нм и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦0,5 Дж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 10 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме не более 10 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦г) длину волны более 1400 нм и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) выходную энергию в импульсе более¦ ¦
¦ ¦100 мДж и импульсную пиковую мощность¦ ¦
¦ ¦более 1 Вт; или ¦ ¦
¦ ¦2) среднюю или выходную мощность в¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме более 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.5. ¦Компоненты, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.5.1. ¦Зеркала, охлаждаемые либо активным¦9002 90 900 0 ¦
¦ ¦методом, либо трубчатой охладительной¦ ¦
¦ ¦системой ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Активным¦ ¦
¦ ¦охлаждением является метод охлаждения¦ ¦
¦ ¦оптических компонентов, в котором¦ ¦
¦ ¦используется течение жидкости по¦ ¦
¦ ¦субповерхности (расположенной обычно¦ ¦
¦ ¦менее чем в 1 мм ниже от оптической¦ ¦
¦ ¦поверхности) оптического компонента для¦ ¦
¦ ¦отвода тепла от оптики; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.5.2. ¦Оптические зеркала или прозрачные или¦9002 90 900 0 ¦
¦ ¦частично прозрачные оптические или¦ ¦
¦ ¦электрооптические компоненты,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦использования с контролируемыми¦ ¦
¦ ¦лазерами ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.6. ¦Оптическое оборудование, такое, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.6.1. ¦Оборудование, измеряющее динамический¦9031 49 000 0 ¦
¦ ¦волновой фронт (фазу), использующее по¦ ¦
¦ ¦крайней мере 50 позиций на волновом¦ ¦
¦ ¦фронте луча, имеющее любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) частоту кадров, равную или более¦ ¦
¦ ¦100 Гц, и фазовую дискриминацию,¦ ¦
¦ ¦составляющую по крайней мере 5% от¦ ¦
¦ ¦длины волны луча; или ¦ ¦
¦ ¦б) частоту кадров, равную или более¦ ¦
¦ ¦1000 Гц, и фазовую дискриминацию,¦ ¦
¦ ¦составляющую по крайней мере 20% от¦ ¦
¦ ¦длины волны луча; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.6.2. ¦Оборудование лазерной диагностики,¦9031 49 000 0 ¦
¦ ¦способное измерять погрешности углового¦ ¦
¦ ¦управления положением луча лазера¦ ¦
¦ ¦сверхвысокой мощности, равные или менее¦ ¦
¦ ¦10 мкрад; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.6.3. ¦Оптическое оборудование и компоненты,¦9013 90 900 0 ¦
¦ ¦специально предназначенные для¦ ¦
¦ ¦использования с системой лазера¦ ¦
¦ ¦сверхвысокой мощности с фазированными¦ ¦
¦ ¦решетками для суммирования когерентных¦ ¦
¦ ¦лучей с точностью 1/10 длины волны или¦ ¦
¦ ¦0,1 мкм, в зависимости от того, какая¦ ¦
¦ ¦из величин меньше; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.5.6.4. ¦Защищенные объективы, специально¦9002 19 000 0 ¦
¦ ¦предназначенные для использования с¦ ¦
¦ ¦системами лазеров сверхвысокой мощности¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Магнитометры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6. ¦Магнитометры, магнитные градиентометры,¦ ¦
¦ ¦внутренние магнитные градиентометры и¦ ¦
¦ ¦компенсационные системы и специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для них компоненты,¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.6 не¦ ¦
¦ ¦контролируются инструменты, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для биомагнитных¦ ¦
¦ ¦измерений медицинской диагностики. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.1. ¦Магнитометры, использующие технологию¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦на основе эффекта сверхпроводимости с¦ ¦
¦ ¦оптической накачкой или ядерной¦ ¦
¦ ¦прецессией (протонной / Оверхаузера),¦ ¦
¦ ¦имеющей среднеквадратичный уровень шума¦ ¦
¦ ¦(чувствительность) менее (лучше)¦ ¦
¦ ¦0,05 нТ, деленные на корень квадратный¦ ¦
¦ ¦из частоты в герцах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.2. ¦Магнитометры с катушкой индуктивности,¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦имеющие среднеквадратичное значение¦ ¦
¦ ¦уровня шума (чувствительности) менее¦ ¦
¦ ¦(лучше), чем любой из следующих¦ ¦
¦ ¦показателей: ¦ ¦
¦ ¦а) 0,05 нТ, деленные на корень¦ ¦
¦ ¦квадратный из частоты в герцах, на¦ ¦
¦ ¦частоте менее 1 Гц; ¦ ¦
¦ ¦б) 1 x 1E(-3) нТ, деленные на корень¦ ¦
¦ ¦квадратный из частоты в герцах, на¦ ¦
¦ ¦частоте 1 Гц или более, но не более¦ ¦
¦ ¦10 Гц; или ¦ ¦
¦ ¦в) 1 x 1E(-4) нТ, деленные на корень¦ ¦
¦ ¦квадратный из частоты в герцах, на¦ ¦
¦ ¦частотах более 10 Гц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.3. ¦Волоконно-оптические магнитометры со¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦среднеквадратичным уровнем шума¦ ¦
¦ ¦(чувствительностью) менее (лучше) 1 нТ,¦ ¦
¦ ¦деленной на корень квадратный из¦ ¦
¦ ¦частоты в герцах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.4. ¦Магнитные градиентометры, использующие¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦наборы магнитометров, контролируемых по¦ ¦
¦ ¦пунктам 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.5. ¦Волоконно-оптические внутренние¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦магнитные градиентометры со¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичным уровнем шума¦ ¦
¦ ¦(чувствительностью) градиента¦ ¦
¦ ¦магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ/м,¦ ¦
¦ ¦деленные на корень квадратный из¦ ¦
¦ ¦частоты в герцах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.6. ¦Внутренние магнитные градиентометры,¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦использующие технологию, отличную от¦ ¦
¦ ¦волоконно-оптической, со¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичным уровнем шума¦ ¦
¦ ¦(чувствительностью) градиента¦ ¦
¦ ¦магнитного поля менее (лучше)¦ ¦
¦ ¦0,015 нТ/м, деленные на корень¦ ¦
¦ ¦квадратный из частоты в герцах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.7. ¦Магнитокомпенсационные системы для¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦магнитных датчиков, предназначенных для¦ ¦
¦ ¦работы на подвижных платформах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.6.8. ¦Сверхпроводящие электромагнитные¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦датчики, содержащие компоненты,¦ ¦
¦ ¦изготовленные из сверхпроводящих¦ ¦
¦ ¦материалов и имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦составляющие: ¦ ¦
¦ ¦а) специально разработанные для работы¦ ¦
¦ ¦при температурах ниже критической¦ ¦
¦ ¦температуры по меньшей мере одного из¦ ¦
¦ ¦компонентов сверхпроводников (включая¦ ¦
¦ ¦устройства на эффекте Джозефсона или¦ ¦
¦ ¦сверхпроводящие устройства квантовой¦ ¦
¦ ¦интерференции (СКВИДы); ¦ ¦
¦ ¦б) специально разработанные для¦ ¦
¦ ¦измерений вариаций электромагнитного¦ ¦
¦ ¦поля на частотах 1 кГц или менее; и ¦ ¦
¦ ¦в) имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) включающие тонкопленочные СКВИДы с¦ ¦
¦ ¦минимальным размером элемента менее 2¦ ¦
¦ ¦мкм и с соответствующими схемами¦ ¦
¦ ¦соединения входа и выхода; ¦ ¦
¦ ¦2) разработанные для функционирования¦ ¦
¦ ¦при максимальной скорости нарастания¦ ¦
¦ ¦магнитного поля более 1E6 квантов¦ ¦
¦ ¦магнитного потока в секунду; ¦ ¦
¦ ¦3) разработанные для функционирования¦ ¦
¦ ¦без магнитного экрана в окружающем¦ ¦
¦ ¦земном магнитном поле; или ¦ ¦
¦ ¦4) имеющие температурный коэффициент¦ ¦
¦ ¦менее 0,1 кванта магнитного потока,¦ ¦
¦ ¦деленного на кельвин ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Гравиметры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.7. ¦Гравиметры и гравитационные¦ ¦
¦ ¦градиентометры: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.7.1. ¦Гравиметры, разработанные или¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦модифицированные для наземного¦ ¦
¦ ¦использования со статистической¦ ¦
¦ ¦точностью менее (лучше) 10 микрогалей ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.7.1 не¦ ¦
¦ ¦контролируются наземные гравиметры типа¦ ¦
¦ ¦кварцевых элементов (Уордена); ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.7.2. ¦Гравиметры, разработанные для подвижных¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦платформ для наземных, морских,¦ ¦
¦ ¦погруженных, воздушных и космических¦ ¦
¦ ¦применений, имеющие все следующие¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) статистическую точность менее¦ ¦
¦ ¦(лучше) 0,7 миллигалей; и ¦ ¦
¦ ¦б) рабочую точность менее (лучше) 0,7¦ ¦
¦ ¦миллигалей со временем регистрации в¦ ¦
¦ ¦состоянии готовности менее 2 мин. в¦ ¦
¦ ¦любой комбинации корректирующих¦ ¦
¦ ¦компенсаций и влияния движения; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.7.3. ¦Гравитационные градиентометры ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Радиолокаторы ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8. ¦Локационные системы, оборудование и¦ ¦
¦ ¦узлы, имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик, и специально¦ ¦
¦ ¦предназначенные для них компоненты: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.8 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) РЛС с активным ответом; ¦ ¦
¦ ¦б) автомобильные РЛС, предназначенные¦ ¦
¦ ¦для предотвращения столкновений; ¦ ¦
¦ ¦в) дисплеи или мониторы, используемые¦ ¦
¦ ¦для управления воздушным движением¦ ¦
¦ ¦(УВД), имеющие разрешение не более¦ ¦
¦ ¦12 элементов на 1 мм; ¦ ¦
¦ ¦г) метеорологические (погодные)¦ ¦
¦ ¦локаторы. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.1. ¦Работающие на частотах от 40 ГГц до¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦230 ГГц и имеющие среднюю выходную¦ ¦
¦ ¦мощность более 100 мВт; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.2. ¦РЛС, рабочая частота которых может¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦перестраиваться в пределах более чем¦ ¦
¦ ¦+/- 6,25% от центральной рабочей¦ ¦
¦ ¦частоты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Техническое примечание. Центральная¦ ¦
¦ ¦рабочая частота равна половине суммы¦ ¦
¦ ¦наибольшей и наименьшей несущих частот;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.3. ¦Способные работать одновременно на двух¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦или более несущих частотах; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.4. ¦Имеющие возможность функционирования в¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦режимах синтезированной апертуры или в¦ ¦
¦ ¦обратной синтезированной апертуры¦ ¦
¦ ¦локатора, или в режиме локатора¦ ¦
¦ ¦бокового обзора воздушного базирования;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.5. ¦Включающие фазированные антенные¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦решетки с электронным сканированием¦ ¦
¦ ¦луча; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.6. ¦Обладающие способностью нахождения¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦высотных одиночных целей ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.8.6 не¦ ¦
¦ ¦контролируется прецизионное¦ ¦
¦ ¦радиолокационное оборудование для¦ ¦
¦ ¦контроля захода на посадку,¦ ¦
¦ ¦соответствующее стандартам ИКАО; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.7. ¦Специально разработанные для воздушного¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦базирования (устанавливаются на¦ ¦
¦ ¦воздушном шаре или корпусе летательного¦ ¦
¦ ¦аппарата) и имеющие допплеровскую¦ ¦
¦ ¦обработку сигнала для обнаружения¦ ¦
¦ ¦движущихся целей; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.8. ¦РЛС, использующие обработку сигналов¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦локатора с применением любой из¦ ¦
¦ ¦следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) методов расширения спектра РЛС; или ¦ ¦
¦ ¦б) методов РЛС с частотной ажильностью;¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.9. ¦РЛС, обеспечивающие наземное¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦функционирование с максимальной¦ ¦
¦ ¦инструментальной дальностью действия¦ ¦
¦ ¦более 185 км ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.8.9 не¦ ¦
¦ ¦контролируются: ¦ ¦
¦ ¦а) наземные РЛС для наблюдения рыбных¦ ¦
¦ ¦косяков; ¦ ¦
¦ ¦б) наземные РЛС, специально¦ ¦
¦ ¦разработанные для управления воздушным¦ ¦
¦ ¦движением в случае, когда они¦ ¦
¦ ¦удовлетворяют всем следующим условиям: ¦ ¦
¦ ¦1) имеют максимальную инструментальную¦ ¦
¦ ¦дальность действия 500 км или менее; ¦ ¦
¦ ¦2) спроектированы так, что данные с РЛС¦ ¦
¦ ¦о цели могут быть переданы только одним¦ ¦
¦ ¦путем от места нахождения локатора к¦ ¦
¦ ¦одному или нескольким гражданским¦ ¦
¦ ¦центрам УВД на маршруте; ¦ ¦
¦ ¦3) не содержат средств для¦ ¦
¦ ¦дистанционного управления скоростью¦ ¦
¦ ¦сканирования локатора из центра УВД на¦ ¦
¦ ¦маршруте; и ¦ ¦
¦ ¦4) должны устанавливаться надолго; ¦ ¦
¦ ¦в) локаторы для метеорологического¦ ¦
¦ ¦наблюдения с воздушного шара; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.10. ¦Являющиеся лазерными локационными¦9015 10 900 0;¦
¦ ¦станциями или лазерными дальномерами¦9031 80 910 0 ¦
¦ ¦(ЛИДАРы), имеющими любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) годные для применения в космосе; или¦ ¦
¦ ¦б) использующие методы когерентного¦ ¦
¦ ¦гетеродинного или гомодинного¦ ¦
¦ ¦детектирования и имеющие угловое¦ ¦
¦ ¦разрешение менее (лучше) 20 мкрад ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ Примечание. По пункту 6.1.8.10 не¦ ¦
¦ ¦контролируются ЛИДАРы, специально¦ ¦
¦ ¦спроектированные для съемки или¦ ¦
¦ ¦метеорологического наблюдения; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.11. ¦Имеющие подсистемы обработки сигнала в¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦виде сжатия импульса с любой из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) коэффициентом сжатия импульса более¦ ¦
¦ ¦150; или ¦ ¦
¦ ¦б) шириной импульса менее 200 нс; или ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦6.1.8.12. ¦Имеющие подсистемы обработки данных с¦8526 10 900 0 ¦
¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) автоматическое сопровождение цели,¦ ¦
¦ ¦обеспечивающее при любом вращении¦ ¦
¦ ¦антенны определение предполагаемого¦ ¦
¦ ¦положения цели за время до следующего¦ ¦
